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带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
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作者 金智 杨树人 +3 位作者 安海岩 马春生 王本忠 刘式墉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期882-887,共6页
本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处... 本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放.从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来.而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义. 展开更多
关键词 应变外延 外延生长 应变盖层 稳定性
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非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
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作者 金智 杨树人 +3 位作者 王本忠 孙洪波 安海岩 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第1期67-70,共4页
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛... 利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多。 展开更多
关键词 失配位错 应变盖层 应变外延层结构 半导体
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HRXRD研究退火时间对Mg掺杂P型GaN薄膜应变状态的影响 被引量:3
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作者 宁宁 熊杰 周勋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期242-245,共4页
采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应变的影响。研究发现应变状态随退火时间变化而发生改变。退火前水平方向为压应变。在小于最佳退火时... 采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应变的影响。研究发现应变状态随退火时间变化而发生改变。退火前水平方向为压应变。在小于最佳退火时间(15min)的时间范围内进行退火时,由于受杂质Mg在退火过程中热扩散、替位行为引起的晶格畸变以及受主中心与价带之间的电子跃迁引起的电子效应等多种因素的影响,水平应变状态由压应变向张应变转变且随时间增加应变逐渐增强。退火时间增至30min时,由于N空位增多和复合体MgGa-VN的形成以及热应力等因素的多重影响,应变状态转变为压应变。 展开更多
关键词 低压金属有机化学气相外延 高分辨X射线衍射 P型GaN外延薄膜 外延应变
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超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究
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作者 卢焕明 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期61-65,共5页
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,... 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 。 展开更多
关键词 双晶X射线衍射 应变外延 CVD 超高真空
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功能氧化物薄膜界面结构的理论探索
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作者 黄仁忠 刘丽丽 +3 位作者 魏媛媛 高天附 封文江 李雪 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第6期481-485,共5页
最新的电子结构计算和现代合成技术的融合在搜索和发现氧化物薄膜和异质结构的新功能中是不可缺少的。理论计算能在薄膜合成之前精确预测其结构和性能,从而指导科研人员寻找具有特定目标功能的氧化物材料。理论研究能分离和解耦实验中... 最新的电子结构计算和现代合成技术的融合在搜索和发现氧化物薄膜和异质结构的新功能中是不可缺少的。理论计算能在薄膜合成之前精确预测其结构和性能,从而指导科研人员寻找具有特定目标功能的氧化物材料。理论研究能分离和解耦实验中不可避免的同时出现的各种参数如外延应变、界面化学和缺陷分布的影响,它们能够提供对材料新性能的物理机制的理解。回顾了电子结构计算在预测和发现钙钛矿氧化物新材料界面结构及性能方面的最新进展,探讨了当前理论研究中存在的一些问题,期待这些问题的提出及解决能加深对界面诱导的材料性能的理解。 展开更多
关键词 钙钛矿氧化物 薄膜 电子结构计算 外延应变
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Microstructure and superhardness effect of VC/TiC superlattice films 被引量:1
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作者 董学超 岳建岭 +2 位作者 王恩青 李淼磊 李戈扬 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期2581-2586,共6页
Vanadium carbide/titanium carbide (VC/TiC) superlattice films were synthesized by magnetron sputtering method. The effects of modulation period on the microstructure evolution and mechanical properties were investig... Vanadium carbide/titanium carbide (VC/TiC) superlattice films were synthesized by magnetron sputtering method. The effects of modulation period on the microstructure evolution and mechanical properties were investigated by EDXA, XRD, HRTEM and nano-indentation. The results reveal that the VC/TiC superlattice films form an epitaxial structure when their modulation period is less than a critical value, accompanied with a remarkable increase in hardness. Further increasing the modulation period, the hardness of superlattices decreases slowly to the rule-of-mixture value due to the destruction of epitaxial structures. The XRD results reveal that three-directional strains are generated in superlattices when the epitaxial structure is formed, which may change the modulus of constituent layers. This may explain the remarkable hardness enhancement of VC/TiC superlattices. 展开更多
关键词 superlattice films carbide films microstructure evolution superhardness effect epitaxial growth
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第二代硅技术新浪潮
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作者 刘素英 《科技信息(吉林)》 1995年第4期10-12,共3页
近10年来,微电子产业获得巨大发展,而且,今后会有更大发展前景——在跨世纪时代将成为支持新产业的中流砥柱。要维持微电子产业的发展,必须保证半导体材料中性能优异的金属材料的长期而稳定供给。20年来.硅在半导体电子学材料中占主导地... 近10年来,微电子产业获得巨大发展,而且,今后会有更大发展前景——在跨世纪时代将成为支持新产业的中流砥柱。要维持微电子产业的发展,必须保证半导体材料中性能优异的金属材料的长期而稳定供给。20年来.硅在半导体电子学材料中占主导地位,而且正形成“锗——硅技术”浪潮。因此。 展开更多
关键词 半导体 应变外延技术 异质结构
全文增补中
非应变盖层对应变结构中净应力的影响
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作者 金智 杨树人 +3 位作者 马春生 安海岩 王本忠 刘式墉 《中国科学(A辑)》 CSCD 1999年第2期172-176,共5页
分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .
关键词 应变盖层 净应力 位错 应变结构 应变外延
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Si组分对SiGe量子点形状演化的影响 被引量:5
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作者 邓宁 陈培毅 李志坚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3136-3140,共5页
研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子... 研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子点能量的应变能项进行修正 ,解释了量子点中Si组分对形状演化的影响 .在特定的工艺条件下得到了单模尺寸分布的金字塔和圆顶形量子点 .结果表明 ,通过调节SiGe岛中的Si组分 。 展开更多
关键词 量子器件 异质外延生长应变自组装 硅锗量子点 临界体积 硅组分
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GaAs/Ge_xSi_(1-x)系统的电子能带结构
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作者 徐至中 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期269-276,共8页
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响.
关键词 应变外延 砷化镓 半导体 电子能带结构
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材料制备工艺
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《电子科技文摘》 1999年第8期35-36,共2页
关键词 功能材料 激光晶体 光学性能 学术会议论文 锗硅应变外延 生长特性 抗光损伤能力 制备工艺 闪烁性能 晶体质量
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半导体技术
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《中国无线电电子学文摘》 1999年第4期37-46,共10页
关键词 研究与进展 固体电子学 中国科学院 半导体技术 太阳电池 应变外延 实验结果 光致发光 分子束外延 应变层超晶格
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半导体技术
13
《中国无线电电子学文摘》 2000年第3期37-45,共9页
关键词 半导体技术 失配位错 应变外延 应变弛豫 应变盖层 比例因子 大学自然科学学报 连续介质模型 能量最低原理 表达式
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