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SiC高温激活退火炉反应室的温场均匀性研究
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作者 周铁 吴永明 张毅 《机床与液压》 北大核心 2024年第2期181-186,共6页
SiC高温激活退火炉反应室的温度高、结构复杂,通工艺气体时易导致反应室内温度不均匀,影响产品质量。为获得高均匀温场的反应室,根据退火炉的设备数据建立反应室的物理模型;基于固体和流体传热、表面对表面辐射传热模型等,应用COMSOL Mu... SiC高温激活退火炉反应室的温度高、结构复杂,通工艺气体时易导致反应室内温度不均匀,影响产品质量。为获得高均匀温场的反应室,根据退火炉的设备数据建立反应室的物理模型;基于固体和流体传热、表面对表面辐射传热模型等,应用COMSOL Multiphysics6.0系统构建退火炉反应室仿真模型。通过改变工艺管、衬管结构,优化加热器距离、气体流量、隔热屏高度等参数来模拟退火炉反应室的温度分布情况。仿真结果表明:将工艺管和衬管设计为嵌套结构,加热器距离为9 mm、流量为25 L/min、隔热屏高度为178 mm时,最大温差由340℃降至±4℃,反应室内温场均匀性达到最优。 展开更多
关键词 退火反应室 高均匀温场 COMSOL Multiphysics6.0系统 仿真分析
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电液压脉冲反应室对杀菌效果的影响 被引量:3
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作者 陈德淑 廖振方 +1 位作者 康勇烽 邓晓刚 《医疗卫生装备》 CAS 2005年第9期50-50,52,共2页
采用电液压脉冲进行水处理时,反应室的几何尺寸和形状对处理效果有着比较重要的影响.报道一些实验结果,对确定反应室的几何尺寸和形状有一定的参考价值.
关键词 反应室 杀菌效果 电液压脉冲
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直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究 被引量:2
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作者 樊双莉 陈俊芳 +5 位作者 吴先球 赵文锋 孙辉 符斯列 向鹏飞 蒙高庆 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第4期65-69,共5页
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试... 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义. 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 氮化硅薄膜 离子密度 直管 薄膜制备 化学气相沉积法 等离子体参数 反应室 并用 增强
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MOCVD反应室流场分析及其对GaN生长的影响 被引量:2
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作者 冯兰胜 过润秋 张进成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期171-175,共5页
为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传... 为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传输过程和材料质量均有影响.随着基座旋转速度的升高,反应室内部的流场分布趋向均匀,衬底表面的气体流速变快,GaN生长速率升高,并且厚度均匀性也变好,但是速度超过一定限度后会使生长速率降低;在同样的生长条件下,反应室的高度越高,反应室内部的流场分布越均匀,这有利于提高材料的均匀性,同时GaN生长速率先降低后升高,但气相传输中的气相预反应会逐渐增强. 展开更多
关键词 GAN 金属有机[化合物]CVD 反应室结构 反应动力学
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水下制氢反应室动态过程数值分析 被引量:2
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作者 张方方 张振山 王晋忠 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期155-161,共7页
为研究水下制氢反应室的动态过程规律,基于化学反应动力学和单液滴运动学得到合金/水反应转化率,并在最小自由能法计算得到生成物各组分摩尔数的基础上利用质量守恒方程得到室内各物质质量变化规律。在建立非线性移动边界螺旋管动态模... 为研究水下制氢反应室的动态过程规律,基于化学反应动力学和单液滴运动学得到合金/水反应转化率,并在最小自由能法计算得到生成物各组分摩尔数的基础上利用质量守恒方程得到室内各物质质量变化规律。在建立非线性移动边界螺旋管动态模型的前提下,利用能量守恒方程得到室内热力参数变化规律,进而完成制氢反应室动态过程详尽模型的建立。利用该模型编写计算程序,完成某水下制氢反应室动态过程仿真。结果表明,各仿真曲线较好地反映了对应参数的动态变化规律,验证了模型建立与仿真的正确性;合金/水反应转化率决定了反应室的物质质量变化规律及其能量释放特性。该模型可以作为制氢反应室动态特性分析及其过程控制研究的基础模型。 展开更多
关键词 热力学 水下航行器 富铝合金 制氢反应室 动态过程 数值分析
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反应室几何结构对电场强度和电子密度分布的影响 被引量:2
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作者 杨英杰 黄光周 +2 位作者 于继荣 周仲浩 梁斌 《真空与低温》 1999年第1期26-31,共6页
建立了电感耦合等离子体源的电磁场模型、电离模型和双极扩散模型,并进行模拟计算。计算结果表明,在天线结构和反应室内径不变的情况下,随着反应室高度的下降,电场强度逐渐升高,电子密度也升高。反应室高度从12cm降到5cm时... 建立了电感耦合等离子体源的电磁场模型、电离模型和双极扩散模型,并进行模拟计算。计算结果表明,在天线结构和反应室内径不变的情况下,随着反应室高度的下降,电场强度逐渐升高,电子密度也升高。反应室高度从12cm降到5cm时,峰值电子密度增加60%。 展开更多
关键词 等离子体源 电感耦合 反应室模型 电子密度分布
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水下制氧反应室动态过程数值分析 被引量:1
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作者 张振山 张方方 王晋忠 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期60-64,69,共6页
为研究水下制氧反应室动态过程规律,基于喷管原理得到氧气流出反应室的质量流量,利用质量守恒定律和能量守恒定律推导出室内物质质量、温度变化所满足的方程式,利用SHBWR状态方程考虑室内压力变化,建立了该反应室动态过程数学模型,并利... 为研究水下制氧反应室动态过程规律,基于喷管原理得到氧气流出反应室的质量流量,利用质量守恒定律和能量守恒定律推导出室内物质质量、温度变化所满足的方程式,利用SHBWR状态方程考虑室内压力变化,建立了该反应室动态过程数学模型,并利用该模型编写计算程序,进行了不同制氧方案、不同制氧剂的反应室动态过程仿真。结果表明:各仿真曲线能够较好反映对应参数的动态变化规律,验证了所建立模型与仿真的正确性;与LiClO4相比,NaClO3更适合无冷却环节的水下异室制氧。该模型可以作为制氧反应室动态特性分析及其过程控制研究的基础模型。 展开更多
关键词 热力学 水下航行器 制氧反应室 动态过程
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一种高效沉积反应室的设计 被引量:1
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作者 熊国刚 肖李鹏 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期36-37,共2页
利用Arrhenius公式对化学气相沉积的反应进行研究 ,设计了一种低压热化学气相沉积 (LPCVD)高效沉积反应室。在料管的下方与衬底的上方间安放漏斗型筛板 ,在工艺中有效地提高了氢气的分压 ,并有利于衬底温度的提高 ,加快了沉积速率。通... 利用Arrhenius公式对化学气相沉积的反应进行研究 ,设计了一种低压热化学气相沉积 (LPCVD)高效沉积反应室。在料管的下方与衬底的上方间安放漏斗型筛板 ,在工艺中有效地提高了氢气的分压 ,并有利于衬底温度的提高 ,加快了沉积速率。通过对设计前后钨薄膜的金相组织对比分析后发现 ,较高的沉积速率可以使沉积薄膜晶粒细小 ,结构致密 ,但薄膜与衬底附着力较差 ,提高衬底温度可有效地提高薄膜与衬底附着力 ,以弥补因较高的沉积速率带来的薄膜与衬底附着力较差的问题 ,提高薄膜质量。 展开更多
关键词 高效沉积反应室 设计 低压热化学气相沉积 LPCVD
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电子束法烟气净化装置中辐照反应室剂量场测量 被引量:3
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作者 张毅 徐光 钟明 《计量技术》 2002年第8期11-13,共3页
应用胶片法对电子束法烟气净化装置中辐照反应室 (以下简称辐照室 )的剂量场进行测量。胶片法使用方便 ,空间分辨力高 ,在测量X射线、电子射线的剂量场分布中得到了广泛的应用。本文简单介绍辐照室的结构、胶片法的测量原理 ;具体描写... 应用胶片法对电子束法烟气净化装置中辐照反应室 (以下简称辐照室 )的剂量场进行测量。胶片法使用方便 ,空间分辨力高 ,在测量X射线、电子射线的剂量场分布中得到了广泛的应用。本文简单介绍辐照室的结构、胶片法的测量原理 ;具体描写实验步骤 ,对实验数据进行处理 。 展开更多
关键词 烟气净化装置 辐照反应室 剂量场测量 电子束法 胶片法
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电液压脉冲反应室对杀菌效果的影响
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作者 陈德淑 廖振方 +1 位作者 康勇烽 邓晓刚 《医疗卫生装备》 CAS 2005年第A09期50-52,共2页
采用电液压脉冲进行水处理时,反应室的几何尺寸和形状对处理效果有着比较重要的影响。报道一些实验结果,对确定反应室的几何尺寸和形状有一定的参考价值。
关键词 反应室 杀菌效果 电液压脉冲
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反应室结构与工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响
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作者 景俊海 孙青 +1 位作者 孙建诚 付俊兴 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第4期13-17,共5页
本文根据气流模型研究了反应室结构与光激发汽相淀积(PVD)SiO_2薄膜均匀性的关系,并且讨论了工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响。
关键词 PVD SIO2薄膜 均匀性 反应室
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反应室结构与工艺参数对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响 被引量:1
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作者 景俊海 孙青 +1 位作者 孙建诚 付俊兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期25-28,共4页
本文从反应室的几何结构出发初步讨论了气体流型对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响并初步讨论了反应室压力、气体流量对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响.
关键词 CVDSiO2 薄膜 均匀性 反应室 工艺
全文增补中
一种较理想的免疫荧光试验湿式反应室
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作者 陈昌源 《湖北预防医学杂志》 1994年第4期33-34,共2页
本文介绍一种为免疫荧光试验设计制作的湿式反应室,经10多年实验应用证明是一种体积小、容量大、操作方便、省时、省力的实验器材,除免疫荧光试验外,还可用于其他玻片法的免疫学试验。
关键词 免疫荧光试验 湿式 反应室
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基于CAD/CFD理论对连续制备SiC一维纳米材料CVD反应室结构的设计与模拟优选 被引量:1
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作者 刘晓珑 李镇江 孟春雷 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第5期524-529,共6页
根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式,设计了4种不同结构的化学气相沉积(CVD)反应室("S"型结构,"三角"型结构,"双三角"型结构,"回"型结构),并基于CFD... 根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式,设计了4种不同结构的化学气相沉积(CVD)反应室("S"型结构,"三角"型结构,"双三角"型结构,"回"型结构),并基于CFD原理,使用Fluent软件对这4种反应室内的温度场及气流场进行了模拟,得到了各反应室内温度及气体流速的分布云图。通过比较分析发现,在达到稳态后,4种结构反应室内气孔附近的温度均比较低;但气流场模拟结果显示,"回"型结构CVD反应室内,在产物生长的基片表面附近存在气体流量最多且层流面积最大,适于SiC纳米线生长的面积最大,最适用于SiC一维纳米材料的连续制备,其结果已被实验验证。 展开更多
关键词 CAD/CFD理论 SiC一维纳米材料 CVD反应室
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Shell粉煤气化炉烧嘴罩、反应室膜式壁泄漏的判断方法及应急措施 被引量:1
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作者 张汉侠 王军 《化肥工业》 CAS 2014年第1期66-66,共1页
河南煤业化工集团中原大化公司煤气化装置采用Shell粉煤气化工艺,由于该工艺自身的一些特点,导致生产中易发生气化炉烧嘴罩、反应室膜式壁泄漏等问题。
关键词 粉煤气化炉 膜式壁 反应室 应急措施 烧嘴 泄漏 粉煤气化工艺 煤气化装置
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电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布
16
作者 蒙高庆 陈俊芳 +4 位作者 向鹏飞 熊予莹 吴先球 符斯列 张茂平 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2005年第2期61-66,共6页
利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13.56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压+85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布.通过对反应室... 利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13.56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压+85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布.通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围. 展开更多
关键词 电子束蒸发 等离子体 空间分布 反应 LANGMUIR探针 密度分布 诊断方法 离子密度 电压范围 气压 反应室 放电 栅压 减速 加速
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管式PECVD反应室流场仿真优化及应用研究 被引量:2
17
作者 周佑丞 张春成 +3 位作者 赵志然 谭瞻 王锦 成秋云 《有色设备》 2022年第2期52-55,共4页
利用Star-CCM流体仿真软件,按照常规工艺参数,对管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备反应室腔体进行三维建模仿真,研究搭载不同结构石墨舟的反应室腔体内部流场分布,结合仿真数据,分组实验验证镂空石墨舟块对镀膜均匀性的影响。实验... 利用Star-CCM流体仿真软件,按照常规工艺参数,对管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备反应室腔体进行三维建模仿真,研究搭载不同结构石墨舟的反应室腔体内部流场分布,结合仿真数据,分组实验验证镂空石墨舟块对镀膜均匀性的影响。实验结果表明:镂空舟块能有效改善石墨舟的舟中及舟尾舟片间的气流分布,提高薄膜生长的均匀性。 展开更多
关键词 PECVD 反应室 石墨舟 流场动力仿真 镀膜均匀性
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消失模型内球化处理反应室的设计
18
作者 孙宇烽 陈其善 陈翌庆 《安徽机电学院学报》 CAS 1998年第3期31-34,共4页
提出了消失模型内球化处理反应室的设计方法和步骤,通过试验进行了验证,并指出该方法本身具有良好的瞬时孕育效果。
关键词 消失模型内球化处理 反应室 瞬时孕育
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喷淋式GaN-MOCVD反应室的数值模拟及研究
19
作者 罗磊 曹盛 汤绘华 《橡塑技术与装备》 CAS 2015年第16期7-9,共3页
本文以低压、旋转、垂直喷淋式的Ga N-MOCVD反应室为研究对象,运用计算流体力学(CFD)方法对反应室内部的输运过程进行了比较详细数值模拟及研究。数值模拟研究结果发现:在一定外延材料工艺生长参数范围内,加大进气流量(Q)可以有效抑制... 本文以低压、旋转、垂直喷淋式的Ga N-MOCVD反应室为研究对象,运用计算流体力学(CFD)方法对反应室内部的输运过程进行了比较详细数值模拟及研究。数值模拟研究结果发现:在一定外延材料工艺生长参数范围内,加大进气流量(Q)可以有效抑制热浮力效应,从而使反应器内部的流场均匀分布。数值模拟结果不仅对Ga N-MOCVD反应室机械结构设计有重要的指导作用,同时也对高品质的外延材料生长工艺参数优化和调试具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 GaN-MOCVD反应室 数值模拟 CFD 热浮力效应
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粉煤气化炉反应室漏水及应对措施研究
20
作者 李文艳 郭小杰 《化肥设计》 CAS 2021年第1期48-50,共3页
介绍了壳牌粉煤加压气化炉中调和水冷却系统和水汽系统的工艺流程,结合壳牌粉煤加压气化炉的运行经验,分析DCS系统工艺指标变化,判定气化炉漏水的具体部位。从气化炉进料稳定性、炉温过高或过低、锅炉给水水质、烧嘴罩安装等方面分析了... 介绍了壳牌粉煤加压气化炉中调和水冷却系统和水汽系统的工艺流程,结合壳牌粉煤加压气化炉的运行经验,分析DCS系统工艺指标变化,判定气化炉漏水的具体部位。从气化炉进料稳定性、炉温过高或过低、锅炉给水水质、烧嘴罩安装等方面分析了泄漏的原因,给出提高氧煤比来提高气化炉反应室炉温,降低系统水/汽系统与气化炉反应室压差减少泄漏量等保生产的应急措施。 展开更多
关键词 壳牌粉煤气化炉 反应室漏水 烧嘴头漏水 应急措施 水汽系统
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