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石墨/4H碳化硅纳米多孔阵列光阳极的制备及其光电催化性能研究
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作者 裴岩 王蓉 +1 位作者 崔灿 徐凌波 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2024年第6期801-808,共8页
为提高4H碳化硅(4HSilicon carbide,4H-SiC)纳米材料的光电催化性能,采用两步阳极氧化法制备了4H-SiC纳米多孔阵列(Nanoporous array,NA),并通过高温退火制备石墨/4H-SiC NA光阳极;通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能... 为提高4H碳化硅(4HSilicon carbide,4H-SiC)纳米材料的光电催化性能,采用两步阳极氧化法制备了4H-SiC纳米多孔阵列(Nanoporous array,NA),并通过高温退火制备石墨/4H-SiC NA光阳极;通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、高分辨多功能光谱仪和电化学工作站对石墨/4H-SiC NA光阳极的形貌、结构和性能进行了表征。结果表明:阳极氧化法能够刻蚀出纳米多孔,有效提高了4H-SiC的比表面积,同时增强了电解液与材料的接触面积;经过退火处理后,4H-SiC NA光阳极表面含有分散的石墨;在光照和暗场条件下石墨的存在增强了光生载流子的分离效果,经过优化的4H-SiC NA光阳极在光功率100mW/cm^(2)的模拟太阳光照条件下,相对于可逆氢电极(Reversible hydrogen electrode,RHE),其光电流密度在1.23V达到4.72mA/cm^(2),相比4HSiC NA光阳极提升了4.14mA/cm^(2)。该研究为提升基于4H-SiC材料的光电催化制氢性能提供了一种新思路。 展开更多
关键词 4H-SIC 纳米多孔阵列 光阳极 石墨 光电催化
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超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜 被引量:29
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作者 李欢军 王贤宝 +4 位作者 宋延林 刘云圻 李前树 江雷 朱道本 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期759-761,共3页
The porous aligned carbon nanotube(ACNTs) films prepared by pyrolysis of metal phthalocyanines show an ultrahydrophobic property. The contact angle for water of the films is 161°. The films modified with fluoroal... The porous aligned carbon nanotube(ACNTs) films prepared by pyrolysis of metal phthalocyanines show an ultrahydrophobic property. The contact angle for water of the films is 161°. The films modified with fluoroalkylsilane show a better hydrophobic property. The contact angle for water of the modified films is as high as 172°. The alignment structure of the films and large fraction of air on the films are considered to be responsible for the ultrahydrophobic property. 展开更多
关键词 多孔阵列碳纳米管 薄膜 超疏水效果 浸润性 酞菁金属配合物 高温裂解
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高功率圆波导多孔阵列定向耦合器设计 被引量:8
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作者 刘国 罗勇 +1 位作者 王建勋 蒲友雷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期417-422,共6页
设计了一种应用于8mm回旋管输出功率测量和频谱监测的圆波导-矩形波导多孔阵列耦合定向耦合器。利用弱耦合波理论推导了多孔阵列耦合公式,从数值计算和模拟仿真两个方面对比分析了8孔孔径阵列分别呈正反分布的等孔径、二项式、切比雪夫... 设计了一种应用于8mm回旋管输出功率测量和频谱监测的圆波导-矩形波导多孔阵列耦合定向耦合器。利用弱耦合波理论推导了多孔阵列耦合公式,从数值计算和模拟仿真两个方面对比分析了8孔孔径阵列分别呈正反分布的等孔径、二项式、切比雪夫和高斯分布的耦合特性。在此基础上,结合等孔径分布耦合度带内波动小和切比雪夫分布高定向性的优点,提出了复合孔径阵列的设计思想。模拟结果显示:复合孔径阵列很好地兼顾了多种孔径阵列分布的优势,带内耦合度波动较小,有效频带范围较宽,且定向性优越。同时对定向耦合器的方向性改善进行了探讨,可以看出,适当的孔径分布阵列如切比雪夫分布和阵列边缘尾孔间距的调整都可以有效地提高定向性。 展开更多
关键词 定向耦合器 多孔阵列耦合 复合分布 回旋管
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多孔阵列TiO_2/Ti的光电催化性能 被引量:9
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作者 雷建飞 李伟善 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1173-1178,共6页
以聚苯乙烯微球(PS)阵列为模板,溶胶浸渍法制得负载于钛基的多孔阵列二氧化钛材料TiO2/Ti,用SEM和XRD分析其表面形貌和晶相组成.将此多孔材料用作电极,研究其间歇光照开路电位谱和光电流谱,催化降解甲基橙以及催化析氢反应等光电催化性... 以聚苯乙烯微球(PS)阵列为模板,溶胶浸渍法制得负载于钛基的多孔阵列二氧化钛材料TiO2/Ti,用SEM和XRD分析其表面形貌和晶相组成.将此多孔材料用作电极,研究其间歇光照开路电位谱和光电流谱,催化降解甲基橙以及催化析氢反应等光电催化性能.结果表明,在光电协同作用下多孔阵列TiO2/Ti具有很高的催化活性,2.5h内对甲基橙的降解率达到87.1%,5.0h高达97.9%,反应表观速率常数为0.77h-1;光照作用可以使析氢电位降低0.13V. 展开更多
关键词 二氧化钛 多孔阵列 光催化 降解甲基橙 析氢
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多孔阵列聚合物模板的制备 被引量:2
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作者 杨波 牛高 +3 位作者 周秀文 刘旭东 余斌 朱晔 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3247-3250,共4页
金属纳米线阵列是X射线强辐射源研究中的重要材料之一,针对物理实验对纳米线阵列结构尺寸的特殊要求,采用集束热拉伸法制备了包埋高度取向的聚苯乙烯微纳米线有序阵列的聚乙烯复合丝,经切片、选择性溶解等后处理得到多孔聚乙烯模板材料... 金属纳米线阵列是X射线强辐射源研究中的重要材料之一,针对物理实验对纳米线阵列结构尺寸的特殊要求,采用集束热拉伸法制备了包埋高度取向的聚苯乙烯微纳米线有序阵列的聚乙烯复合丝,经切片、选择性溶解等后处理得到多孔聚乙烯模板材料。光学显微镜及扫描电镜(SEM)观测表明,模板中的小孔呈较规则的阵列结构分布,其孔径可在200nm到几十μm之间调节,孔间距可在1μm到几十μm之间调节。通过比较实验的预设值和实测值表明,该方法可以实现对模板结构尺寸的设计和控制,进而将实现对纳米线阵列的尺寸控制。 展开更多
关键词 集束热拉伸 聚合物模板 尺寸控制 多孔阵列
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多孔阵列聚合物模板及铜微/纳米线的可控制备 被引量:1
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作者 李洋 曹林洪 +3 位作者 杨波 周秀文 刘旭东 牛高 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期81-84,共4页
金属纳米线阵列材料是最具潜力的高时空分辨X射线强辐射源材料之一。采用集束热拉伸法,通过尺寸设计和参数控制,制备了包埋高度取向的聚苯乙烯微纳米线有序阵列结构的聚甲基丙烯酸甲酯复合丝,通过后续包埋、切片、溶解等处理过程,获得孔... 金属纳米线阵列材料是最具潜力的高时空分辨X射线强辐射源材料之一。采用集束热拉伸法,通过尺寸设计和参数控制,制备了包埋高度取向的聚苯乙烯微纳米线有序阵列结构的聚甲基丙烯酸甲酯复合丝,通过后续包埋、切片、溶解等处理过程,获得孔径/孔间距约为1∶1的多孔聚甲基丙烯酸甲酯模板。通过光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察,二级模板的孔径及孔间距尺寸约十几微米,三级模板的孔径及孔间距尺寸约500 nm。利用电化学沉积技术在制备的模板上成功地生长了铜微/纳米线,铜纳米线长度超过10μm。该研究为特定尺寸要求的金属微纳米线阵列的制备提供了技术支持。 展开更多
关键词 金属纳米线 集束热拉伸 聚合物模板 多孔阵列 微/纳米线
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白色葡萄球菌辅助合成多孔阵列形貌CeO_2粉体材料 被引量:1
7
作者 杨宇飞 周明 +1 位作者 刘长隆 王亚平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第15期2106-2110,共5页
二氧化铈(CeO2)是一种很重要的稀土氧化物,应用前景广泛。介绍了一种新的制备方法制备出一种具有不同微观结构形貌的CeO2颗粒。该制备方法是通过在HMT醇水反应体系中加入白色葡萄球菌,用共沉淀得到表面具有多孔阵列结构的CeO2纳米粉体... 二氧化铈(CeO2)是一种很重要的稀土氧化物,应用前景广泛。介绍了一种新的制备方法制备出一种具有不同微观结构形貌的CeO2颗粒。该制备方法是通过在HMT醇水反应体系中加入白色葡萄球菌,用共沉淀得到表面具有多孔阵列结构的CeO2纳米粉体材料。借助扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、热重分析等方法,表征和分析了所得样品的形貌、晶相组成、微观结构和反应成形机理。并最终对所得样品进行甲基橙脱色实验,考察了其污水处理能力。结果表明,所得CeO2样品颗粒在10nm左右,多孔阵列的孔洞直径约为400nm。多孔阵列结构样品对甲基橙脱色结果较好,脱色率可达95%以上。 展开更多
关键词 白色葡萄球菌 纳米CEO2 多孔阵列结构 甲基橙脱色
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阳极氧化法制备TiO_2和Al_2O_3有序多孔阵列
8
作者 韩珊珊 杨修春 +3 位作者 王红勤 王青尧 侯军伟 陆伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期55-58,共4页
采用阳极氧化法制备了TiO2和Al2O3有序多孔阵列,并通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、莱茨光学显微镜对制备的TiO2和Al2O3有序多孔阵列进行表征。结果表明,随着氧化电压的增大,TiO2和Al2O3纳米孔的直径增加,孔密度减小... 采用阳极氧化法制备了TiO2和Al2O3有序多孔阵列,并通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、莱茨光学显微镜对制备的TiO2和Al2O3有序多孔阵列进行表征。结果表明,随着氧化电压的增大,TiO2和Al2O3纳米孔的直径增加,孔密度减小。随着氧化时间的延长,TiO2和Al2O3多孔膜厚度增加,到一定时间后膜厚不变。同时讨论了阳极氧化机理,无论是制备TiO2还是Al2O3有序多孔阵列,阳极氧化过程主要由3个阶段组成:阻挡层的形成、阻挡层的溶解、多孔层的稳定生长。 展开更多
关键词 阳极氧化 TIO2 AL2O3 有序多孔阵列
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腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究 被引量:3
9
作者 蒋稳 邹宇 +5 位作者 伍建春 展长勇 朱敬军 安竹 杨斌 黄宁康 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期2222-2226,共5页
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐... 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。 展开更多
关键词 中子探测器 电化学刻蚀 多孔阵列 形貌
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多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
10
作者 徐杰 贾伟 +5 位作者 董海亮 贾志刚 李天保 余春燕 张竹霞 许并社 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1405-1413,共9页
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密... 以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 多孔阵列结构 电化学腐蚀 紫外辅助电化学腐蚀 两步腐蚀法 光电性能
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三维锥阵列型纳米多孔锡镍合金负极的制备及储锂性能研究
11
作者 苟红梅 胥杨洋 刘文博 《热加工工艺》 北大核心 2023年第12期91-94,共4页
基于铜箔基底采用无模板定向电沉积法制备三维锥阵列型纳米多孔镍集流体,再通过脉冲电沉积法在其上负载锡镍合金,制得三维锥阵列型纳米多孔锡镍合金负极。采用SEM、XRD、EDS和恒流充放电测试系统研究合金负极的微观结构、物相组成、化... 基于铜箔基底采用无模板定向电沉积法制备三维锥阵列型纳米多孔镍集流体,再通过脉冲电沉积法在其上负载锡镍合金,制得三维锥阵列型纳米多孔锡镍合金负极。采用SEM、XRD、EDS和恒流充放电测试系统研究合金负极的微观结构、物相组成、化学成分和电化学性能。结果表明,该合金负极的阵列单元为锥顶呈球形的纳米锥,锥体表面存在孔隙。在0.1mA/cm~2电流密度下,该合金负极首次充/放电比容量为0.28/0.36mA/cm~2,100周循环后,可逆比容量为0.21mA/cm~2,可逆容量保持率为75%。 展开更多
关键词 锂离子电池 无模板定向电沉积 阵列型纳米多孔结构 锡镍合金 负极
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碳线圈阵列的无催化剂制备与微波吸收性能
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作者 王志俊 刘兴龙 +3 位作者 吴智清 曹若昭 刘浩 陶锋 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期3208-3216,3223,共10页
轻质高性能碳基吸波材料的高效低成本制备是一个巨大的挑战。研究以生物质体内的维管束为模板,在无催化剂条件下成功制备了一种新型碳微米线圈阵列吸波剂。这种碳微米线圈阵列由碳微米线圈取向排列而成,包含有大孔通道、螺旋狭缝孔以及... 轻质高性能碳基吸波材料的高效低成本制备是一个巨大的挑战。研究以生物质体内的维管束为模板,在无催化剂条件下成功制备了一种新型碳微米线圈阵列吸波剂。这种碳微米线圈阵列由碳微米线圈取向排列而成,包含有大孔通道、螺旋狭缝孔以及表面微孔构成的分级多孔结构。这种独特的多孔阵列结构体现了良好阻抗匹配性,有利于入射电磁波充分进入吸波体内部,增大电耦合和磁耦合作用面积,同时增加电磁波的反射和散射损耗路径,有利于电磁波吸收损耗。碳线圈表面富氧官能团提高了丰富的极化中心,增强了微波吸收的极化损耗。吸波性能结果表明,碳微米线圈阵列是一种轻质、强吸收的微波吸收体,在填料比为10%(质量分数)时,其最大有效吸收带宽(f_(e))可达5.5 GHz;而填料比为15%(质量分数)时,最大反射损耗(RL_(min))为-45.09 dB。这种维管束基碳线圈阵列的无催化剂制备方法可以在其他生物质中应用。 展开更多
关键词 生物质 碳线圈 多孔阵列 微波吸收
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多孔硅阵列结构的形貌研究 被引量:7
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作者 范晓强 蒋勇 +4 位作者 展长勇 邹宇 伍建春 黄宁康 王春芬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2439-2442,共4页
采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29... 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。 展开更多
关键词 多孔阵列 中子探测器 形貌 异丙醇 阳极氧化
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电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响 被引量:2
14
作者 张光辉 孔令峰 +1 位作者 潘倩 黎学明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期966-969,共4页
采用电化学阳极氧化法,将预光刻图案的p型硅片制备成阵列多孔硅。讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响。结果表明:随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大,阵列多孔硅的孔深逐渐加大;当HF∶C2H5OH∶H2O(体积比)为1∶1∶1~... 采用电化学阳极氧化法,将预光刻图案的p型硅片制备成阵列多孔硅。讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响。结果表明:随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大,阵列多孔硅的孔深逐渐加大;当HF∶C2H5OH∶H2O(体积比)为1∶1∶1~1∶2∶5,电流密度为1.56mA/cm2,阳极氧化时间为3h时,制备出的阵列多孔硅具有比较规整的阵列孔,并且孔深能够达到50μm;表面活性剂对阵列孔的形成有很大影响,加入表面活性剂后形成的孔才具有一定的规整性以及深宽比。 展开更多
关键词 阵列多孔 电化学 阳极氧化 表面活性剂
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阵列多孔式辅助喷嘴和异型筘组合流场特性 被引量:3
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作者 肖世超 沈敏 +1 位作者 何为 周浩邦 《科学技术与工程》 北大核心 2022年第10期4063-4068,共6页
为了改善喷气织机单圆孔辅助喷嘴的引纬速度、能耗和织物质量,阵列椭圆孔得到两种不同出口形状的辅助喷嘴。通过数值模拟结合实验方法研究了阵列式辅助喷嘴和主喷嘴射流汇入异形筘内组合流场特性。分析了异形孔辅喷结构参数和阵列方式... 为了改善喷气织机单圆孔辅助喷嘴的引纬速度、能耗和织物质量,阵列椭圆孔得到两种不同出口形状的辅助喷嘴。通过数值模拟结合实验方法研究了阵列式辅助喷嘴和主喷嘴射流汇入异形筘内组合流场特性。分析了异形孔辅喷结构参数和阵列方式对组合流场的速度、集束性和湍涡分布的影响。结果表明:阵列式多孔辅喷射流汇入异形筘组合流场核心速度区域更长,集束性更好,引纬稳定性更优。可见阵列式多孔辅喷可取替单圆孔辅喷,应用于现代高速喷气织机。 展开更多
关键词 辅助喷嘴 多孔阵列 三维流场 引纬稳定性 喷气织机
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多孔TiO_2/FTO纳米有序阵列膜的可控生长研究 被引量:2
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作者 王成伟 马军满 +1 位作者 李燕 张其君 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第4期37-42,共6页
用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工... 用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工艺参数,借助阳极氧化过程中各阶段电流-时间(I-t)曲线的准确判断,可实现对多孔TiO2阵列膜生长过程的有效控制,制备出高质量的多孔TiO2/FTO阵列膜. 展开更多
关键词 多孔TiO2/FTO纳米有序阵列 阳极氧化 可控生长
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以SBA-16为模板电沉积生长多孔氧化铁纳米线阵列 被引量:2
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作者 史克英 辛柏福 +1 位作者 池玉娟 付宏刚 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第19期1859-1861,共3页
采用电化学沉积法以Mn改性的三维体心立方结构的介孔SBA 16膜为模板制备Fe纳米线 .沉积Fe后的SBA 16膜以 2 %HF溶解SiO2 骨架 ,样品于 5 5 0℃焙烧 4h .SEM和TEM的研究结果显示 ,所制备的Fe2 O3 纳米线互相平行 ,孔径均匀 .XRD、电子衍... 采用电化学沉积法以Mn改性的三维体心立方结构的介孔SBA 16膜为模板制备Fe纳米线 .沉积Fe后的SBA 16膜以 2 %HF溶解SiO2 骨架 ,样品于 5 5 0℃焙烧 4h .SEM和TEM的研究结果显示 ,所制备的Fe2 O3 纳米线互相平行 ,孔径均匀 .XRD、电子衍射及HRTEM研究表明Fe2 O3 纳米线具有 (多孔 )单晶结构 . 展开更多
关键词 SBA-16膜 模板 多孔氧化铁纳米线阵列 电化学沉积 中孔分子筛
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硼离子选择注入制备多孔硅微阵列 被引量:2
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作者 陈少强 邵丽 +2 位作者 王伟明 朱建中 朱自强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期819-822,共4页
根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩... 根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 。 展开更多
关键词 多孔硅微阵列 选择性 电化学腐蚀 硼离子选择注入 PACC 3220D 5270G 6146
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电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究 被引量:1
19
作者 陈婷婷 顾牡 +2 位作者 于怀娜 刘小林 黄世明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第11期48-52,共5页
采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析,分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明,在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成;改变电流密度,可以有效调控孔径大小;在电阻率3... 采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析,分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明,在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成;改变电流密度,可以有效调控孔径大小;在电阻率30~50Ω&#183;cm、电流密度20×10^–3A/cm^2的条件下,可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列,孔径2.5μm,周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵(CTAC),反应生成的气泡更容易逸出,有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。 展开更多
关键词 电化学刻蚀 多孔阵列 形貌 孔径调控 模板引导 X射线转换屏
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光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响
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作者 吴伯涛 曹林洪 +1 位作者 周秀文 湛志强 《广州化工》 CAS 2020年第8期45-48,61,共5页
采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加... 采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。 展开更多
关键词 光电化学腐蚀法 多孔阵列 工艺优化 结构规整
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