该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring,FGR)终端的...该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring,FGR)终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性,能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm2的最小比导通电阻值,接近于理论值(2.4 mΩ·cm2),并且具有优秀的反向阻断特性,获得了最高1.75 k V的阻断电压(达到了95%的理论值)和83%的器件良率,从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录(U22B/Ron_sp=1 225 MW/cm)。展开更多
基金The National High Technology Research and Development of China 863 Program(2014AA041402)Scientific Funds for Outstanding Young Scientists of China(51225701)~~
文摘该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring,FGR)终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性,能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm2的最小比导通电阻值,接近于理论值(2.4 mΩ·cm2),并且具有优秀的反向阻断特性,获得了最高1.75 k V的阻断电压(达到了95%的理论值)和83%的器件良率,从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录(U22B/Ron_sp=1 225 MW/cm)。
