Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长 被引量：3

1

作者 胡冬枝 赵登涛 +4 位作者 蒋伟荣 施斌 顾骁骁 张翔九 蒋最敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期604-608,共5页

研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底... 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1) 展开更多

关键词 外延生长 量子点 固相外延 锗 硅斜切衬底

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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 被引量：3

2

作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期862-866,共5页

分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统... 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 . 展开更多

关键词 Si1-x-yGexCy材料 固相外延 三元系 半导体材料

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利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性 被引量：2

3

作者 刘忠立 和致经 +2 位作者 于芳 张永刚 郁元桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期433-436,共4页

ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／Ｓ... ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果． 展开更多

关键词 CMOS/SOS器件 SOI系统 固相外延技术

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Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2 被引量：1

4

作者 屈新萍 徐蓓蕾 +4 位作者 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期63-67,共5页

采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经... 采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 . 展开更多

关键词 固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导

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Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性

5

作者 于卓 余金中 +4 位作者 成步文 雷震霖 李代宗 王启明 梁骏吾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期60-64,共5页

采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔ．％的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析．采用多重离子注入的方法，并利用ＳｉＯ２做缓冲层，能够获得满意的Ｃ离子分布．小束流、长时间的... 采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔ．％的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析．采用多重离子注入的方法，并利用ＳｉＯ２做缓冲层，能够获得满意的Ｃ离子分布．小束流、长时间的注入方法能避免β－ＳｉＣ相的出现，最大限度地抑制动态退火效应．对Ｓｉ衬底进行非晶化预处理能显著提高代位Ｃ原子的比例．两步退火过程能有效地减少注入前沿的点缺陷。 展开更多

关键词 硅碳合金 半导体 离子注入 固相外延 晶体质量

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镍增进无定形硅低温固相外延生长

6

作者 曹德新 朱德彰 +1 位作者 朱福英 曹建清 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期79-82,共4页

离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，... 离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。 展开更多

关键词 固相外延生长 镍注入 无定形层 半导体

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Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长

7

作者 徐文婷 肖清华 +1 位作者 常青 屠海令 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第12期797-801,共5页

采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质... 采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响。结果表明,低能条件下(30keV)离子注入有利于形成SiGe外延层;通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成;而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫。 展开更多

关键词 SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷

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固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究 被引量：1

8

作者 房华 李炳宗 +7 位作者 吴卫军 邵凯 姜国宝 顾志光 黄维宁 刘平 周祖尧 朱剑豪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期305-312,共8页

通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入... 通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级，并表现出优良的击穿特性． 展开更多

关键词 CoSi薄膜 固相外延生长 n+p结 半导体材料

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横向固相外延生长及其影响因素的研究 被引量：1

9

作者 罗南林 杨春晖 刘百勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期51-53,共3页

对非超高真空条件下在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。

关键词 固相外延 绝缘层上硅单晶 溅射 二氧化硅

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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

10

作者 王小兵 朱福英 +2 位作者 潘浩昌 曹德新 朱德彰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第8期471-475,共5页

用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．

关键词 离子注入 固相外延 反射率 硅

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用横向固相外延在低温下形成SOI结构

11

作者 M.Miyao 蔡永才 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期78-83,共6页

本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产... 本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产生的各种影响。结果表明,在绝缘区上可获得一个相当大的L-SPE区域,这个区域从引晶区开始可向外延伸14μm。通过使用μ-拉曼能谱分析和场效应晶体管的制作研究了L-SPE层的晶体质量和电特性。其应力场(2.5×10~9达因/cm^2)和高电子迁移率(720cm^2/Vs)可与体硅相比。 展开更多

关键词 SOI结构 固相外延 低温

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在SrTiO3和MgO衬底上固相外延生长Pb（Zr,Ti）O3薄膜

12

作者 青春 《电子材料快报》 1995年第8期6-7,共2页

关键词 SRTIO3 MGO 固相外延生长 铁电薄膜

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P_2^+和P^+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究 被引量：1

13

作者 方子韦 林成鲁 +3 位作者 杨根庆 李晓勤 邹世昌 R.G.ELLIMAN 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期1128-1134,共7页

本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10^(14)/cm^2P_2^+ 和90KeV,2×10^(14)/cm^2P^+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P_2^+,P^+注入硅样品的固... 本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10^(14)/cm^2P_2^+ 和90KeV,2×10^(14)/cm^2P^+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P_2^+,P^+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P_2^+和P^+在硅中引入不同的损伤造成的。P^+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。 展开更多

关键词 硅 固相外延过程 时间分辨 反射率

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离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜

14

作者 刘雪芹 王印月 +3 位作者 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期2340-2343,共4页

用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)... 用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。 展开更多

关键词 半导体薄膜 Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延 制备工艺 PECVD 硅锗碳三元合金薄膜

原文传递

Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜

15

作者 徐蓓蕾 屈新萍 +5 位作者 韩永召 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期149-154,共6页

研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。... 研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2 展开更多

关键词 金属硅化物 固相外延 扩散阻挡层 晶格失配 Co/Ti/Si结构 钴钛硅化合物

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Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi_2过程实验研究 被引量：2

16

作者 吴卫军 李炳宗 +1 位作者 邵凯 房华 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第4期403-408,共6页

ＣｏＳｉ２是近年来被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料．采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构．通过ＸＲＤ、ＡＥＳ、ＲＢＳ、四探针仪等测试，研究ＣｏＳｉ... ＣｏＳｉ２是近年来被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料．采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构．通过ＸＲＤ、ＡＥＳ、ＲＢＳ、四探针仪等测试，研究ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在此过程中的重要作用． 展开更多

关键词 固相反应 固相外延 硅化钴 半导体 薄膜 VLSI

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超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性 被引量：6

17

作者 屈新萍 茹国平 +1 位作者 徐蓓蕾 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期473-479,共7页

研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K... 研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 。 展开更多

关键词 硅化硅 肖特基势垒 固相外延 超薄 接触

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改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性

18

作者 刘忠立 李宁 +1 位作者 高见头 于芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1406-1411,共6页

利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS... 利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平. 展开更多

关键词 固相外延 改性 SOS薄硅膜 CMOS器件

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退火条件对Sn量子点生长和红外光学性质的影响

19

作者 赵希磊 梁勇 +2 位作者 张忠锁 黄高鹏 王科范 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第14期19-21,36,共4页

首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的... 首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的升高和退火时间的延长,量子点的平均尺寸变大,面密度减小。XRD结果显示,外延得到的Sn量子点为四方结构的β-Sn,与衬底的相对取向为Sn(110)//Si(001)。由于β-Sn量子点的尺寸仍较大,同步辐射FTIR谱中没有观察到量子点的特征吸收峰。 展开更多

关键词 Sn量子点 固相外延 同步辐射红外光谱

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铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究

20

作者 万亚 李岱青 +3 位作者 章蓓 陈孔军 徐天冰 朱沛然 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期316-319,共4页

研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在品体非晶界面们析，但当用偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止... 研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在品体非晶界面们析，但当用偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止，剩余损伤层变为多晶结构。在３５０ｋｅｖ的高剂量注入下，再结晶区域内的最大掺杂浓度随退人温度的增加而降低，但对１５０ｋｅｖ的低剂量注入，观察到８５０℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。 展开更多

关键词 铒 离子注入 固相外延结晶 掺杂浓度 硅 结晶

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