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原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文) 被引量：3
1
作者 李夏南 于乃森 +2 位作者 曹保胜 丛妍 周均铭 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期776-779,共4页
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显... 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。 展开更多
关键词 氮化镓 金属有机化学气相沉积 应力 原位氮化硅掩膜
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