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题名AlGaAs基光电阴极光学性质计算模型分析
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作者
赵静
冯琤
覃翠
郭婧
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机构
南京工程学院信息与通信工程学院
南京工程学院自动化学院
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出处
《南京工程学院学报（自然科学版）》
2023年第3期14-20,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(62001214)
江苏省自然科学基金项目(BK20191012)。
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文摘
为了分析不同波长响应对光电阴极结构的要求,提出适用于各类响应的AlGaAs基光电阴极的计算模型.通过宽光谱响应GaAs和窄带响应AlGaAs基光电阴极样品试验证实模型的有效性.基于该模型仿真研究AlGaAs基光电阴极组件中GaAs发射层及各子层、AlGaAs窗口层、Si_(3)N_(4)增透层的厚度与400~900 nm单波长光子吸收情况的分布关系.仿真结果表明,同一波长响应下,GaAs发射层对光电阴极吸收率的影响最大,其次是Si_(3)N_(4)增透层,而AlGaAs窗口层对吸收率的影响不明显.要得到90%以上的吸收率,在600 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.5μm,700 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.8μm,800 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于1.5μm.400~600 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.2μm内被吸收,700~800 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.6μm内被吸收,而850 nm以后的光子在各子层间的吸收比较均匀.该结论对不同响应AlGaAs基光电阴极的优化设计具有一定的参考价值.
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关键词
AlGaAs基光电阴极
多发射层模型
吸收率
阴极厚度
单波长
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Keywords
AlGaAs-based photocathode
multi-emission layer model
absorptivity
cathode thickness
single wavelength
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分类号
O462.3
[理学—电子物理学]
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