反应磁控溅射法制备的氮掺杂TiO_2光催化膜的氮化学态和光催化活性(英文) 被引量：7

1

作者 陈崧哲 张彭义 +1 位作者 祝万鹏 庄大明 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第7期515-517,共3页

采用中频交流磁控溅射法 ,以O2 /N2 混和气为反应气体 ,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2 膜 .利用原子力显微镜、紫外 可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态 ,并... 采用中频交流磁控溅射法 ,以O2 /N2 混和气为反应气体 ,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2 膜 .利用原子力显微镜、紫外 可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态 ,并通过苯甲酰胺的光催化降解实验对光催化剂活性进行了评价 .结果表明 ,所得掺杂膜仅能够被紫外光所激发 ,反应气的配比对膜的形貌和TiO2 的锐钛矿 /金红石相比率均有影响 ,而氮在膜中以掺杂N3 -、表面吸附N2 和固溶N2 的形式存在 .随着N3 -掺入量的增加 ,掺杂膜的光催化活性显著提高 ,在反应气体组成为N2 /(O2 +N2 ) =80 % (体积分数 )时 ,掺杂N3 -量为0 5 94 % ,苯甲酰胺光催化降解效果最好 ,其活性约为纯TiO2 膜的 1 . 展开更多

关键词 掺杂 二氧化钛光催化膜 氮化学态 光催化活性 反应磁控溅射法 制备 苯甲酰胺

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反应磁控溅射法制备HfO_2金刚石红外增透膜 被引量：4

2

作者 郭会斌 王凤英 +3 位作者 贺琦 魏俊俊 王耀华 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1355-1360,共6页

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能... 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响。利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8～12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.6%,使金刚石红外透过率达到88%;在3～5μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出12.8%。 展开更多

关键词 HFO2薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 增透

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反应磁控溅射法制备Y_2O_3金刚石红外减反膜 被引量：3

3

作者 郭会斌 魏俊俊 +3 位作者 王耀华 贺琦 吕反修 唐伟忠 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第3期10-14,18,共6页

采用纯钇（Y）金属靶,在氧＋氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜... 采用纯钇（Y）金属靶,在氧＋氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究了薄膜的组成和结构。利用X射线衍射仪（GIXRD）和椭偏仪（Ellipsometer）研究了不同衬底温度和热处理温度对氧化钇薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪（FTIR）检测了镀膜前后金刚石红外透过性能。研究发现Y2O3薄膜能够有效提高金刚石在8-12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.8%,使金刚石红外透过率由66.4%提高到88.2%;在3-5μm范围,双面镀制了Y2O3薄膜的金刚石平均透过率达64.9%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出10.9%。 展开更多

关键词 Y2O3薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 减反射

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直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应(英文) 被引量：2

4

作者 张利伟 张兵临 +3 位作者 姚宁 樊志琴 杨仕娥 鲁占灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期667-669,617,共4页

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ... 采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ,光电流在 2 0 0s的时间内能恢复到暗电流 ,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 制备 二氧化钛薄膜 光响应 导电玻璃 光电流 紫外光探测器材料

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直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究 被引量：2

5

作者 杨丰帆 方亮 +4 位作者 孙建生 徐勤涛 吴苏友 张淑芳 董建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期460-466,共7页

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片... 利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 CdIn2O4薄膜 光电性能 最佳条件

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在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文) 被引量：1

6

作者 简二梅 叶志镇 +4 位作者 刘暐昌 何海平 顾修全 朱丽萍 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期491-494,共4页

采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm... 采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。 展开更多

关键词 P型导电 In-N共掺 直流反应磁控溅射法 ZNO薄膜

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射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响

7

作者 江美福 宁兆元 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期51-56,共6页

以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a C:F)薄膜.薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征.有关数据显示,薄膜的沉积速率随着... 以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a C:F)薄膜.薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征.有关数据显示,薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升.所沉积的a C:F薄膜中存在着一定比例的苯环结构.改变射频功率可以改变薄膜中的F/C比值,调制薄膜中环式结构与链式结构的比例,从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能. 展开更多

关键词 氟化非晶碳薄膜 a-C:F薄膜 反应磁控溅射沉积法 射频功率 介电常数 薄膜结构 沉积速率

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直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO_2薄膜及其可见光活性 被引量：24

8

作者 朱蕾 崔晓莉 +2 位作者 沈杰 杨锡良 章壮健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1662-1666,共5页

室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入... 室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入有利于TiO_2薄膜的晶格生长,并随靶中碳面积的增加,薄膜的结晶度也相应提高.由透射光谱计算得到的禁带宽度表明,靶中碳和钛的面积比为0.05时,薄膜的禁带宽度由纯TiO_2薄膜的3.4 eV减小到3.1 eV.光电测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳的引入可以提高薄膜的光电响应,面积比为0.10时,可见光下0 V时薄膜的光电流密度为0.069μA·cm^(-2);但碳和钛的面积比增加到0.16时,测得的薄膜光电响应异常. 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 碳/钛镶嵌靶 碳掺杂的二氧化钛薄膜 光电化学

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反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究 被引量：10

9

作者 江美福 宁兆元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3220-3224,共5页

采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比... 采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响 .结果表明在低功率 (6 0W)、高气压 (2 0Pa)和适当的流量比(Ar CHF3=2∶1 )下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F 展开更多

关键词 反应磁控溅射法 氟化类金刚石薄膜 红外透射光谱 XPS光谱 光学带隙

原文传递

室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜 被引量：5

10

作者 缪维娜 李喜峰 +4 位作者 张群 黄丽 章壮健 张莉 严学俭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期301-305,共5页

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决... 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm. 展开更多

关键词 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温

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负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响 被引量：1

11

作者 张琳琳 黄美东 +2 位作者 李鹏 王丽格 佟莉娜 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第2期38-41,共4页

利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压对AlN择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算... 利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压对AlN择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算结果可知,薄膜在可见光和红外区域透射率高,随着偏压的增大,薄膜的折射率也随之增大. 展开更多

关键词 ALN薄膜 基底负偏压 反应磁控溅射法

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反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究 被引量：3

12

作者 马春雨 李智 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期453-456,共4页

　在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表... 　在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。 展开更多

关键词 反应RF磁控溅射法 氧化锆薄膜 表面粗糙度 高介电常数

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氧气分压对反应溅射制备TiO_2薄膜带隙的影响 被引量：3

13

作者 赵青南 李春领 +1 位作者 刘保顺 赵修建 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期603-605,共3页

在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱... 在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱峰出现在 370和 4 90nm处。试样带隙为 3 35eV。0 35和 0 6 5Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底 0 72和 0 94eV的缺陷能级 ,0 10和 0 15Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底 0 2 3和 1 2 9eV之间的缺陷能带 ;增加氧气分压 ,缺陷能带转变成两个缺陷能级 ,在 0 6 5Pa氧气分压下 ,缺陷能级几乎消失。 展开更多

关键词 氧气分压 二氧化钛薄膜 带隙结构 直流反应磁控溅射法 制备 荧光发射光谱 缺陷能级

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在不同氮分压下用dc反应性粒子磁控油射法制备TiN膜

14

作者 卫冰 《等离子体应用技术快报》 1997年第12期7-9,共3页

关键词 氮化钛膜 氮分压 dc反应性粒子磁控溅射法

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基底温度对反应磁控溅射氮化铝薄膜的影响 被引量：2

15

作者 黄美东 张琳琳 +3 位作者 王丽格 佟莉娜 李晓娜 董闯 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期715-718,共4页

采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析... 采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析和研究了基底温度对AlN薄膜的结构及性能的影响。结果表明,用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,属于六方晶系,温度对AlN(100)面衍射峰强度影响不大,但对(110)面衍射峰的影响较大,因而温度对AlN的择优取向有一定影响。AlN(100)峰半高宽随温度升高而减小,表明晶粒尺寸随温度升高有变大趋势。随沉积温度升高,薄膜硬度从150℃的8 GPa增加到350℃的10 GPa左右,随基底温度升高,薄膜的硬度增加。弹性模量随温度的变化趋势与硬度的基本一致。在可见光区域AlN薄膜透过率超过90%,基本属于透明膜。基底温度对薄膜折射率也有较明显影响,折射率大致随温度升高而增大,但由椭偏测试及透射谱线分析得到的厚度结果表明,随温度升高,AlN薄膜的沉积速率下降。 展开更多

关键词 氮化铝薄膜 基底温度 反应磁控溅射法

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透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析 被引量：9

16

作者 陆峰 徐成海 +3 位作者 曹洪涛 裴志亮 孙超 闻立时 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期9-11,15,共4页

用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω·cm、可见光透射率在 8... 用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω·cm、可见光透射率在 80 %以上 ,红外波段的反射率达 70 %以上 。 展开更多

关键词 纳米薄膜 直流反应磁控溅射法 结构 电阻率 透射率 反射率 半导体 氧化锌 氧化铝

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源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响 被引量：6

17

作者 江美福 宁兆元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期539-541,共3页

以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石 (F -DLC)薄膜。拉曼光谱表明 ,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D) /I(G)减小 ,晶粒增大 ,芳香环结构比例下降。红外吸收光谱分析证实了这些... 以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石 (F -DLC)薄膜。拉曼光谱表明 ,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D) /I(G)减小 ,晶粒增大 ,芳香环结构比例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论 ,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。 展开更多

关键词 源气体 流量比 F-DLC薄膜 影响 反应磁控溅射法 氟化类金刚石薄膜 拉曼光谱

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基底材料对沉积氮化钛薄膜及其性能的影响 被引量：1

18

作者 付淑英 《中国材料科技与设备》 2014年第1期10-12,共3页

研究了利用直流反应磁控溅射法，以Si—P（111）和Si—P（100）两种不同Si片做基底，对制备TiNx薄膜性能的影响。结果表明，以Si--p（111）为基底制备的TiNx薄膜性能优于Si--p（100）基底，表现在颗粒更细润，XRD衍射峰峰形更明锐且与T... 研究了利用直流反应磁控溅射法，以Si—P（111）和Si—P（100）两种不同Si片做基底，对制备TiNx薄膜性能的影响。结果表明，以Si--p（111）为基底制备的TiNx薄膜性能优于Si--p（100）基底，表现在颗粒更细润，XRD衍射峰峰形更明锐且与TiNx的衍射峰不会重叠。因而，选用p--Si（111）做基底沉积氮化钛薄膜，可满足制备光学薄膜质量方面的要求。 展开更多

关键词 基底材料 氮化钛薄膜 薄膜性能 沉积 直流反应磁控溅射法 薄膜质量 衍射峰 SI

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AlCrON太阳能选择性吸收涂层的制备及性能研究 被引量：5

19

作者 崔银芳 尹万里 +2 位作者 王启 孙守建 谢光明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期907-910,共4页

采用直流反应磁控溅射及空气中300℃热处理法在Cu基底上制备Al Cr ON太阳能选择性吸收涂层。对所制备涂层的光谱选择性吸收性能和热稳定性能进行表征,涂层的吸收比和发射比分别为0.921和0.075。结果表明涂层具有较高的光学性能。另外,... 采用直流反应磁控溅射及空气中300℃热处理法在Cu基底上制备Al Cr ON太阳能选择性吸收涂层。对所制备涂层的光谱选择性吸收性能和热稳定性能进行表征,涂层的吸收比和发射比分别为0.921和0.075。结果表明涂层具有较高的光学性能。另外,空气中300℃、100 h热处理后涂层的光学性能几乎不变,表明该涂层适用于平板太阳集热器。 展开更多

关键词 太阳选择性吸收涂层 直流反应磁控溅射法 AlCrON涂层 热稳定性能

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多晶氮化铜薄膜制备及性能研究 被引量：11

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作者 岳光辉 闫鹏勋 刘金良 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期344-348,共5页

采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Sch... 采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变. 展开更多

关键词 多晶氮化铜薄膜 制备方法 热稳定性 电阻率 反应射频磁控溅射法

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