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超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究
1
作者 卢焕明 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期61-65,共5页
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,... 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 。 展开更多
关键词 双晶x射线衍射 锗 硅 应变外延层 CVD 超高真空
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用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
2
作者 张仕国 江鉴 +2 位作者 陈立登 袁骏 张民杰 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第2期188-192,共5页
以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层... 以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况． 展开更多
关键词 双晶x射线衍射 液相外延 掺杂 硅
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半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量 被引量：4
3
作者 王玉田 陈诺夫 +1 位作者 何宏家 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期267-274,共8页
本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与... 本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义． 展开更多
关键词 砷化镓 x射线双晶衍射 Bond法
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X射线双晶衍射技术的发展及应用 被引量：15
4
作者 王浩 廖常俊 范广涵 《大学物理》 北大核心 2001年第7期30-35,共6页
简要介绍了X射线双晶衍射技术的原理 ;描述了双晶衍射技术的发展与演化 .
关键词 x射线双晶衍射技术 回摆曲线 倒易空间图 反射率曲线 多晶衍射仪
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MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法 被引量：1
5
作者 庄岩 王玉田 +2 位作者 马文全 林耀望 周增圻 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期508-512,共5页
本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm... 本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x． 展开更多
关键词 MBE MOCVD 外延生长 外延层 x射线双晶衍射
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In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 被引量：1
6
作者 王晓亮 孙殿照 +2 位作者 孔梅影 侯洵 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期502-507,共6页
在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用X射线衍射的... 在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟，确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽．结果表明，每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰，且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好，说明材料结构完整、具有较高的质量；样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致，说明生长过程可以很好的控制． 展开更多
关键词 应变多量子阱 GSMBE生长 结构 x射线双晶衍射
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透射式GaAS阴极粘结工艺的X射线双晶衍射研究 被引量：3
7
作者 闫金良 向世明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期678-682,共5页
本文分析了透射式ＧａＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响．用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶摇摆曲线．结果表明，透射式ＧａＡｓ... 本文分析了透射式ＧａＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响．用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶摇摆曲线．结果表明，透射式ＧａＡｓ阴极热压粘结工艺带来明显的附加应力，外延层衍射半峰宽的展宽是由于热膨胀系数的差异导致阴极层非均匀应力引起的． 展开更多
关键词 砷化镓 x射线双晶衍射 阴极粘结工艺
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GaAs/GaAlAs阴极粘结工艺的X射线双晶衍射测量 被引量：1
8
作者 闫金良 向世明 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第2期33-37,共5页
分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，ＧａＡｓ／... 分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力，外延层衍射角度的展宽是由于ＧａＡｓ阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。 展开更多
关键词 砷化镓 阴极 玻璃 x射线双晶衍射 光电子学
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x射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析 被引量：1
9
作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期50-54,共5页
介绍了ｘ射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Ｐｅｎｄｅｌｓｕｎｇ现象，给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数。较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆曲线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。
关键词 x射线双晶衍射 计算机模拟分析 化合物半导体
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X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用
10
作者 林世鸣 高洪海 +3 位作者 张春辉 吴荣汉 庄岩 王玉田 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期257-260,共4页
本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反... 本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果． 展开更多
关键词 DBR VCSEL x射线双晶衍射 激光器
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DBR结构参数的X射线双晶衍射研究
11
作者 李林 李梅 +3 位作者 钟景昌 赵英杰 王勇 苏伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期412-414,共3页
　利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。"0"级双晶衍射峰的半高宽为12.36″,衬底GaAs的衍射峰半... 　利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。"0"级双晶衍射峰的半高宽为12.36″,衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.57″。"0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离,计算出了DBR的周期D及Al含量x值。X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合。 展开更多
关键词 分布布拉格反射 x射线双晶衍射 回摆曲线 卫星峰
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MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究
12
作者 张磊 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 商耀辉 高金环 《电子器件》 CAS 2007年第4期1184-1187,共4页
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进... 用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2. 展开更多
关键词 RTD x射线双晶衍射 MBE 回摆曲线
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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究
13
作者 刘艳美 赵宗彦 +2 位作者 杨坤堂 徐章程 韩家骅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期862-864,共3页
用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ... 用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。 展开更多
关键词 INAS/GAAS量子点 自组织量子点 x射线双晶衍射法 摇摆曲线 光电性质 子单层沉积法
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垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
14
作者 刘文莉 李林 +6 位作者 钟景昌 张永明 赵英杰 郝永琴 王勇 苏伟 晏长岭 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2004年第2期35-36,34,共3页
利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半... 利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。 展开更多
关键词 x射线双晶衍射 回摆曲线 卫星峰
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应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 被引量：3
15
作者 邹吕凡 王占国 +4 位作者 孙殿照 张靖巍 李建平 孔梅影 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期333-336,共4页
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对... 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面． 展开更多
关键词 GSMBE 异质结材料 外延生长 x射线双晶衍射
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RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量 被引量：1
16
作者 卜夏正 武一宾 +1 位作者 商耀辉 王建峰 《微纳电子技术》 CAS 2006年第11期508-511,519,共5页
在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体... 在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体质量良好,纳米薄膜的组分和厚度偏差分别控制在2%和3.5%之内,说明薄层的生长得到了精细控制。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 纳米级薄层 精细控制 x射线双晶衍射 动力学模拟
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多层结构的X射线双晶衍射研究
17
作者 武蕴忠 许学敏 +1 位作者 王渭源 滕琴 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第3期347-351,共5页
用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向... 用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。 展开更多
关键词 x射线双晶衍射 多层结构 薄膜 玻璃 铂膜 陶瓷
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GaAs/GaAsAl阴极粘结X射线双晶衍射测量
18
作者 阎金良 彭玉田 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期119-122,共4页
分析了GaAs／GaAsAl阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，GaAs／GaAsAl阴极粘... 分析了GaAs／GaAsAl阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，GaAs／GaAsAl阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力，外延层衍射角度的展宽是由于CaAs阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。 展开更多
关键词 砷化镓阴极 玻璃 x射线双晶衍射
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X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用
19
作者 关志强 唐吉龙 +6 位作者 魏志鹏 牛守柱 方铉 房丹 王登魁 贾慧民 王晓华 《材料科学》 2018年第1期37-44,共8页
X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段,广泛应用于半导体薄膜,超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述了X射线双晶衍射在分析薄膜晶体质量,合金组分,超晶格膜厚,应变中的应用,对于半导体激光器而言,这些参数的... X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段,广泛应用于半导体薄膜,超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述了X射线双晶衍射在分析薄膜晶体质量,合金组分,超晶格膜厚,应变中的应用,对于半导体激光器而言,这些参数的精确测定,对指导高质量器件的开发与研制具有重要意义。 展开更多
关键词 x射线双晶衍射 晶体质量 超晶格 应变
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用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构 被引量：2
20
作者 杨艳 薛晨阳 +1 位作者 张斌珍 张文栋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料... 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。 展开更多
关键词 分子束外延 超晶格半导体 x射线双晶衍射
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