BiCMOS多晶硅栅的光刻和刻蚀工艺分析 被引量：1

1

作者 白川川 赵海红 +4 位作者 汪增 吕晓明 李海军 王昭 张晓情 《集成电路应用》 2023年第10期41-43,共3页

阐述在0.5μm BiCMOS工艺中的多晶硅栅制备工艺关键试验。试验表面旋涂转速会显著影响涂胶厚度,该参数的变化会影响到多晶硅栅的形貌和物理性能。同时,通过调节曝光量和焦深,可以有效地控制光刻过程的精度,从而确保多晶硅栅结构的准确... 阐述在0.5μm BiCMOS工艺中的多晶硅栅制备工艺关键试验。试验表面旋涂转速会显著影响涂胶厚度,该参数的变化会影响到多晶硅栅的形貌和物理性能。同时,通过调节曝光量和焦深,可以有效地控制光刻过程的精度,从而确保多晶硅栅结构的准确复现。LAM9400用于刻蚀工艺,在特定刻蚀厚度范围内,多晶硅表现出良好的均匀性。 展开更多

关键词 半导体制造 BICMOS 多晶硅栅 涂胶 光刻 刻蚀

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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型 被引量：3

2

作者 代月花 高珊 +1 位作者 柯导明 陈军宁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期844-848,共5页

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二... 本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证. 展开更多

关键词 复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压

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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响 被引量：1

3

作者 张国强 严荣良 +4 位作者 余学锋 罗来会 任迪远 赵元富 胡浴红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期695-699,共5页

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制... 分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致． 展开更多

关键词 MOS器件 辐照特性 多晶硅栅 光刻 氟

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氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟

4

作者 张廷庆 李建军 +1 位作者 刘家璐 赵元富 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期355-361,共7页

在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６×１０－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩... 在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６×１０－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９×１０－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系． 展开更多

关键词 多晶硅栅 氟 MOS器件 硅 迁移特性

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一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究

5

作者 谭开洲 胡永贵 张家斌 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期119-122,共4页

采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼... 采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极，磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。 展开更多

关键词 CMOS工艺 多晶硅栅 PMOS晶体管

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多晶硅栅离子注入杂质对MOS器件亚阈特性的影响

6

作者 谭悦 朱春翔 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期188-193,共6页

通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As... 通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。 展开更多

关键词 多晶硅栅 MOS器件 亚阈特性 集成电路

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不同剂量BF_2^+注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析

7

作者 张廷庆 刘家璐 +2 位作者 李建军 孙永明 赵元富 《微细加工技术》 1998年第4期43-46,共4页

借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分... 借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。 展开更多

关键词 离子注入 二氟化硼 迁移特性 SIMS 多晶硅栅

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双多晶硅栅SOI MOS器件的研究 被引量：2

8

作者 罗来华 刘文安 沈文正 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2000年第3期40-43,47,共5页

采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将... 采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。 展开更多

关键词 双多晶硅栅 SOI MOS器件

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多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响 被引量：5

9

作者 黄龙 梁海莲 +3 位作者 顾晓峰 董树荣 毕秀文 魏志芬 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期366-370,共5页

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器... 为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强. 展开更多

关键词 静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试

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多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究 被引量：2

10

作者 姚达 许仲德 王明浩 《微处理机》 1998年第3期15-17,共3页

本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。

关键词 MNOS结构 抗辐射 多晶硅栅 MOS器件

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复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究

11

作者 方磊 代月花 陈军宁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期442-446,共5页

通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多... 通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。 展开更多

关键词 复合多晶硅栅 MOSFET 工艺模拟

原文传递

RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

12

作者 李祥 《微细加工技术》 1995年第3期53-58,共6页

ＲＭＯＳ（ＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＧｒｏｏｖｅｄＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形... ＲＭＯＳ（ＲｅｃｔａｎｇｕｌａｒＧｒｏｏｖｅｄＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形貌较好的硅槽，并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好。 展开更多

关键词 RMOS器件 硅槽 刻蚀 多晶硅栅

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带超薄HfO2栅介质和多晶硅栅的n-MOSFET的热载流子可靠性

13

《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第6期70-70,共1页

关键词 超薄HfO2栅介质 多晶硅栅 N-MOSFET 热载流子 可靠性

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电荷对带多晶硅栅电极的HfO2器件可靠性的影响

14

《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第6期69-69,共1页

关键词 电荷 多晶硅栅电极 HfO2器件 可靠性

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BF_2^+注入多晶硅栅F迁移特性的分析与模拟

15

作者 张廷庆 李建军 +1 位作者 刘家璐 赵元富 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期645-651,共7页

在深入分析ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了Ｆ在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中的分布．模拟结果与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析结果相符．给出了８０... 在深入分析ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了Ｆ在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中的分布．模拟结果与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析结果相符．给出了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅９００℃，３０ｍｉｎ退火条件下Ｆ在多晶硅中的发射系数ｅ＝６×１０－２ｓ－１，Ｆ在多晶硅晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝７．６４×１０－１２ｃｍ／ｓ，Ｆ在多晶Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１＝１．７４×１０－３ｓ－１，以及Ｆ在多晶硅中的损伤吸收系数Ｓ１＝７．３２×１０－４ｓ－１． 展开更多

关键词 二氟化硼 氟离子注入 迁移特性 多晶硅栅

原文传递

BF_2^+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

16

作者 刘家璐 张廷庆 +1 位作者 李建军 赵元富 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期1580-1584,共5页

借助二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术，深入地、系统地分析了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在常规热退火条件下，Ｆ在多晶硅栅中的分布及迁移特性．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着... 借助二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术，深入地、系统地分析了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在常规热退火条件下，Ｆ在多晶硅栅中的分布及迁移特性．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制。 展开更多

关键词 二氟化硼离子 多晶硅栅 离子注入 SIMS 迁移性

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多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文) 被引量：1

17

作者 李睿 王俊 +4 位作者 孔蔚然 马惠平 浦晓栋 莘海维 王庆东 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期923-926,共4页

本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区... 本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。 展开更多

关键词 静态随机存储器 单比特位失效 多晶硅栅耗尽

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多晶硅CVD HfO2栅层叠的时间相关介质击穿

18

《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第6期69-69,共1页

关键词 多晶硅栅叠层 CVD HFO2 时间相关介质击穿 可靠性 栅氧化

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具有双栅多晶硅TFT和双层存贮电容的TFT LCD的象素设计

19

《现代显示》 1997年第2期40-44,共5页

推荐一种新的高分辩率多晶硅ＴＦＴＬＣＤ的象素设计。推荐的象素单元含有双栅多晶硅和双层存贮电容。为了减小象素尺寸而不必牺牲图象的亮度，双层电容由垂直堆叠的两个并联存贮电容器构成，它的电容量是具有同样面积的普通平行板电容... 推荐一种新的高分辩率多晶硅ＴＦＴＬＣＤ的象素设计。推荐的象素单元含有双栅多晶硅和双层存贮电容。为了减小象素尺寸而不必牺牲图象的亮度，双层电容由垂直堆叠的两个并联存贮电容器构成，它的电容量是具有同样面积的普通平行板电容器的两倍。双栅ＴＦＴ在隧道的顶部和底部有两个栅，其导通电流是同体积的普通ＴＦＴ导通电流的两倍，因为隧道在断态是完全耗尽的。 展开更多

关键词 双栅多晶硅 双层存贮电容 TFTLCD 液晶显示器

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BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用

20

作者 吴会利 林雨佳 +1 位作者 孔祥旭 宋博尊 《微处理机》 2024年第5期54-56,60,共4页

随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动... 随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动电路的设计,对隔离、高压MOS和版图设计等关键技术展开深入研究。研究可为高压功率驱动电路的设计实现提供有效支持,在当前芯片国产化大趋势下,对提升中国集成电路设计制造水平具有重要意义。 展开更多

关键词 BCD工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅

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