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硅片键合套刻偏差测量技术 被引量:1
1
作者 李运锋 蓝科 《光学仪器》 2021年第5期7-15,共9页
硅片键合套刻偏差是影响三维垂向互连封装工艺的重要指标之一。利用红外光可以高效穿透硅基半导体材料的特性,设计了测量键合套刻偏差的红外检测系统。通过测试光源和相机得到的噪声大小和分布作为仿真误差来源;通过MATLAB对不同尺寸、... 硅片键合套刻偏差是影响三维垂向互连封装工艺的重要指标之一。利用红外光可以高效穿透硅基半导体材料的特性,设计了测量键合套刻偏差的红外检测系统。通过测试光源和相机得到的噪声大小和分布作为仿真误差来源;通过MATLAB对不同尺寸、不同类型的套刻标记成像仿真,得到的测量重复性随采样点增多而减小,并在150个采样点时套刻测量重复性趋于稳定的规律;通过仿真检测系统不同数值孔径和套刻标记线宽,得到了测量重复性随对比度增加而减小的特征。根据仿真结果设计了红外检测系统和套刻标记,测试结果接近仿真数据,得到了10 nm以下的测量重复性,证明了利用红外技术高精度检测硅片键合套刻偏差的可行性。 展开更多
关键词 硅片键合套刻偏差 红外技术 套刻标记 套刻偏差 测量重复性
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基于刻痕的云南绝版套刻的数字模拟合成 被引量:3
2
作者 李杰 侯剑侠 +2 位作者 王雪松 徐丹 普园媛 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2912-2917,共6页
木刻版画是一种以刀为笔,以板为纸的绘画艺术,云南绝版套刻是它的一种延伸。通过在同一块木板上的多次套印而产生色彩重叠的效果。结合云南绝版套刻的创作过程,我们提出一种自动化的基于刻痕的云南绝版套刻的数字模拟合成方法。通过颜... 木刻版画是一种以刀为笔,以板为纸的绘画艺术,云南绝版套刻是它的一种延伸。通过在同一块木板上的多次套印而产生色彩重叠的效果。结合云南绝版套刻的创作过程,我们提出一种自动化的基于刻痕的云南绝版套刻的数字模拟合成方法。通过颜色聚类将图像分割,求出一个平滑的反应图像梯度变化的向量场,根据向量场自动生成均匀分布的流线图,再在流线图上放置刻痕,结合XDOG方法生成的风格化边缘完成图像的绘制。由于使用了取自于真实木刻画中的刻痕,避免了复杂的建模与计算,绘制过程简单快速,无需复杂的人机交互,模拟结果较好。 展开更多
关键词 云南绝版套刻 版画 向量场 XDOG
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八台阶二元光学器件套刻误差的逐层分析法研究 被引量:2
3
作者 叶钧 许乔 +1 位作者 侯西云 杨国光 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1999年第2期157-162,共6页
用逐层分析法就八台阶二元器件套刻误差对器件衍射效率的影响进行了详细的分析和讨论,给出了简便。
关键词 逐层分析法 光学器件 二元光学器件 套刻误差
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分步重复投影光刻机套刻误差模型的研究 被引量:1
4
作者 陈世杰 《微细加工技术》 1995年第3期8-13,共6页
本文讨论了套刻误差的组成及误差模型的建立,并介绍了套刻误差的表示方法。套刻误差教学模型对于光刻机整机套刻精度的估计、对于光刻机的多机(单机)套刻匹配等工作将会是一个非常重要的工具。
关键词 套刻 套刻误差 误差模型 曝光
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一种激光直写机特殊样品套刻的样品台
5
作者 李喜玲 李华 郭党委 《高校实验室工作研究》 2015年第4期129-131,共3页
介绍了一种激光直写机特殊样品套刻的样品台,解决了以往激光直写对薄片和小片套刻的不便,提高了对特殊样品套刻的精度和效率。
关键词 激光直写 特殊样品台 薄片 小片 套刻
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提高整机套刻精度的软件处理方法
6
作者 田宏 吕晓真 郭黎 《电子工业专用设备》 1999年第3期10-12,共3页
套刻精度是衡量分步重复投影光刻机的一项重要指标。套刻精度不仅取决于对准系统的对准精度,还受环境、工艺等因素的影响。提出了提高光刻机整机套刻精度的几种软件修正处理方法,通过工艺实验和考核,取得了比较满意的结果,证明了这... 套刻精度是衡量分步重复投影光刻机的一项重要指标。套刻精度不仅取决于对准系统的对准精度,还受环境、工艺等因素的影响。提出了提高光刻机整机套刻精度的几种软件修正处理方法,通过工艺实验和考核,取得了比较满意的结果,证明了这些方法的可行性。 展开更多
关键词 分步重复投影 套刻精度 误差修正 软件
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云南绝版套刻版画的数字模拟合成技术研究 被引量:3
7
作者 李倩 解婉誉 +2 位作者 李玉润 普园媛 徐丹 《图学学报》 CSCD 北大核心 2013年第3期120-125,共6页
非真实感绘制(Non-Photorealistic Rendering,简称NPR)技术已成为计算机图形学领域最热门的研究方向之一。NPR建立在人类认知的基础上,利用计算机生成不同艺术风格的图形。云南绝版套刻版画是极具云南本土少数民族特色的绘画代表,考察... 非真实感绘制(Non-Photorealistic Rendering,简称NPR)技术已成为计算机图形学领域最热门的研究方向之一。NPR建立在人类认知的基础上,利用计算机生成不同艺术风格的图形。云南绝版套刻版画是极具云南本土少数民族特色的绘画代表,考察、分析其实际创作过程,揭示其在线条、纹理、色彩运用和创作技法上的特点和规律,对于探索、研究基于图像的云南绝版套刻版画的数字模拟合成关键技术是至关重要的。论文正是基于以上研究,对云南绝版套刻版画中基于线积分卷积LIC的刻痕模拟合成方法、基于多频率噪声场的LIC纹理的混色方法以及刻痕的纹理合成方法进行了初步的探索和实现。 展开更多
关键词 非真实感绘制 套刻版画 线积分卷积 多频率噪声场 纹理合成
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套刻成像技术中波长可调性的准确度优化
8
作者 SK现代有限公司 KLA公司 《中国集成电路》 2019年第3期48-53,共6页
随着半导体制造技术的发展和集成电路元件尺寸的缩减,套刻预算也相应被削减。由于测量系统自身的光学瑕疵,以及光束与测量目标的几何不对称之间的相互作用,套刻预算已经接近测量误差的范围。测量误差对元件良率的影响显著,因而不能将其... 随着半导体制造技术的发展和集成电路元件尺寸的缩减,套刻预算也相应被削减。由于测量系统自身的光学瑕疵,以及光束与测量目标的几何不对称之间的相互作用,套刻预算已经接近测量误差的范围。测量误差对元件良率的影响显著,因而不能将其忽略。在本文中,我们研究了一种基于图像套刻(IBO)测量的新方法。其中采用了波长可调套刻图像量测技术,并优化准确度而非对比精确度,以及研究其对总目标性能的影响。我们展示了基于理论推导的新准确度指标,并将其识别测量准确度与CD-SEM套刻测量的效果进行了比较。本文包括理论论证、模拟结果以及测量数据,这些数据显示了可调性结合新的准确度指标可以提高准确度性能。 展开更多
关键词 基于图像的套刻 波长可调性 量测 套刻目标 准确度 AIM
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65nm技术节点套刻控制的经济价值(英文)
9
作者 John A.Allgair Kevin M.Monahan 《电子工业专用设备》 2004年第3期29-33,共5页
国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法不确定、CMP工艺的坚固性以及器件的相互关系。系统的根源引起的图形位置误差(PPE)分析在摩托罗拉公司的D... 国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法不确定、CMP工艺的坚固性以及器件的相互关系。系统的根源引起的图形位置误差(PPE)分析在摩托罗拉公司的DanNoble中心已得到确定,即目前传统的框中框式套刻标记在所有的三种类型引起了缺陷。一种先进的利用成像标记的建议是基于栅格型且能被分割成类似于器件图形的特征图形。在采用193nm光刻设备进行多浅沟道隔离图形套刻的情况下,这种标记显示出将总的测量方法不确定因素减少了40%。 展开更多
关键词 65nm节点 套刻控制 套刻标记
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电场诱导压印模具的套刻制备及其实验
10
作者 黎相孟 田洪淼 祝锡晶 《电加工与模具》 2020年第1期70-74,共5页
电场诱导压印技术的关键在于能实现压印光刻胶的正向复形,对电场诱导模具的制备提出了较大的挑战。提出一种基于光刻、刻蚀和SU-8胶套刻的方法,实现了电场诱导压印模具的制备,通过Comsol仿真分析了电场分布,设计了支架高度与模具微结构... 电场诱导压印技术的关键在于能实现压印光刻胶的正向复形,对电场诱导模具的制备提出了较大的挑战。提出一种基于光刻、刻蚀和SU-8胶套刻的方法,实现了电场诱导压印模具的制备,通过Comsol仿真分析了电场分布,设计了支架高度与模具微结构高度,展示了几种不同形状、尺寸的模具结构,并对结构进行了表征。基于电场诱导模具搭建了试验平台,并在导电模具和基材之间施加电场,通过SEM观察成形结果得到,该结果与预计的电场诱导压印复制结构相似,验证了电场诱导套刻模具的适用性。 展开更多
关键词 电场诱导 压印模具 紫外光 套刻 等离子体
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新型CD-SEM套刻法改进双沟道图形化CDU 被引量:1
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作者 Ilan Englard Rich Piech +2 位作者 Liraz Gershtein Ram Peltinov Ofer Adan 《集成电路应用》 2008年第4期31-33,共3页
采用一种沟道内置沟道的套刻标记和自动工艺控制策略,双沟道图形化相关的CD均匀性问题可保持在具有量产价值的范围内。
关键词 双沟道 CDU 图形化 套刻 控制策略 均匀性 内置
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GCA8500SE光刻机套刻精度的误差分析和校正 被引量:1
12
作者 周虎明 《电子工业专用设备》 1996年第1期32-37,45,共7页
本文就美国原GCA公司生产的DSW8500SE光刻机套刻精度的误差分类,产生误差的原因以及校正方法进行了详细的讨论,通过这些叙述旨在对设备维修人员和工艺操作人员能够更好地使用设备,提高设备的性能起到抛砖引玉的作用。
关键词 套刻精度 误差分析
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PDMS微流控芯片光刻加工的套刻对准方法
13
作者 赵幸福 冯泽宇 +2 位作者 陈荣进 袁佳琪 赵晓晓 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2021年第12期33-36,55,共5页
多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准标记的对准方法。圆便于识别,可用于粗对准,十字架线条用以精对准,充分发挥圆套十字架标记结构中“面”... 多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准标记的对准方法。圆便于识别,可用于粗对准,十字架线条用以精对准,充分发挥圆套十字架标记结构中“面”与“线”各自的优势,并将套刻对准分两步进行,降低难度;套刻光刻前后掩膜、硅片的原位安装也可实现对准。此方法可较大地减小掩膜硅片间的旋转偏差,并使掩膜及硅片标记相互靠近便于查找、对准。结合使用两对准方案可提高对准精度,可实现偏差小于5μm的对准,满足绝大多数微流控芯片的使用要求,降低难度并使套刻对准操作系统而规范化,提高操作速度与稳定性,适合微流控芯片的套刻加工。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷微流控芯片 套刻 对准 对准标记 掩膜
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铝金属溅射工艺优化改善光刻套刻精度
14
作者 陈菊英 姚亮 《集成电路应用》 2016年第7期34-37,共4页
铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL ... 铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL Grain首枚效应着手,在不改变堆叠结构、厚度和主要工艺条件情况下,铝合金薄膜制备中不同工艺步骤间追加Ar cooling。通过实验找到一种优化工艺,在保证可靠性的前提下,有效地改善铝表面的晶粒大小,提高光刻层间的套刻精度。 展开更多
关键词 铝互连 首枚效应 AL GRAIN 反射率 套刻精度
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ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高
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《电子工业专用设备》 2008年第10期65-65,共1页
光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图... 光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图形曝光(double patterning)技术。 展开更多
关键词 生产能力 套刻精度 NXT 平台 创新 半导体制程
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自动套刻仪(AUR)对位标记腐蚀工艺研究
16
作者 李国喜 徐恭文 《江南半导体通讯》 1991年第6期33-34,51,共3页
关键词 集成电路 腐蚀 套刻 标记对位
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0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析
17
作者 Bernd Schulz Harry J. Levinson +3 位作者 Rolf Seltmann Joel Seligson Pavel Izikson Anat Ronen 《电子工业专用设备》 2005年第2期15-21,72,共8页
由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(AfterDevelopDI)阶段和后蚀刻(AfterEtchFI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设... 由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(AfterDevelopDI)阶段和后蚀刻(AfterEtchFI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度。在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)阶段测试的条件下,我们对成品晶圆的5个工艺层进行了比较。此外,还利用CD-SEM(线宽-扫描电子显微镜)测量了某个工艺层(PolyGate)上的芯片内Overlay,并与采用分割线方法的光学Overlay测量结果进行了比较。发现对芯片内overlay的校准存在着严重的局限性,即在应用CD-SEM时缺乏合适的结构进行Overlay测量。我们还将继续为大家提供定量的比较结果,同时也会向大家推荐组合的CD-SEM测量结构,使其能够被应用到今后的光刻设计中。 展开更多
关键词 空间成像套刻 准确度 校准
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1.0μm微细图形套刻精度研究
18
作者 陶建中 邓小军 《微电子技术》 1993年第5期14-21,共8页
关键词 套刻精度 微细图形
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改进缺陷,套刻和聚焦性能的第五世代浸没式曝光系统(英文)
19
作者 Jan Mulkens Bob Streefkerk +4 位作者 Hans Jasper Jos de Klerk Fred de Jong Leon Levasier Martijn Leenders 《电子工业专用设备》 2008年第3期13-19,共7页
论述了第五世代双扫描平台浸液式扫描曝光机的性能和进展。表明了在高速扫描状态下有生产价值的套刻和聚焦性能的实现。浸液式设备更多的关键部分与缺陷有关,而且该机的改进是通过有生产价值的缺陷水平方面来体现的。为了保持这种缺陷... 论述了第五世代双扫描平台浸液式扫描曝光机的性能和进展。表明了在高速扫描状态下有生产价值的套刻和聚焦性能的实现。浸液式设备更多的关键部分与缺陷有关,而且该机的改进是通过有生产价值的缺陷水平方面来体现的。为了保持这种缺陷水平的改进效果,需要在圆片应用中进行专门稳定的测量。特加是边缘空泡除去(EBR)设计和圆片斜面良流线性是很重要的。 展开更多
关键词 浸液式扫描曝光机 套刻和聚焦性能 缺陷改进 污染粒子控制
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借助光刻成像仿真软件的μDBO穿线套刻标记
20
作者 陈天元 周钰颖 高安 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2057-2075,共19页
在光刻机的对准、曝光和量测等过程中,存在量程范围小,测量精度要求极高的套刻标记。这些套刻标记在实现特定功能的同时,会受到多种误差的影响,比如标记线宽与设计差异、标记线条边缘粗糙度、标记边缘效应等。该文旨在解决光刻套刻量测... 在光刻机的对准、曝光和量测等过程中,存在量程范围小,测量精度要求极高的套刻标记。这些套刻标记在实现特定功能的同时,会受到多种误差的影响,比如标记线宽与设计差异、标记线条边缘粗糙度、标记边缘效应等。该文旨在解决光刻套刻量测领域中的问题,特别是针对业界常用的微型衍射套刻(micro diffraction-based overlay,μDBO)标记,通过对穿线套刻情形进行量测过程的仿真研究,提出了一种借助光刻成像仿真软件进行标记量测结果仿真的方法。该文运用自制代码的DrM软件和商业仿真软件HyperLith作为工具,两者的仿真结果均定性还原了实验中探测到的特殊亮暗线现象,验证了该方法用于量测仿真的可行性。此外,该文还对匹配实验仪器的穿线套刻μDBO标记设计、照明波长、照明配置和待测信号区域等参数进行仿真优化,输出了基于目前实验配置的优化标记与方案。 展开更多
关键词 计算光 成像仿真软件 微型衍射套刻标记 穿线套刻
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