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Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon
被引量:
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作者
廖燕平
邵喜斌
+5 位作者
郜峰利
骆文生
吴渊
付国柱
荆海
马凯
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006年第6期1310-1314,共5页
关键词
多晶硅
受激准分子激光器结晶
结晶
化
界面晶粒生长
原文传递
题名
Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon
被引量:
1
1
作者
廖燕平
邵喜斌
郜峰利
骆文生
吴渊
付国柱
荆海
马凯
机构
Chang Chun Institute of Optics
Graduate School of Chinese Academy of Sciences
Jilin North Cai Jing Digital Electron Limited Corporation
College of Electronic Science and Engineering
出处
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006年第6期1310-1314,共5页
基金
Project supported by the National High Technology Development Program of China (Grant No 2002AA303250) and by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60576056).
关键词
多晶硅
受激准分子激光器结晶
结晶
化
界面晶粒生长
Keywords
polycrystalline silicon, excimer laser crystallization, Ni-disilicide, Ni-metal-induced lateral crystallization, two-interface grain growth
分类号
O7 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon
廖燕平
邵喜斌
郜峰利
骆文生
吴渊
付国柱
荆海
马凯
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006
1
原文传递
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