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硼离子选择注入制备多孔硅微阵列 被引量：2
1
作者 陈少强 邵丽 +2 位作者 王伟明 朱建中 朱自强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期819-822,共4页
根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩... 根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 。 展开更多
关键词 多孔硅微阵列 选择性 电化学腐蚀 硼离子选择注入 PACC 3220D 5270G 6146
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