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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法 被引量：5
1
作者 张海鹏 汪沁 +5 位作者 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 汪洁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期279-282,共4页
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件... 为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求. 展开更多
关键词 ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC
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器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响 被引量：7
2
作者 钟志有 康淮 +1 位作者 陆轴 龙路 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2016年第3期67-72,96,共7页
针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池... 针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能. 展开更多
关键词 聚合物太阳能电池 器件结构 光电场分布
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有机LED器件结构对其内部电场和电荷分布的影响 被引量：10
3
作者 钟志有 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第3期73-78,共6页
利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响... 利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响.结果表明:有机LED内部阴极区与阳极区的电场分布、内界面两侧积累的载流子面密度跟势垒高低、膜层厚薄以及外加电压大小密切相关,各功能层之间的能级匹配和厚度匹配对于器件结构优化和性能改善具有重要作用. 展开更多
关键词 有机LED器件 器件结构 电场 电荷
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器件结构与有机ELD发光效率和寿命 被引量：2
4
作者 李文连 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第3期209-213,共5页
描述了有机 EL器件结构设计与其效率和寿命的关系 ,混合型结构的有机 ELD的效率和寿命要比传统异质结构器件高得多。采用阳极 buffer layer(如 Cu Pc)、阴极 buffer layer(如 Li F)以及向 HTL(空穴传输层 )中的染料掺杂也会明显提高效... 描述了有机 EL器件结构设计与其效率和寿命的关系 ,混合型结构的有机 ELD的效率和寿命要比传统异质结构器件高得多。采用阳极 buffer layer(如 Cu Pc)、阴极 buffer layer(如 Li F)以及向 HTL(空穴传输层 )中的染料掺杂也会明显提高效率并增加寿命。比较了不同阴极接触模式 ,如 Al:Li/Alq3 ,Al/Li F/Alq3 ,Al/Li F:Alq3 /Alq3 及 Al/Li:Alq3 /Alq3 等对器件效率及寿命影响差异。结果表明 ,无论哪种阴极接触模式都会提高器件的效率及寿命 ;而对阳极 buffer layer或引入染料掺杂模式 ,均可以控制或调整空穴的注入 ,阴极 buffer layer是为了增加电子注入 ,两者目的都是为了防止或减少在发光分子 (如 Alq3 )中被称之为“空穴阳离子”(如 [Alq3 ]+ )的不稳定剂的产生。 展开更多
关键词 有机发光二极管 器件结构 稳定性 ELD 发光效率 寿命
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RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量：1
5
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。
关键词 器件结构 制造工艺 台面和平面结构 混合集成 空气桥 共振隧穿器件
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新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析
6
作者 赵智超 吴铁峰 《中国科技信息》 2017年第13期71-72,共2页
SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变So... SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变SolMOSFET器件得到了飞速的发展，在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。 展开更多
关键词 MOSFET器件 应变硅技术 SOI技术 物理模型 器件结构 结构尺寸 晶体器件 沟道掺杂
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器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
7
作者 陈江峰 杨莉 何政 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-25,共3页
在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想... 在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想因子分别为1.12和1.02;峰值响应率分别为0.07 A/W和0.005 A/W,台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦,而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而降低的曲线。这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。 展开更多
关键词 器件结构 肖特基探测器 铝镓氮
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FinFET器件结构发展综述 被引量：3
8
作者 熊倩 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2021年第1期21-27,共7页
随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以... 随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。 展开更多
关键词 场效应晶体管 FINFET 器件结构 工艺
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器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
9
作者 陈江峰 杨莉 何政 《电光系统》 2007年第3期62-64,共3页
在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV... 在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV，理想因子分别为1．12和1．02；峰值响应率分别为0．07A／W和0．005A／W，台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦，而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而减低的曲线。产生这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。 展开更多
关键词 器件结构 肖特基探测器 铝镓氮
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ULSI的新器件结构和工艺研究
10
《应用科技》 CAS 2009年第4期73-73,共1页
本项目属于超大规模集成电路基础科学与技术研究领域，主要研究了适用于系统芯片（SoC）的纳米尺度CMOS集成电路以及大微电子集成系统（SoG）新器件结构和童艺技术。本项目以科技源头创新为宗旨，以形成具有我国自主知识产权的集成电路... 本项目属于超大规模集成电路基础科学与技术研究领域，主要研究了适用于系统芯片（SoC）的纳米尺度CMOS集成电路以及大微电子集成系统（SoG）新器件结构和童艺技术。本项目以科技源头创新为宗旨，以形成具有我国自主知识产权的集成电路核心技术为最终目标，在国际上率先提出了多种新型的集成电路器件结构和相关的制作技术，并从理论和实验两方面验证了所提出的思想的可行性和实用性。主要内容有：提出并在工艺上首次实现了可分离平面双栅的自对准技术并在实验和理论上研究了其在高速低功耗集成电路上的应用潜力； 展开更多
关键词 器件结构 CMOS集成电路 ULSI 工艺 科学与技术 超大规模集成 自主知识产权 集成系统
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东芝新器件结构问世,可显著提高SiC MOSFET的性能
11
作者 无 《变频器世界》 2021年第7期34-35,共2页
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过... 目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管[1]时,晶体缺陷会扩大,这会增加导通电阻并降低器件可靠性。 展开更多
关键词 功率MOSFET 器件可靠性 导通电阻 碳化硅器件 器件结构 漏极 功率器件 源极
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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析
12
作者 刘宗贺 《集成电路应用》 2011年第8期22-23,共2页
垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高... 垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。 展开更多
关键词 频率特性 VDMOS 器件结构 优化 功率集成电路 电机调速 开关电源 高输入阻抗
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聚苯胺红外电致变色器件研究进展
13
作者 陈渊泽 牛春晖 +3 位作者 王雷 杨明庆 张世玉 吕勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期249-258,共10页
电致变色是材料反射、吸收等光学性质在外加电场驱动下发生稳定、可逆变化的现象,在不同波段可表现为颜色、红外发射率等变化。红外电致变色器件(IR-ECDs)能够动态调节物体的红外光学特性,在自适应伪装、热管理等应用中受到广泛关注。... 电致变色是材料反射、吸收等光学性质在外加电场驱动下发生稳定、可逆变化的现象,在不同波段可表现为颜色、红外发射率等变化。红外电致变色器件(IR-ECDs)能够动态调节物体的红外光学特性,在自适应伪装、热管理等应用中受到广泛关注。作为最有代表性的有机电致变色材料,聚苯胺(PANI)制备方法简单,电化学性能优异,在多波段电致变色领域有着巨大的潜在应用价值。本文从电致变色器件结构出发,介绍了从可见电致变色到红外电致变色的原理和器件结构的演变,对近年来增强聚苯胺红外电致变色器件性能的策略和最新进展进行了归纳和分析,讨论了其多功能化应用的拓展方向,最后对所面临的挑战与未来的发展方向进行了总结与展望,为今后发展优异性能的IR-ECDs提供了参考,希望能够对本领域研究者有所启发,促进电致变色领域的发展。 展开更多
关键词 聚苯胺 红外 电致变色 器件结构 多功能
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直接型卤素钙钛矿X射线探测器结构设计研究进展
14
作者 韩继光 柴英俊 李晓明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期25-43,共19页
X射线探测技术在医疗诊断、安防检测和科学研究等领域有着广泛的应用,直接型X射线探测器拥有更高的理论探测效率、空间和能量分辨率,受到了国内外的广泛关注。钙钛矿材料因其X射线衰减系数大、体电阻率高、光学带隙合适以及易大面积制... X射线探测技术在医疗诊断、安防检测和科学研究等领域有着广泛的应用,直接型X射线探测器拥有更高的理论探测效率、空间和能量分辨率,受到了国内外的广泛关注。钙钛矿材料因其X射线衰减系数大、体电阻率高、光学带隙合适以及易大面积制造等优势,成为直接型X射线探测器的理想材料。随着对探测性能的需求的不断提高,合理的器件结构设计显得尤为重要。本文从电极工程和能带工程两个方面出发,综述了有关直接型钙钛矿X射线探测器器件结构设计的最新进展。最后,我们对这些研究进展进行了总结,并对未来的发展进行了展望。我们希望这篇综述能为研究者们提供参考和启发。 展开更多
关键词 钙钛矿X射线探测器 器件结构 电极工程 能带工程 异质结
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GaN垂直结构器件结终端设计
15
作者 徐嘉悦 王茂俊 +3 位作者 魏进 解冰 郝一龙 沈波 《电子与封装》 2023年第1期40-51,共12页
得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在... 得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在中高压领域的应用。在垂直器件中,一个重要的设计是利用结终端来扩展器件内部电场的分布,减轻或消除结边缘的电场集聚效应,防止功率器件的过早击穿。结合GaN垂直结构肖特基二极管(SBD)以及PN结二极管(PND),回顾了常用的结终端设计方法和工艺技术,对各自的优缺点进行了总结。此外,GaN的材料性能与传统硅(Si)以及碳化硅(SiC)材料存在较大差异,讨论了其对结终端设计和制备的影响。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氮化镓 垂直结构器件 二极管 结终端
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一种新的半导体材料和器件结构:COS
16
作者 阎志军 王迅 《物理》 CAS 北大核心 2002年第11期702-707,共6页
国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长... 国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 . 展开更多
关键词 半导体材料 器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管 硅基集成 半导体器件
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有机量子阱结构发光器件的研究进展
17
作者 朱海娜 徐征 +2 位作者 赵谡玲 张福俊 高利岩 《现代显示》 2010年第1期25-27,47,共4页
有机电致发光器件自从C.W.Tang等发表了高效、高亮度双层结构器件以来,因其工艺简单、成本低、直流低压驱动,并且可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点[1-4]。Forrest等人提出的有机多层量子阱结构的概念应用到了有机电... 有机电致发光器件自从C.W.Tang等发表了高效、高亮度双层结构器件以来,因其工艺简单、成本低、直流低压驱动,并且可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点[1-4]。Forrest等人提出的有机多层量子阱结构的概念应用到了有机电致发光器件(OLEDs)中,进而提高了有机电致发光器件的性能,引起了学者们的研究热情。文章将这种结构器件的研究情况给予综述,从结构的应用、工作原理、优缺点和应用前景方面予以展望。 展开更多
关键词 阱结构器件 有机电致发光 器件结构 光谱窄化
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一种结构调整后的DSOI器件 被引量：5
18
作者 江波 何平 +1 位作者 田立林 林羲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期966-971,共6页
提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明... 提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能 . 展开更多
关键词 SOI DSOI MOSFET 器件结构 模拟
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基于UV-LIGA技术制造微结构器件试验研究 被引量：11
19
作者 明平美 朱荻 +1 位作者 胡洋洋 曾永彬 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第21期2216-2220,共5页
试验研究了UV-LIGA各工艺环节(包括前后烘、曝光、显影、去胶、电铸等)对金属基片上制造金属微结构器件质量的影响,并组合优化了操作条件和工艺参数。试验结果表明:采用优化后的UV-LIGA工艺条件,制造出的金属微结构器件(如微齿轮、微流... 试验研究了UV-LIGA各工艺环节(包括前后烘、曝光、显影、去胶、电铸等)对金属基片上制造金属微结构器件质量的影响,并组合优化了操作条件和工艺参数。试验结果表明:采用优化后的UV-LIGA工艺条件,制造出的金属微结构器件(如微齿轮、微流道)轮廓清晰,表面质量好,无明显缺陷,与基底结合良好。 展开更多
关键词 UV—LIGA 微结构器件 SU-8胶 光刻 微细电铸
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毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 被引量：1
20
作者 张效玮 贾科进 +3 位作者 房玉龙 敦少博 冯志红 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期634-637,641,共5页
由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分... 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。 展开更多
关键词 镓氮高电子迁移率晶体管 器件材料结构 短沟道效应 源漏导通电阻 毫米波
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