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基于肖特基变容二极管和改进型CSMRs滤波器单级340 GHz四倍频器 被引量：1
1
作者 蒋均 刘杰 +4 位作者 石向阳 陆彬 邓贤进 郝海龙 张健 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期214-219,共6页
在四倍频器设计中首先对二极管进行I-V曲线、C-V曲线、等离子振荡和趋肤效应等进行计算,完成肖特基二极管电路建模;通过谐波和三维电磁仿真工具优化电路中各次谐波最佳阻抗值;通过引入改进紧凑型悬置微带线震荡器(Compact Suspended Mic... 在四倍频器设计中首先对二极管进行I-V曲线、C-V曲线、等离子振荡和趋肤效应等进行计算,完成肖特基二极管电路建模;通过谐波和三维电磁仿真工具优化电路中各次谐波最佳阻抗值;通过引入改进紧凑型悬置微带线震荡器(Compact Suspended Microstrip Resonators(CSMRs))滤波器,成功将二次和三次谐波短路,同时减小长宽比,满足装配条件。实验表明,四倍频在334~346 GHz频段内输出功率均大于1 mW,最大输出4 mW,当驱动功率为100 mW时,最高效率可达3%。 展开更多
关键词 太赫兹四倍频器 肖特基二极管 紧凑型 悬置微带震荡器
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宽带毫米波四倍频器 被引量：2
2
作者 王抗旱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期228-230,共3页
对毫米波宽带四倍频器的设计方法并进行了理论分析及计算仿真。介绍了利用平衡式结构对奇次谐波进行抑制,从而实现宽带偶次倍频的原理,提出了选择肖特基二极管的原则。利用HFSS仿真和优化电路结构,采用微带线鳍线结构实现了宽频带的毫... 对毫米波宽带四倍频器的设计方法并进行了理论分析及计算仿真。介绍了利用平衡式结构对奇次谐波进行抑制,从而实现宽带偶次倍频的原理,提出了选择肖特基二极管的原则。利用HFSS仿真和优化电路结构,采用微带线鳍线结构实现了宽频带的毫米波二倍频器。在此基础上,采用两级倍频的方式实现了宽带毫米波四倍频器。设计的Ka波段毫米波四倍频器输入频率6.625～10 GHz,输入功率为10 dBm时,在26.5～40 GHz频率范围内,输出功率大于10 dBm,对三次和五次谐波的抑制大于20 dBc。 展开更多
关键词 毫米波 宽带 四倍频器 电导性器件 鳍线
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Ka波段宽带四倍频器的研制 被引量：5
3
作者 彭文峰 《电子工程师》 2003年第12期56-59,共4页
介绍了一种Ka波段宽带四倍频器的研制方法。为了实现宽带、低插入损耗的要求,该倍频组件采用二倍频器-放大器-二倍频器的结构,即在两级倍频器之间插入一级宽带驱动放大器,而Ku波段和Ka波段的二倍频器分别采用了结构新颖的平面耦合微带... 介绍了一种Ka波段宽带四倍频器的研制方法。为了实现宽带、低插入损耗的要求,该倍频组件采用二倍频器-放大器-二倍频器的结构,即在两级倍频器之间插入一级宽带驱动放大器,而Ku波段和Ka波段的二倍频器分别采用了结构新颖的平面耦合微带线巴伦倍频器和平面毫米波倍频器。 展开更多
关键词 KA波段 宽带四倍频器 平面耦合微带线巴伦倍频器 平面毫米波倍频器
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低损耗四倍频器的CAD
4
作者 甘新华 刘景顺 《无线电通信技术》 北大核心 1995年第6期44-48,共5页
本文研究由单栅GaAsFET构成的工作在15GHz频段的四倍频器,利用HP公司Libra软件对其进行了谐波平衡分析和优化设计,同时给出了实验结果,与理论计算相一致,本电路具有损耗低,工作稳定,体积小等优点。
关键词 四倍频器 谐波平衡 CAD
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基于0.13μm SiGe工艺的48~68GHz四倍频器
5
作者 赵振 杨浩然 +2 位作者 唐人杰 王卡楠 桂小琰 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第5期868-872,共5页
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种应用于高速光通信的全集成注入锁定四倍频器芯片。该设计包括单端转差分放大器、注入锁定二倍频器(ILFD)以及分频器(Divider-by-2)。测试结果表明,该四倍频器的输出锁定范围达到了48~68 G... 采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种应用于高速光通信的全集成注入锁定四倍频器芯片。该设计包括单端转差分放大器、注入锁定二倍频器(ILFD)以及分频器(Divider-by-2)。测试结果表明,该四倍频器的输出锁定范围达到了48~68 GHz,输出锁定在65 GHz时的谐波抑制比为36 dBc。芯片核心面积为0.36 mm^(2),在3.3 V供电电压下,核心功耗为247 mW。该设计可以满足下一代超高速光电互联芯片对高速时钟的应用需求。 展开更多
关键词 注入锁定 倍频器 四倍频器 锁定范围
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用于毫米波雷达频率源的四倍频器设计
6
作者 王梓任 杨煜 +3 位作者 黄宇欣 沈啸伟 陈奇超 高海军 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2024年第2期14-22,42,共10页
基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计了一款面向毫米波FMCW雷达频率源的四倍频器。该四倍频器由相同拓扑结构的二倍频级联构成,二倍频核心采用Push-Push结构实现,采用磁耦合谐振器(MCR)实现输入阻抗匹配,同时实现单端转差分和抑制谐波的功能;... 基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计了一款面向毫米波FMCW雷达频率源的四倍频器。该四倍频器由相同拓扑结构的二倍频级联构成,二倍频核心采用Push-Push结构实现,采用磁耦合谐振器(MCR)实现输入阻抗匹配,同时实现单端转差分和抑制谐波的功能;论文同时提出了一种谐波抑制结构,运用带通结构结合MCR完成级间匹配和输出功率匹配,满足抑制谐波和较高输出功率的要求。设计结果表明,在60~64 GHz输出频率内,四倍频器饱和输出功率为2.2 dBm,谐波抑制度大于35 dBc,直流功耗59 mW。该四倍频器在满足宽倍频器程的前提下,具有高谐波抑制度和高输出功率的特点,可用于毫米波雷达系统中的频率源产生电路。 展开更多
关键词 MCR 四倍频器 CMOS工艺 谐波抑制 毫米波 频率源
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一款低附加相位噪声X波段四倍频MMIC的设计 被引量：1
7
作者 方园 吴洪江 吴永辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期106-109,153,共5页
基于GaAs异质结双极性晶体管（HBT）工艺设计了一款输出频率为8~10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制。基于GaAs HBT工艺优良... 基于GaAs异质结双极性晶体管（HBT）工艺设计了一款输出频率为8~10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制。基于GaAs HBT工艺优良的闪烁噪声（1/f）特性,优化了对管平衡电路拓扑和工作点的选取,达到低附加相位噪声的设计目标。对MMIC进行了在片微波探针测试,测试结果表明,当输入功率为-10 dBm时,在8~10 GHz输出频率内变频增益大于13 dB,二次谐波抑制大于18 dBc,其余各次抑制优于27 dBc。电路采用单电源5 V供电,工作电流为55 mA,芯片面积仅为1.3 mm×1.1 mm。介绍了附加相位噪声及其对频率源系统的影响,并分析了正交鉴相法测量相位噪声的原理,所设计的MMIC在输出频率为9 GHz、频偏100 kHz时附加相位噪声达到-143 dBc/Hz。 展开更多
关键词 GaAs异质结双极性晶体管(HBT) X波段 四倍频器 附加相位噪声 单片微波集成电路(MMIC)
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应用于太赫兹源信号实现的宽带四倍频链路设计
8
作者 李世元 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1009-1013,共5页
由于集成电路工艺截止频率Ft的限制,直接通过振荡器获取的太赫兹信号源具有输出功率低、带宽较窄等问题。针对该问题,提出一种可实现高性能太赫兹源的宽带倍频链路设计。对比了传统push-push技术与改进的跨导增强push-push技术,并提出... 由于集成电路工艺截止频率Ft的限制,直接通过振荡器获取的太赫兹信号源具有输出功率低、带宽较窄等问题。针对该问题,提出一种可实现高性能太赫兹源的宽带倍频链路设计。对比了传统push-push技术与改进的跨导增强push-push技术,并提出将跨导增强push-push技术运用到倍频器中,提高了倍频链路的倍频增益;在链路级间采用具有幅度与相位纠正功能的新型有源巴伦结构,进一步提高了倍频器的倍频增益与谐波抑制性能。仿真结果表明,倍频链路可实现带宽为210~256 GHz,饱和输出功率为-0.5 dBm,峰值倍频增益为-0.55 dB的太赫兹信号源,链路的总直流功耗仅为30.6 mW。 展开更多
关键词 高倍频增益 高输出功率 四倍频器 太赫兹源 信号产生
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330 GHz集成化T/R组件的设计与实现
9
作者 凌清岚 姚常飞 张炎 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期79-84,共6页
针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号... 针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号的低噪声接收。该组件采用收发一体化、单级四次倍频的设计思想,通过简化电路拓扑结构实现高集成度、高输出功率的指标要求。所设计的收发组件整体尺寸为65 mm×38 mm×19 mm。实测后得出该收发组件在329 GHz~341 GHz频率范围内,倍频发射功率为2 mW~5 mW,接收机变频损耗为11 dB~13 dB,模块功耗为10.38 W。该组件具备良好的射频性能,并成功应用于某机载雷达系统中。 展开更多
关键词 太赫兹 收发组件 集成化 四倍频器 混频器
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