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用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
1
作者
刘善群
丁雨憧
+5 位作者
陈哲明
石自彬
龙勇
邹少红
庾桂秋
张莉
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第5期700-703,728,共5页
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合...
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。
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关键词
压电单晶薄膜晶圆
清洗技术
离子注入
晶圆
键合
表面洁净度
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职称材料
题名
用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
1
作者
刘善群
丁雨憧
陈哲明
石自彬
龙勇
邹少红
庾桂秋
张莉
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第5期700-703,728,共5页
文摘
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。
关键词
压电单晶薄膜晶圆
清洗技术
离子注入
晶圆
键合
表面洁净度
Keywords
piezoelectric single-crystal thin-film wafer
cleaning technology
ion implantation
wafer bonding
surface cleanliness
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
刘善群
丁雨憧
陈哲明
石自彬
龙勇
邹少红
庾桂秋
张莉
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
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