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导模法生长蓝宝石单晶光纤的缺陷和光学特性研究 被引量：7
1
作者 王东海 侯文涛 +5 位作者 李纳 李东振 徐晓东 徐军 王庆国 唐慧丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1053-1058,共6页
通过导模法(EFG)成功生长了蓝宝石单晶光纤(直径400~1000μm,长度500 mm)。光纤的横截面大致为圆形,侧面无明显的小面,直径变化小于40μm。本研究对晶体缺陷,例如微气泡,包裹物和生长条纹等进行观察与分析,得出:大多数微气泡是球状的,... 通过导模法(EFG)成功生长了蓝宝石单晶光纤(直径400~1000μm,长度500 mm)。光纤的横截面大致为圆形,侧面无明显的小面,直径变化小于40μm。本研究对晶体缺陷,例如微气泡,包裹物和生长条纹等进行观察与分析,得出:大多数微气泡是球状的,且存在于光纤的外侧缘;在蓝宝石光纤外侧面也观察到少量的钼包裹物元素;新模具在前几次使用中往往会产生更多的钼夹杂物,在多次使用后降低。通过对熔体膜流体流动的实验和数值模拟,研究蓝宝石光纤中微气泡尺寸和分布,实验和数值模拟的结果显示出良好的一致性。微气泡的分布取决于熔体膜处的流体流动模式,流体流动的涡流使微气泡在热毛细对流作用下移动到蓝宝石光纤外侧缘。633 nm处的吸收损耗为9 dB/m,包裹物和表面不规则性会增加散射损耗。 展开更多
关键词 蓝宝石光纤 导模法(efg) 微气泡 钼包裹物
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导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶 被引量：5
2
作者 练小正 张胜男 +3 位作者 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期622-626,共5页
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了... 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。（100）面β-Ga2O3单晶的X射线衍射（XRD）摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体（100）面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。 展开更多
关键词 β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(efg)法 晶体生长 透过率
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β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌研究 被引量：1
3
作者 杨丹丹 金雷 +4 位作者 张胜男 练小正 孙科伟 程红娟 徐永宽 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期435-439,共5页
详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为... 详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为腐蚀液,腐蚀时间为1.5 h,腐蚀温度为90℃时,(100)、(010)和(■01)晶面腐蚀坑密度分别约为6.9×10^(4 )cm^(-2)、2.3×10^(4 )cm^(-2)和7.7×10^(4 )cm^(-2)。通过光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察,结果表明(100)面腐蚀坑形状为非对称六边形,(010)面腐蚀坑形貌为菱形,(■01)面腐蚀坑形貌为倾斜的五边形,并确定了(100)面、(010)面、(■01)面的最终腐蚀坑状态,腐蚀坑的不同形状可能与不同晶向β-Ga_2O_3表面状态的耐化学腐蚀差异有关。 展开更多
关键词 导模法(efg) β-Ga2O3单晶 位错密度 腐蚀坑形貌 扫描电子显微镜(SEM)
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