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硅多次掩膜各向异性腐蚀掩膜版的计算机辅助设计
1
作者 费龙 徐涛 +1 位作者 温志渝 高扬 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期54-56,64,共4页
研究了硅的多次掩膜各向异性腐蚀过程，提出了多次掩膜各向异性腐蚀掩膜版计算机辅助设计的方法。
关键词 各向异性腐蚀 掩膜版 计算机辅助设计 腐蚀深度 各向异性腐蚀技术 几何形状 微结构 腐蚀过程 几何形体 硅各向异性腐蚀
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MEMS研究与发展前景 被引量：9
2
作者 赵晓峰 温殿忠 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2002年第1期64-69,共6页
在阐述ＭＥＭＳ技术的基本概念、意义、传感ＭＥＭＳ的基本模型和国内外研究状况的基础上，重点阐述 ＭＥＭＳ技术的加工工艺及在未来的发展景前景．
关键词 MEMS 微传感器 微执行器 各向异性腐蚀技术 微电子机械加工系统 加工工艺 发展前景
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微腔型传感器的电化学表征及其应用初探
3
作者 贾能勤 朱燕 章宗穰 《上海师范大学学报（自然科学版）》 2002年第1期47-50,共4页
利用微机械加工技术、各向异性腐蚀技术研制了具有三维结构的微腔型传感器 ,微芯片 3× 6mm2 具有三维腔体 腔深 3 0 0μm,铂工作电极 1 .2 1 .2 mm2 ,Ag/ Ag Cl参比 ,工作电极与 Ag/ Ag Cl参比集成在同一微芯片上 .作者对微腔... 利用微机械加工技术、各向异性腐蚀技术研制了具有三维结构的微腔型传感器 ,微芯片 3× 6mm2 具有三维腔体 腔深 3 0 0μm,铂工作电极 1 .2 1 .2 mm2 ,Ag/ Ag Cl参比 ,工作电极与 Ag/ Ag Cl参比集成在同一微芯片上 .作者对微腔型电极进行了电化学特性的表征 ,并测试了微芯片上 Ag/ Ag Cl参比电极的性能 ,考察了微腔型传感器在化学传感器、生物传感器方面的初步应用 ,对 H2 O2 。 展开更多
关键词 微腔型传感器 微机械加工技术 化学传感器 生物传感器 电化学表征 应用 各向异性腐蚀技术
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凸角补偿技术
4
作者 孙洪强 徐宇新（审核） 《导航与控制》 2005年第4期48-49,共2页
凸角补偿技术是在硅微机械加工技术中应运而生的。因为在利用硅各向异性腐蚀技术制备较复杂的微结构时，常常出现图形畸变，较突出的是边缘沿〈110〉方向布置的方形台面出现凸角缺陷，这对传感器的制做及优化设计很不利。为了减少或避... 凸角补偿技术是在硅微机械加工技术中应运而生的。因为在利用硅各向异性腐蚀技术制备较复杂的微结构时，常常出现图形畸变，较突出的是边缘沿〈110〉方向布置的方形台面出现凸角缺陷，这对传感器的制做及优化设计很不利。为了减少或避免凸角被刻饰掉，必须在掩膜凸角处附加一些专门的结构。通常是根据不同的腐蚀液，出现的优先腐蚀面不同而采取不同的掩膜补偿形状。 展开更多
关键词 补偿技术 凸角 硅微机械加工技术 各向异性腐蚀技术 图形畸变 优化设计 微结构 传感器 腐蚀液 膜补偿
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90°顶角中阶梯光栅的研制 被引量：6
5
作者 王琦 郑衍畅 +3 位作者 邱克强 刘正坤 徐向东 付绍军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期34-39,共6页
结合单晶硅各向异性腐蚀和倾斜光刻技术，在14°斜切（110）单晶硅片上成功制作出90。顶角的中阶梯光栅。在1500～1600nm波段对其进行了闪耀级次衍射效率测量，测量结果的趋势与C方法计算结果基本吻合，其中在1500～1550nm波段光栅... 结合单晶硅各向异性腐蚀和倾斜光刻技术，在14°斜切（110）单晶硅片上成功制作出90。顶角的中阶梯光栅。在1500～1600nm波段对其进行了闪耀级次衍射效率测量，测量结果的趋势与C方法计算结果基本吻合，其中在1500～1550nm波段光栅表现出良好的闪耀特性，效率为理论值的52％～75％，峰值约为58％。讨论并计算了制作工艺中的槽深误差对光栅闪耀级次衍射效率的影响。结果表明，在1500～1550nm波段，考虑槽深误差计算所得的理论闪耀级次衍射效率约为完美槽形计算效率的77％～85％。 展开更多
关键词 光栅 中阶梯光栅 单晶硅 各向异性腐蚀技术 光刻技术
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