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基于矩阵磁结构的平面电感寄生电容优化设计
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作者 屠腾 张方华 +2 位作者 张钊荣 黄恩泽 余文浩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2825-2832,I0025,共9页
当平面电感的单层绕组匝数超过一匝时,外侧绕组间存储的电场能量会导致寄生电容偏大。为降低平面电感寄生电容,文中将一个电感拆分为多个分立电感以实现单层一匝的绕制方案,并分析分立电感方案与单磁心方案在铁损、铜损和体积方面的变... 当平面电感的单层绕组匝数超过一匝时,外侧绕组间存储的电场能量会导致寄生电容偏大。为降低平面电感寄生电容,文中将一个电感拆分为多个分立电感以实现单层一匝的绕制方案,并分析分立电感方案与单磁心方案在铁损、铜损和体积方面的变化。针对分立电感体积增大这一问题,进一步提出矩阵磁方案,给出两电感、四电感磁集成结构。有限元仿真结果表明,相接近的体积下,矩阵磁方案降低了77%的寄生电容,并减小了69%的铜损。最后,搭建一台Buck变换器。功率实验结果表明,矩阵磁结构平面电感具有更优的性能。 展开更多
关键词 平面电感 寄生电容 矩阵磁 磁集成
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MOSFET非线性寄生电容对单管谐振正激变换器的影响及其处理
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作者 邓俊清 陈为 贺宇航 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期21-28,共8页
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真... 高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克服MOSFET非线性电容的影响,当激磁电感取其上限值时,磁损最小,此时可得最高效率。 展开更多
关键词 寄生电容 非线性 谐振正激 MOSFET
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寄生电容对串联谐振电容器充电电源特性的影响 被引量:65
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作者 钟和清 徐至新 +3 位作者 邹云屏 郭良福 周丕璋 郑万国 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第10期40-44,共5页
软开关串联谐振电容器拓扑因其在较宽的电压范围内具有平均充电电流恒定和抗短路能力强的特点而用于对高压电容器充电。但开关频率固定的串联谐振充电电源的恒流特性因直流母线电压的波动和高压变压器以及整流单元的分布电容的影响,其... 软开关串联谐振电容器拓扑因其在较宽的电压范围内具有平均充电电流恒定和抗短路能力强的特点而用于对高压电容器充电。但开关频率固定的串联谐振充电电源的恒流特性因直流母线电压的波动和高压变压器以及整流单元的分布电容的影响,其充电电流并不是恒流。该文分析了理想和实际的串联谐振充电电源的充电电流特性。提出了采用图表法对串联谐振电源进行参数设计和调试,克服了以往高压脉冲电源设计和调试时的盲目性,具有重要的工程实用价值。 展开更多
关键词 串联谐振 电容 充电电源 电流特性 寄生电容
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高压变压器寄生电容对串联谐振变换器特性的影响 被引量:30
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作者 刘军 郭瑭瑭 +1 位作者 常磊 何湘宁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第15期16-23,179,共8页
高压串联谐振变换器广泛应用于电容器充电、静电除尘等系统中。然而,高压变压器寄生电容的存在,使得客观上并不存在理想的高压串联谐振变换器。定量分析了高压高频变压器的寄生电容对工作于断续谐振电流模式(discontinuous current mode... 高压串联谐振变换器广泛应用于电容器充电、静电除尘等系统中。然而,高压变压器寄生电容的存在,使得客观上并不存在理想的高压串联谐振变换器。定量分析了高压高频变压器的寄生电容对工作于断续谐振电流模式(discontinuous current mode,DCM)的串联谐振变换器特性的影响,这些特性包括临界断续谐振频率、归一化输出电流和软开关。当考虑高压变压器寄生电容后,串联谐振变换器实际上已经演变为LCC串并联谐振变换器。通过对DCMLCC谐振变换器在不同工作阶段的数学分析、推导和归一化处理,得到了具有封闭形式的电路特性的表达式。通过分析发现,随着等效电压增益的增加,DCM LCC谐振变换器的正向和反向谐振过程均由两元件谐振向三元件谐振过程转变,临界断续频率升高。以图形曲线的方式给出了量化的分析结果。通过比较两类典型的控制方法可知,第二类典型控制方法具有更高的电流输出能力和能量传输效率,是一种优化的控制方法。所得分析结果可为工作于断续谐振电流模式的高压串联谐振变换器的设计提供参考,特别对电容充电和静电除尘电源具有工程应用价值。 展开更多
关键词 寄生电容 串联谐振变换器 串并联谐振变换器 封闭表达式 断续谐振电流模式:典型控制方法
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汽车线束导线间寄生电容及串扰的解析预测模型 被引量:8
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作者 高印寒 王瑞宝 +2 位作者 马玉刚 王莹莹 杨开宇 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期144-149,共6页
应用镜像法把非均匀介质空间变换成无限大均匀介质空间,依靠电磁场理论得到非均匀介质导线束缚电荷与自由电荷的关系,推导出汽车线束内有绝缘层的非均匀介质导线单位长度寄生电容解析模型,并计算相应串扰。以某汽车线束为例,分别用推导... 应用镜像法把非均匀介质空间变换成无限大均匀介质空间,依靠电磁场理论得到非均匀介质导线束缚电荷与自由电荷的关系,推导出汽车线束内有绝缘层的非均匀介质导线单位长度寄生电容解析模型,并计算相应串扰。以某汽车线束为例,分别用推导的解析公式和EMC Studio软件对线束单位长度寄生电容和串扰进行了计算比较,验证了解析公式的正确性。本文解析模型方便、简单,能够在缺少完整信息的初期设计阶段,快速预测寄生电容和串扰,适用于汽车静态时线束内导线确定性几何布置和动态时的随机性几何布置。 展开更多
关键词 仪器科学与技术 预测模型 解析方法 寄生电容 串扰 几何布置 绝缘导线 汽车线束
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高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法 被引量:9
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作者 刘士利 王泽忠 孙静 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2970-2975,共6页
目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性。为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计... 目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性。为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数,在这种方法中,只需对导体表面进行剖分,无需离散整个场域,在求得导体表面法向电场强度后,即可得到导体系统的电容矩阵。针对国内某±500kV直流换流站,应用该方法提取了屏蔽罩寄生电容,通过对比计算,研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响,确定了计算实际屏蔽罩寄生电容的仿真模型。为换流阀塔等大尺寸复杂金属结构的电容参数计算提供了一种便捷、可行的方法。 展开更多
关键词 寄生电容 屏蔽罩 边界元法 提取 模型 复杂结构
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铁氧体环形电感器寄生电容的提取 被引量:12
7
作者 王世山 崔永生 谢少军 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期22-29,共8页
铁氧体电感器在较高频率时可等效为"电阻、电感"的串联支路与一寄生电容的并联,该电容的存在对电感器的高频性能有重要影响。建立铁氧体环形电感器2D平行平面场和3D静电场有限元模型,分别计算任意两线匝之间的杂散电容,由此... 铁氧体电感器在较高频率时可等效为"电阻、电感"的串联支路与一寄生电容的并联,该电容的存在对电感器的高频性能有重要影响。建立铁氧体环形电感器2D平行平面场和3D静电场有限元模型,分别计算任意两线匝之间的杂散电容,由此得到其等效电容网络。若在电感器输入和输出线匝间加一单位电流,基于节点电压方程,则可求解得到电感器的容性集中参数——寄生电容。在假定该寄生电容与频率无关时,利用测试电感器的谐振频率,可得到该寄生电容。计算与实验对比显示,电感器的边缘效应在静电场的模型建立中占据非常重要的地位,即包括线匝杂散电容计算在内的静电场分析必须以3D模型进行。若仅考虑相邻3匝间的杂散电容,则电感器等效寄生电容值可达考虑所有线匝间杂散电容时寄生电容的95%以上,寄生电容与铁氧体磁心和导线绝缘材料的介电常数呈线性关系,且绝缘材料的介电常数对寄生电容的影响更大。 展开更多
关键词 电感器 有限元法 寄生电容 谐振频率
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HVDC换流系统屏蔽罩寄生电容提取 被引量:8
8
作者 刘士利 王泽忠 孙静 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第2期201-206,共6页
高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一。将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用... 高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一。将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用平面模拟倒角曲面的模型简化方法。针对国内某直流换流站,建立了屏蔽罩倒角和不倒角的仿真模型,对比计算了不同倒角情况下的寄生电容,分析了倒角对电容参数的影响。计算结果表明,该模型简化方法保证了计算精度,降低了建模难度和计算代价,为大尺寸金属架构的电容计算提供了一种便捷、可行的方法。 展开更多
关键词 寄生电容 屏蔽罩 倒角 边界元 提取
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计及寄生电容和纹波电流的电压源型逆变器死区效应与补偿方法 被引量:5
9
作者 谢晔源 谢瑞 +2 位作者 李成敏 周志超 李武华 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期16-21,共6页
电压源型逆变器中固有的死区效应降低了输出电压的品质。为了精确补偿死区效应,需要建立死区效应导致的逆变器输出电压失真的精确模型。但是,已有死区效应模型没有考虑开关管等效并联电容和电感电流纹波对于死区效应的影响,导致死区补... 电压源型逆变器中固有的死区效应降低了输出电压的品质。为了精确补偿死区效应,需要建立死区效应导致的逆变器输出电压失真的精确模型。但是,已有死区效应模型没有考虑开关管等效并联电容和电感电流纹波对于死区效应的影响,导致死区补偿结果难以优化。本文通过详细分析和推导,发现寄生电容和纹波电流会影响输出电压的精度,并给出了输出电压误差的精确数学表达式。在此基础上,本文提出一种在线、自适应的死区精确补偿方法。最后,通过仿真和实验证明了本文分析的正确性和死区补偿方法的有效性。 展开更多
关键词 电压源型逆变器 死区效应补偿 寄生电容 纹波电流 电能质量
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频域寄生电容法变频电机Hertz轴承电流密度计算 被引量:5
10
作者 王禹 白保东 +1 位作者 刘威峰 陈德志 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第2期189-195,共7页
提出应用频域寄生电容法计算Hertz轴承电流密度。该种方法以电机系统内的寄生电容为研究对象,通过解析法确定其频域特性,结合电机内耦合电容拓扑结构计算轴承电流。本文以一台3k W变频电机为研究对象,通过解析法确定其各部分寄生电容的... 提出应用频域寄生电容法计算Hertz轴承电流密度。该种方法以电机系统内的寄生电容为研究对象,通过解析法确定其频域特性,结合电机内耦合电容拓扑结构计算轴承电流。本文以一台3k W变频电机为研究对象,通过解析法确定其各部分寄生电容的频域特性,并通过阻抗分析仪对计算结果进行校验。根据变频器电机系统耦合电容模型列写轴承电流线性微分方程,通过一般线性扩展法对其进行求解,求得轴承放电电流。搭建轴承电流测量平台,对轴承电流进行测量,与计算结果基本吻合。最后应用接触力学中的经典Hertz理论求得轴承接触面积,进而计算轴承电流密度。该种轴承电流密度计算方法为定量评估轴承电损伤提供了理论依据。 展开更多
关键词 变频电机 轴承 电流密度 寄生电容 Hertz模型
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考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 被引量:3
11
作者 杨银堂 王凤娟 +2 位作者 朱樟明 刘晓贤 丁瑞雪 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3011-3017,共7页
该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85&#... 该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。 展开更多
关键词 集成电路 锥型硅通孔 寄生电容 MOS效应 泊松方程
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高压高频变压器寄生电容实验提取方法 被引量:5
12
作者 刘晨 齐磊 +1 位作者 崔翔 赵国亮 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第1期1-8,共8页
高压高频变压器是大容量DC-DC变换器实现电气隔离和电压变换的关键装备。随着容量和电压等级的提高,高性能金属磁芯和油纸绝缘系统将应用于高压高频变压器以提高功率密度。高压大容量工况下金属磁芯和油箱均需接地以避免悬浮电位产生的... 高压高频变压器是大容量DC-DC变换器实现电气隔离和电压变换的关键装备。随着容量和电压等级的提高,高性能金属磁芯和油纸绝缘系统将应用于高压高频变压器以提高功率密度。高压大容量工况下金属磁芯和油箱均需接地以避免悬浮电位产生的局部放电,使得高压高频变压器绕组对地电容效应亟待研究。为了能够在不清楚变压器内部信息的情况下对寄生电容进行分析,提出了一种高压高频变压器寄生电容的实验提取方法。基于变压器的Y参数矩阵,利用直接测量和间接测量获得了一系列不同绕组端子条件下的电容约束方程。通过方程独立性分析,实现了高压高频变压器包括绕组对地电容在内共10个电容参数的有效提取。通过一台20 k Hz高压高频变压器原型机验证了所提方法的有效性。在此基础上分析了不同绕组接地情况下高压高频变压器的电压传输特性,结果表明绕组对地电容会显著影响电压传输特性的谐振频率以及工作频率下的实际电压变比。 展开更多
关键词 高频变压器 寄生电容 参数提取 传输特性
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三维VLSI互连寄生电容提取的研究进展 被引量:12
13
作者 喻文健 王泽毅 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期21-28,共8页
随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取... 随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取方法进行综述 ,详细阐述国内外的相关研究进展情况 .重点介绍间接、直接边界元方法 ,以及维度缩减技术和区域分解法等半解析方法 . 展开更多
关键词 VLSI 互连寄生参数 数值算法 半导体工艺 电子设计自动化 三维互连寄生电容提取 超大规模集成电路
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寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响 被引量:7
14
作者 秦海鸿 张英 +3 位作者 朱梓悦 王丹 付大丰 赵朝会 《中国科技论文》 北大核心 2017年第23期2708-2714,共7页
为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOS... 为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。 展开更多
关键词 电力电子 碳化硅 寄生电容 MOSFET
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三维寄生电容边界元计算的半解析积分方法 被引量:4
15
作者 古江春 王泽毅 洪先龙 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期127-129,共3页
在VLSI三维多介质互连寄生电容的边界元法计算中 ,利用互连结构特点 ,本文提出一种半解析积分方法 ,它应用原函数方法将二维面积分转化为一维线积分 ,再用一维高斯积分求出积分值 .与二维高斯积分相比 ,速度更快、精度更高 。
关键词 VLSI 寄生电容 边界元素法 半解析积分 集成电路
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平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容 被引量:2
16
作者 李海松 孙伟锋 +2 位作者 易扬波 俞军军 陆生礼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1379-1383,共5页
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱... 功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%. 展开更多
关键词 低功耗 鸟嘴 寄生电容 高低压转换电路
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应用于平面EMI滤波器集成LC元件寄生电容的提取 被引量:4
17
作者 武丽芳 王世山 周小林 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2011年第2期35-39,共5页
为有效预估和分析平面EMI滤波器的高频特性,必须考虑平面电感的寄生电容对滤波器高频性能的影响。本文分别建立了应用于平面EMI滤波器集成LC元件的2D和3D有限元静电场模型来计算各匝间的寄生电容,由此得到PCB导线组成的多匝平面绕组的... 为有效预估和分析平面EMI滤波器的高频特性,必须考虑平面电感的寄生电容对滤波器高频性能的影响。本文分别建立了应用于平面EMI滤波器集成LC元件的2D和3D有限元静电场模型来计算各匝间的寄生电容,由此得到PCB导线组成的多匝平面绕组的集总参数模型,进一步得到平面绕组的等效并联电容。讨论了介电常数对匝间电容的影响,并分析了边缘效应对有限元模型计算结果的影响,将计算得到的等效并联电容应用于对应的集总等效电路中,通过计算结果与测量曲线的对比,说明了该计算方法的有效性,可用于指导平面电感和集成LC元件的设计。 展开更多
关键词 集成LC元件 寄生电容 有限元模型 平面绕组
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逆变器寄生电容对永磁同步电机无传感器控制的影响 被引量:3
18
作者 戴鹏 赵烨 +1 位作者 苗文彬 董苏 《电气传动》 北大核心 2014年第6期3-7,共5页
逆变器非线性特性会对基于高频注入法的永磁同步电机转子位置和速度观测产生影响,不利于电机的精确控制。在分析逆变器非线性特性中寄生电容效应及其对高频载波电流响应影响的基础上,提出了一种旨在减小此非线性影响的新颖补偿方法。此... 逆变器非线性特性会对基于高频注入法的永磁同步电机转子位置和速度观测产生影响,不利于电机的精确控制。在分析逆变器非线性特性中寄生电容效应及其对高频载波电流响应影响的基础上,提出了一种旨在减小此非线性影响的新颖补偿方法。此方法直接利用高频电流响应中的正序电流分量对包含转子位置信息的负序电流分量进行补偿,使作为位置观测器输入的误差信号更为精确。仿真和实验结果证明了此补偿方法的正确性,有效提高了转子位置检测精度,且具有良好的动稳态性能。 展开更多
关键词 永磁同步电机 逆变器非线性 寄生电容 高频注入 补偿
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寄生电容对LLC谐振变换器的影响分析 被引量:9
19
作者 俞珊 徐志望 董纪清 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期124-130,共7页
在进行LLC变换器的设计过程中,极易忽略寄生电容对变换器的影响。从寄生电容的产生机理出发,分析了寄生电容对LLC变换器工作原理特性的影响。寄生电容的存在不仅影响原边开关管的软开关过程,而且会使输出电压增益在轻载或空载下出现失... 在进行LLC变换器的设计过程中,极易忽略寄生电容对变换器的影响。从寄生电容的产生机理出发,分析了寄生电容对LLC变换器工作原理特性的影响。寄生电容的存在不仅影响原边开关管的软开关过程,而且会使输出电压增益在轻载或空载下出现失真现象。在优化死区时间的基础上,综合比较已知增益失真解决方案,提出一种新颖的双滞环自适应Burst数字控制方案,在稳定变换器输出电压的同时,提升轻载下的变换效率。最后,通过样机实验验证了所提控制方案的正确性与合理性。 展开更多
关键词 寄生电容 LLC变换器 软开关 增益失真
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VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算 被引量:2
20
作者 陆涛涛 王光辉 +1 位作者 侯劲松 王泽毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期543-549,共7页
在基于直接边界元素法的层次式 h-自适应计算中 ,改进了层次式边界元的自动加密方法 ,提高了计算可靠性 .同时 ,将基于超收敛恢复技术的误差指示器实现于在常数元基础上叠加层次锥函数的寄生电容自适应计算 ,提出一种在不同阶次边界元... 在基于直接边界元素法的层次式 h-自适应计算中 ,改进了层次式边界元的自动加密方法 ,提高了计算可靠性 .同时 ,将基于超收敛恢复技术的误差指示器实现于在常数元基础上叠加层次锥函数的寄生电容自适应计算 ,提出一种在不同阶次边界元上使用恢复技术的方法 .与同类软件相比 ,计算稳定 。 展开更多
关键词 自适应计算 边界元加密 恢复技术 误差指示器 寄生电容 集成电路 互连效应
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