近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响 被引量：2

1

作者 朱耀明 李永富 +4 位作者 唐恒敬 汪洋 李淘 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期169-173,共5页

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表... 采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。 展开更多

关键词 近红外InGaAs探测器 台面结构 器件性能

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台面结构硅基法珀型光纤MEMS压力传感器的研究 被引量：1

2

作者 陈绪兴 王鸣 +1 位作者 戎华 倪小琦 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期820-823,共4页

提出了一种新的光纤压力传感器的设计,该传感器敏感膜采用了台面结构而非传统的平面结构.用法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉理论阐述了传感器的工作原理,提出了敏感膜的力学模型.基于Fabry-Perot干涉理论推导出光纤MEMS压力传感器中台面... 提出了一种新的光纤压力传感器的设计,该传感器敏感膜采用了台面结构而非传统的平面结构.用法布里-珀罗(Fabry-Perot)干涉理论阐述了传感器的工作原理,提出了敏感膜的力学模型.基于Fabry-Perot干涉理论推导出光纤MEMS压力传感器中台面敏感膜受到的压力与干涉光强的关系表达式,通过ANSYS有限元软件分析了台面膜型的力学性能,结果表明台面敏感膜在平行度上优于平面膜.通过数值模拟分析了传感器的关键参数对其性能的影响,为光纤MEMS压力传感器的加工和制作提供了理论依据. 展开更多

关键词 光电技术 台面结构 F-P干涉 数值模拟 平行度 关键参数

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台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

3

作者 刘兴昉 孙国胜 +7 位作者 李晋闽 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 罗木昌 李家业 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期579-582,共4页

制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离... 制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和层以及p层制备出探测器#2,#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器#2,其次是探测器#4,#1,#3,其中探测器#2比其他类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器#1位于341nm处,探测器#2,#3和#4分别在312,305和297nm处. 展开更多

关键词 4H-SIC 紫外探测器 台面结构 光窗口

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硅台面结构凸角腐蚀原因探析

4

作者 黄庆安 秦明 向涛 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第1期15-16,21,共3页

本文探讨了硅台面结构凸角腐蚀的原因。指出非理想的直角掩膜结构导致了凸角腐蚀,凸角处侧壁由横向腐蚀速率最快的晶面所构成。

关键词 腐蚀 凸角 硅台面结构 金属切削

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TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构 被引量：3

5

作者 任霄峰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第7期526-531,共6页

针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间... 针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸（1英寸=2.54 cm）硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。 展开更多

关键词 四甲基氢氧化铵(TMAH) 湿法腐蚀 微台面结构 凸角 黑点 循环速率 不均匀性

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牵引用3300V平面栅IGBT栅极台面结构研究 被引量：1

6

作者 肖强 梁利晓 +2 位作者 朱利恒 覃荣震 罗海辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第5期715-719,725,共6页

针对机车牵引用3300 V/1500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响。当平面栅IGBT采用栅极台面结构且台面厚度逐渐降低时,器件的静态阻断电压提高,开关损耗降低,但是器件的开关时间增加;此外,... 针对机车牵引用3300 V/1500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响。当平面栅IGBT采用栅极台面结构且台面厚度逐渐降低时,器件的静态阻断电压提高,开关损耗降低,但是器件的开关时间增加;此外,关断时过快的dv/dt会引起栅极电压振荡,开启时过快的di/dt会引起很大的电流过冲,导致器件应用的可靠性降低。在机车牵引的应用环境下,IGBT的栅极结构参数需要从电学参数和可靠性两个方面进行折中设计。 展开更多

关键词 机车牵引 平面栅IGBT 台面结构 可靠性

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深槽台面结构反偏Pn结二维电场分析 被引量：1

7

作者 张安康 邵建新 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1991年第3期52-56,15,共6页

关键词 深槽台面结构 PN结 二维电场

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关于目前我国轨道衡机械台面结构的分析

8

作者 成枫 《衡器》 1997年第2期6-8,共3页

轨道衡作为一种计量器具已经广泛地应用在国内各个行业之中。自80年代中期以来,我国的轨道衡无论在数量上还是在质量上,都有了很大的提高。然而,随着我国经济市场的不断发展,市场对轨道衡产品在如下两方面有了明显的要求:第一。

关键词 轨道衡 机械台面结构

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潜用显控台台面结构造型

9

作者 徐翠华 《七一六所科技学报》 1994年第2期40-43,共4页

关键词 人-机系统 潜用显控台 台面结构 造型 设计

全文增补中

1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器 被引量：2

10

作者 柏劲松 陈高庭 +4 位作者 张云妹 方祖捷 李爱珍 郑燕兰 林春 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期355-357,362,共4页

报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。

关键词 量子阱激光器 台面条形结构 InGaAsSb/AlGaAsSb

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1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器 被引量：2

11

作者 张静媛 刘国利 +4 位作者 朱洪亮 周帆 孙洋 汪孝杰 王圩 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第2期51-53,57,共4页

采用一种自对准压缩台面结构制作高速 1.5 5 μmDFB激光器。激光器的典型阈值为 12mA ,单面斜率效率达 0 .15 7mW /mA ,出光功率大于 2 0mW。由于采用窄条p InP作为电流阻挡层 ,因此激光器的寄生电容可降至 2 .5 pF ,- 3dB调制带宽可达 9.

关键词 自对准压缩台面结构 DFB激光器 高速激光器 多量子阱 局域网

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SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究 被引量：1

12

作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 辛启明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期689-692,共4页

台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,... 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。 展开更多

关键词 SIGE/SI 异质结晶体管 台面结构 干法刻蚀 自中止腐蚀 腐蚀条件

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HgCdTe微台面红外焦平面技术研究

13

作者 朱西安 孙浩 +2 位作者 王成刚 胡小燕 刘明 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期826-828,共3页

文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。

关键词 HGCDTE 微台面结构 干法刻蚀 侧向钝化

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RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量：1

14

作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页

介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。

关键词 器件结构 制造工艺 台面和平面结构 混合集成 空气桥 共振隧穿器件

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一种新型电吸收调制激光器的优化设计 被引量：1

15

作者 孙元新 杨振强 +2 位作者 贾华宇 余洁 李灯熬 《光通信研究》 2023年第2期69-78,共10页

针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋... 针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激光通信的基本要求。 展开更多

关键词 电吸收调制激光器 台面结构 掺铁掩埋技术 调制带宽 远场发散角

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f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管 被引量：1

16

作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期55-59,共5页

叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。

关键词 硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅

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InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制

17

作者 高金环 杨瑞霞 +3 位作者 武一宾 刘岳巍 商耀辉 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期573-575,共3页

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,... 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 峰-谷电流比

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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究

18

作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 高渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期276-279,304,共5页

介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧... 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 展开更多

关键词 SIGE/SI异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺

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InP材料体系RTD的研制

19

作者 高金环 杨瑞霞 +4 位作者 武一宾 贾科进 商耀辉 张磊 杨克武 《电子器件》 CAS 2007年第4期1168-1170,共3页

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为... 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD. 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 PL谱 峰谷电流比

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InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究（英文）

20

作者 李冬雪 王天盟 +3 位作者 沈文忠 张月蘅 李雪 李淘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期641-646,共6页

串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要... 串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关.用模拟的方法定量地计算了In_(0.53) Ga_(0.47)As/InP探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况.结果显示台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要好.明显地发现短波长的光串音较小,正照射的串音比背照射要小,这是由材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响造成的.另外,当台面的刻蚀深度穿透吸收层厚度时,其电串扰几乎完全被抑制.研究结果提出了相应的InGaAs FPA的低串音设计. 展开更多

关键词 In0.53Ga0.47As/InP焦平面阵列 电串音 平面结构 台面结构

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