SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量：9

1

作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多

关键词 HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅

下载PDF 职称材料

SiGe HBT基区渡越时间模型 被引量：11

2

作者 林大松 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期456-461,共6页

建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起... 建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 . 展开更多

关键词 异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型

下载PDF 职称材料

SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型 被引量：7

3

作者 戴显英 吕懿 +3 位作者 张鹤鸣 何林 胡永贵 胡辉勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期86-89,共4页

　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,... 　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响。 展开更多

关键词 SiGe-HBT 大电流密度 基区渡越时间模型 载流子浓度分布 迁移率 锗化硅

下载PDF 职称材料

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 被引量：4

4

作者 苏文勇 李蕊 邵彬 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期522-525,共4页

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 展开更多

关键词 SIGE异质结双极晶体管 基区渡越时间 Ge分布

下载PDF 职称材料

SiGe HBT基区渡越时间研究 被引量：1

5

作者 戴广豪 王生荣 +2 位作者 李文杰 李竞春 杨谟华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期608-610,614,共4页

对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组... 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。 展开更多

关键词 SIGE HBT 基区渡越时间 速度饱和

下载PDF 职称材料

超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型 被引量：2

6

作者 蔡瑞仁 李垚 刘嵘侃 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期618-621,共4页

通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模... 通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模型与漂移扩散模型计算的截止频率,利用器件模拟软件ATLAS进行了模拟,结果与能量传输模型计算结果吻合。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管 超薄基区 能量传输模型 基区渡越时间 速度饱和效应

下载PDF 职称材料

基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响 被引量：1

7

作者 张万荣 李志国 +3 位作者 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期5-7,共3页

由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的... 由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性。 展开更多

关键词 异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 硅 锗化硅 HBT

下载PDF 职称材料

基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型

8

作者 高树钦 李壵 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期168-171,共4页

提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者... 提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者的差别不能再忽略. 展开更多

关键词 电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管 基区渡越时间

下载PDF 职称材料

电子温度对SiGe HBT基区渡越时间的影响

9

作者 李蕊 杨双健 +2 位作者 王宗满 彭波 陈海俊 《重庆工学院学报（自然科学版）》 2009年第12期176-178,共3页

讨论了采用能量传输模型时的SiGe HBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响.计算结果表明:基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影... 讨论了采用能量传输模型时的SiGe HBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响.计算结果表明:基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大.考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略. 展开更多

关键词 SIGE HBT 电子温度 基区渡越时间

下载PDF 职称材料

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

10

作者 李蕊 《重庆工学院学报》 2007年第15期133-135,共3页

在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系.结果表明:大电流密度下的势垒效应会增大基区渡越时间,基区Ge的不均匀分布并不能完全起到减小基区渡越时间的作用.

关键词 SIGE HBT 基区渡越时间 势垒效应

下载PDF 职称材料

Si1－ZGeZ基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响

11

作者 张万荣 曾峥 +1 位作者 罗晋生 西安交通大学 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期21-25,共5页

在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场．文中研究了这些电场对基区渡越时间的影响．研究结果表明... 在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场．文中研究了这些电场对基区渡越时间的影响．研究结果表明，随基区发射极侧杂质浓度的不同，因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的４０％～８０％．同时还发现，选用无阻滞电场产生的基区杂质分布，采用大的Ｇｅ组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应。 展开更多

关键词 双极晶体管 HBT 基区渡越时间 基区杂质 锗

下载PDF 职称材料

线性缓变SiGe　HBT低温基区滚越时间的研究 被引量：1

12

作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期201-204,共4页

提出了线性缓交ＳＩＧｅＨＢＴ的基区滚越时间τｂ的解析模型，基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现，τｂ随温度的降低而迅速减小，虽然大的基区Ｇｅ组份级变有利于τｂ的减少，但对小的基区缓变的ＨＢＴ，通过降低温度... 提出了线性缓交ＳＩＧｅＨＢＴ的基区滚越时间τｂ的解析模型，基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现，τｂ随温度的降低而迅速减小，虽然大的基区Ｇｅ组份级变有利于τｂ的减少，但对小的基区缓变的ＨＢＴ，通过降低温度，也能使τｂ有较大的减小，改善其频率特性。 展开更多

关键词 异质结 双极晶体管 基区渡越时间 应变层

下载PDF 职称材料

双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)

13

作者 张倩 张玉明 张义门 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期771-778,共8页

基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表... 基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变. 展开更多

关键词 4H—SiC 双极晶体管 基区自建电场 基区渡越时间

下载PDF 职称材料

石墨烯“打底”我科学家制备出高速晶体管

14

《云南电力技术》 2019年第S02期9-9,共1页

1947年,第一个双极结型晶体管(BJT)诞生于贝尔实验室,引领了人类社会进入信息技术的新时代。过去的几十年里,提高BJT的工作频率一直是人们不懈的追求,异质结双极型晶体管(HBT)和热电子晶体管(HET)等高速器件相继被研究报道。然而,当需... 1947年,第一个双极结型晶体管(BJT)诞生于贝尔实验室,引领了人类社会进入信息技术的新时代。过去的几十年里,提高BJT的工作频率一直是人们不懈的追求,异质结双极型晶体管(HBT)和热电子晶体管(HET)等高速器件相继被研究报道。然而,当需要进一步提高频率时,这些器件便遭遇到瓶颈:HBT的截止频率最终被基区渡越时间所限制,而HET则受限于无孔、低阻的超薄金属基区的制备难题。 展开更多

关键词 热电子晶体管 截止频率 双极结型晶体管 基区渡越时间 BJT 高速器件 贝尔实验室 石墨烯

下载PDF 职称材料

晶体管、MOS器件

15

《电子科技文摘》 2001年第12期19-21,共3页

Y2001-62909-147 0120497功率管理用的 MOSFET 先进封装技术=Advancedpackaging technologies in MOSFETs for power manage-ment[会,英]/Tsui,A.& Sarkis,J.//2000 IEEE 50thElectronic Components & Technology Conference.—... Y2001-62909-147 0120497功率管理用的 MOSFET 先进封装技术=Advancedpackaging technologies in MOSFETs for power manage-ment[会,英]/Tsui,A.& Sarkis,J.//2000 IEEE 50thElectronic Components & Technology Conference.—147～150(PC) 展开更多

关键词 金属肖特基势垒场效应晶体管 研究与进展 器件 热载流子效应 固体电子学 基区渡越时间 电流密度 本征元件 电子科技大学学报 等效电路模型

原文传递