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单电子转移活性自由基聚合法制备表面活性聚合物及性能
1
作者 邹一梅 王玲 +3 位作者 赵泽龙 吕嫚 丁伟 杨二龙 《化工科技》 CAS 2024年第1期18-23,共6页
以丙烯酰胺(AM)和α-烯基磺酸钠(AOS)为功能单体,2-氯丙酰胺(CPA)为引发剂,采用单电子转移自由基聚合方法,制备无规二元共聚物PAM-co-PAOS。结果表明,最佳工艺条件为c(单体)=2.5 mol/L,n(单体)∶n(CPA)∶n(CuBr)∶n(Me_(6)TREN)=769∶1.... 以丙烯酰胺(AM)和α-烯基磺酸钠(AOS)为功能单体,2-氯丙酰胺(CPA)为引发剂,采用单电子转移自由基聚合方法,制备无规二元共聚物PAM-co-PAOS。结果表明,最佳工艺条件为c(单体)=2.5 mol/L,n(单体)∶n(CPA)∶n(CuBr)∶n(Me_(6)TREN)=769∶1.2∶1∶3.8;m(AOS)∶m(AM+AOS)=3.5%。对表面活性聚合物PAM-co-PAOS进行性能研究,在大庆模拟盐水中具有较好的增黏性及表面活性。 展开更多
关键词 单电子转移活性自由基聚合 表面活性聚合物 α-烯基磺酸钠
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新研究首次确认碳原子间可形成单电子共价键
2
作者 无 《中国氯碱》 CAS 2024年第10期11-11,共1页
日本北海道大学的研究团队近日在英国《自然》杂志上报告说,他们通过实验首次证实碳原子之间仅依靠一个电子就能形成较稳定的共价键。这一成果打破了长久以来关于共价键的常识,将有助于未来碳材料领域创新。
关键词 碳原子 共价键 单电子 研究团队 碳材料 《自然》杂志 日本北海道大学
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单电子输运器件及其研究进展 被引量：5
3
作者 李玲 高洁 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期822-833,共12页
单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件.器件在周期时钟信号的作用下,每个周期有n个(通常是一个)电子从源端搬运到漏端,产生量子化电流.单电子输运器件在量子计量和量子信息处理领域存在广泛的应用前景.为此,人们在... 单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件.器件在周期时钟信号的作用下,每个周期有n个(通常是一个)电子从源端搬运到漏端,产生量子化电流.单电子输运器件在量子计量和量子信息处理领域存在广泛的应用前景.为此,人们在实验和理论方面做了大量研究工作,力求研制出高精度(10-8)、大电流(nA量级)的单电子输运器件,真正达到应用要求.主要从实验研究的角度介绍近20年来单电子输运器件的研究进展,描述各种单电子输运器件的工作原理和实验结果. 展开更多
关键词 库仑阻塞 单电子隧穿 单电子输运器件 单电子泵 单电子旋转门 表面声波单电子输运器件
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反常蓝移单电子锂键Y…Li—CH_3[Y=CH_3,CH_2CH_3,CH(CH_3)_2,C(CH_3)_3]体系的结构与性质 被引量：3
4
作者 李志锋 朱元成 +2 位作者 左国防 唐慧安 李红玉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期429-435,共7页
在密度泛函理论B3LYP/6-311++G(d,p)及MP2/6-311++G(d,p)水平上研究了单电子锂键复合物Y…Li—CH3[Y=CH3,CH2CH3,CH(CH3)2,C(CH3)3]的结构与性质.结果表明,三种单电子锂键复合物H3CH2C…Li—CH3(II),(H3C)2HC…Li—CH3(III)和(H3C)3C…L... 在密度泛函理论B3LYP/6-311++G(d,p)及MP2/6-311++G(d,p)水平上研究了单电子锂键复合物Y…Li—CH3[Y=CH3,CH2CH3,CH(CH3)2,C(CH3)3]的结构与性质.结果表明,三种单电子锂键复合物H3CH2C…Li—CH3(II),(H3C)2HC…Li—CH3(III)和(H3C)3C…Li—CH3(IV)单电子锂键强度依II(-26.7kJ.mol-1)<III(-30.2kJ.mol-1)<IV(-32.8kJ.mol-1)的顺序递增,相对于单体Li—CH3,复合物II,III及IV中Li—CH3键虽然拉长,但其伸缩振动频率出现了反常的蓝移,且蓝移程度依次增大,分别为15.1,18.9和20.5cm-1.供电子体中甲基数目的递增加强了这种单电子弱键作用,而若电子受体LiH中H被CH3取代,则减弱了弱键相互作用.利用自然键轨道(NBO)及分子中原子(AIM)分析进一步对体系的弱键相互作用进行了探讨. 展开更多
关键词 单电子锂键 单电子氢键 单电子卤键 NBO AIM
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集成化单电子器件研究进展 被引量：1
5
作者 杨银堂 王帆 +1 位作者 朱樟明 翟艳 《电子器件》 CAS 2004年第4期772-776,共5页
传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面... 传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用 。 展开更多
关键词 单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计
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单电子器件 被引量：1
6
作者 赵正平 郭荣辉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期17-21,共5页
综述了单电子器件的研究进展,包括单电子器件的简要历史、研究现状、基本理论、工作性能及制作工艺,并且深入讨论了本领域今后的发展方向。
关键词 单电子器件 单电子晶体管 单电子内存 库仓阻塞
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一种单电子晶体管的Spice模型 被引量：10
7
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 2003年第6期65-67,共3页
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉... 基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。 展开更多
关键词 单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图
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纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究 被引量：2
8
作者 卢刚 陈治明 +3 位作者 毛胜春 马剑平 王建农 葛惟昆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期70-73,共4页
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电... 介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随柵极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性。 展开更多
关键词 纳米结构 硅 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
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单电子晶体管放大器的数值分析 被引量：7
9
作者 沈波 蒋建飞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期626-630,共5页
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．
关键词 单电子晶体管 放大器 单电子隧道效应
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单电子存储器 被引量：6
10
作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期7-17,30,共12页
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。... 介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。 展开更多
关键词 单电子存储器 库仑阻塞 单电子晶体管 纳米加工 量子点浮栅
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全流程、区块链!集团首单电子仓单融资业务成功落地
11
作者 无 《港口科技》 2023年第10期48-48,共1页
2023年8月17日,依托浙江省海港集团、宁波舟山港集团大宗散杂货数字供应链服务平台,集团范围内首单全流程线上区块链电子仓单融资业务在温州港龙湾港区成功落地,标志着国家区块链创新应用试点项目——集团大宗散杂货数字供应链服务平台... 2023年8月17日,依托浙江省海港集团、宁波舟山港集团大宗散杂货数字供应链服务平台,集团范围内首单全流程线上区块链电子仓单融资业务在温州港龙湾港区成功落地,标志着国家区块链创新应用试点项目——集团大宗散杂货数字供应链服务平台(申报名为"基于区块链的长三角大宗散货供应链平台")取得新突破,这也是集团在推进港航数字化供应链服务创新道路上迈出的关键性一步. 展开更多
关键词 融资业务 区块链 供应链服务 散杂货 温州港 单电子 宁波舟山港 大宗散货
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传统单电子近似计算法的局限性 被引量：3
12
作者 郑浩平 何军 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期593-597,共5页
在密度泛函理论的基础上 ,通过理论分析和实际计算三个双原子团簇 ,证明传统单电子近似计算法只能得到扩展的和绝对局域化的两类“无相互作用单电子” 。
关键词 密度泛函理论 单电子近似计算法 局域化 无相互作用单电子
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室温工作的单电子晶体管研究 被引量：1
13
作者 方粮 池雅庆 +2 位作者 隋兵才 张超 仲海钦 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期25-28,共4页
由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一。但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程。因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要... 由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一。但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程。因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义。在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片。测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性。该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础。 展开更多
关键词 单电子晶体管 室温单电子晶体管 纳米器件
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单电子隧穿器件的研究进展 被引量：1
14
作者 江鹏 何声太 +2 位作者 时东霞 张昊旭 高鸿钧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期303-310,335,共9页
单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的... 单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展 ,并简述了其潜在的应用价值。 展开更多
关键词 单电子现象 库仑阻塞 库仑台阶 单电子隧穿器件 纳米电子学 凝聚态物理
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单电子器件的仿真 被引量：2
15
作者 何红波 周继承 +1 位作者 胡慧芳 李义兵 《计算机仿真》 CSCD 2000年第4期56-58,65,共4页
该文介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行... 该文介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。 展开更多
关键词 隧道结 单电子器件 单电子效应 仿真
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碱基分子中单电子作用势判断化学键强弱的研究 被引量：1
16
作者 杨忠志 杜霞 《辽宁师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第3期356-359,共4页
碱基是遗传物质DNA和RNA的基本结构单元,与基因突变、癌症及遗传疾病许多健康问题息息相关.使用MELD精密从头计算及自编程序,计算了常见碱基分子腺嘌呤、鸟嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶和尿嘧啶中沿各化学键方向上的单电子作用势,并根据单电... 碱基是遗传物质DNA和RNA的基本结构单元,与基因突变、癌症及遗传疾病许多健康问题息息相关.使用MELD精密从头计算及自编程序,计算了常见碱基分子腺嘌呤、鸟嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶和尿嘧啶中沿各化学键方向上的单电子作用势,并根据单电子作用势势垒——Dpb对各化学键的强弱进行了比较.结果表明,N—H键的Dpb值明显高于C—H键的Dpb值,且胸腺嘧啶分子的C7—H键的Dpb相对于其他分子的C—H键明显偏低.由于Dpb可以用来表征化学键的强弱,因此,碱基分子中N—H键要强于C—H键,且胸腺嘧啶中的C7—H键最弱,在DNA中易被自由基或其他基团进攻,该结论与实验结果一致,为进一步探讨碱基分子的相关性质奠定了基础. 展开更多
关键词 碱基 单电子作用势 单电子作用势势垒 化学键强弱
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硅单电子晶体管制备及特性 被引量：1
17
作者 卢刚 《西安理工大学学报》 CAS 2002年第2期148-150,共3页
采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺 ,在 P型 SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。该器件的工作温度可达... 采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺 ,在 P型 SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。该器件的工作温度可达到 77K。 展开更多
关键词 硅单电子晶体管 制备 库仑阻塞 单电子隧穿 量子点
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单电子器件的Monte Carlo模拟
18
作者 何红波 周继承 +1 位作者 胡慧芳 李义兵 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2000年第4期47-50,共4页
文章介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。
关键词 MONTE CARLO模拟 单电子器件 单电子晶体管
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单电子晶体管I-V特性数学建模
19
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第9期76-78,共3页
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词 单电子晶体管 I-V特性 数学建模 隧穿电流 单电子电路 计算机模拟
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单电子晶体管的制备、集成与电路研究 被引量：1
20
作者 王太宏 《微电子技术》 2002年第5期6-10,共5页
我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的... 我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。 展开更多
关键词 单电子晶体管 制备 单电子存储器 多值存储器 晶体管电路
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