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Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究
1
作者 曹松 唐景昌 +1 位作者 汪雷 李攀峰 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期270-273,共4页
利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸... 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS) 展开更多
关键词 Ge(111)表面 氯自组装系统 半导体 锗(111) 表面自组装 多重散团簇方法 近边X射线吸收精细结构
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