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反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响 被引量：1
1
作者 戴扬 卢昭阳 +5 位作者 党江涛 叶青松 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵武 《现代应用物理》 2021年第4期93-99,共7页
研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性。仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反向泄漏电流密度的增大而显著降低。对IMPATT二极管工作时的内部特性的研究表明,引起IMPATT二极管性能衰... 研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性。仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反向泄漏电流密度的增大而显著降低。对IMPATT二极管工作时的内部特性的研究表明,引起IMPATT二极管性能衰减的主要原因是较大的反向泄漏电流并没有降低交流相位延迟,反而使交流周期中内部电场的振幅显著衰减,使交流电压和交流电流显著衰减,降低了雪崩渡越时间二极管大信号输出特性。 展开更多
关键词 反向泄漏电流 相位延迟 电场 IMPATT二极管
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SiC肖特基势垒二极管的反向特性 被引量：2
2
作者 杨霏 闫锐 +8 位作者 陈昊 张有润 彭明明 商庆杰 李亚丽 张雄文 潘宏菽 杨克武 蔡树军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期6-9,共4页
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板... 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 反向阻断电压 反向泄漏电流 场限环 场板 离子注入
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具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究
3
作者 黄兴杰 邢艳辉 +6 位作者 于国浩 宋亮 黄荣 黄增立 韩军 张宝顺 范亚明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期402-408,共7页
采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-GaN层表面上先沉积2 nm的Al_(2)O_(3)薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al_(2)O_(3)阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降... 采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-GaN层表面上先沉积2 nm的Al_(2)O_(3)薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al_(2)O_(3)阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温I_(G)-V_(G)测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al_(2)O_(3)阻挡层改变了HR-GaN的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al_(2)O_(3)薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱. 展开更多
关键词 p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT H等离子体处理 Al_(2)O_(3)薄膜 栅极反向泄漏电流
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避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法 被引量：2
4
作者 陈菊华 《电子与封装》 2007年第8期17-20,共4页
由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件... 由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 超压电 跨导 零栅压漏极电流 栅极-源极反向泄漏电流 通态漏源电压 通态漏源电流
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高性能折叠I型栅无结场效应晶体管
5
作者 高云翔 靳晓诗 《微处理机》 2018年第5期11-14,共4页
为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响。通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿... 为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响。通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿真结果的对比,突出FIG JL FET在电学性能上所具备的优势,并给出栅极设计参数的最佳优化方案。仿真实验结果表明,相比于其他的栅型结构,折叠I型栅无结场效应晶体管具有更低的反向泄漏电流,Ion-Ioff比也得到很大提升,而且几乎没有亚阈值的衰减。作为一款高性能器件,深具发展潜力。 展开更多
关键词 折叠I形栅极 无结场效应晶体管 反向泄漏电流 亚阈值
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氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究
6
作者 羊群思 田葵葵 +6 位作者 吴静 陈雷雷 刘楚乔 金宁 赵琳娜 闫大为 顾晓峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期399-403,共5页
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接... 研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接近GaN的禁带宽度,表明最高价带处产生了高浓度的空穴;器件能够实现紫外光探测,在偏压为-5 V时,紫外/可见光抑制比约为1×103,最高响应度约为0.045 A/W,最大外量子效率约为15.5%,瞬态响应平均衰减时间常数约为35 ms。由此可见,氟等离子体离子注入是调节Au/Ni/n-GaN二极管电学和光学性能的有效手段之一。 展开更多
关键词 氟等离子体离子注入 反向泄漏电流 紫外光响应探测
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