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题名基于层级多尺度方法的TSV晶圆翘曲预测模型研究
被引量：1
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作者
孙国立
秦飞
代岩伟
李宝霞
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机构
北京工业大学材料与制造学部
西安微电子技术研究所
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出处
《微电子学与计算机》
2023年第1期130-137,共8页
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基金
国家自然科学基金(12272012)
西安微电子技术研究所创新基金资助项目(771CX2020001)。
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文摘
随着电子封装技术的发展,以晶圆级封装为代表的先进封装技术对集成密度、封装尺寸,及其制造和服役可靠性提出了更高的要求.TSV晶圆封装结构具有典型的结构多尺度特征,这对有限元模型的建立带来很大挑战.为此,本文提出了一种层级多尺度方法,并验证了所提方法的有效性.围绕上述研究内容,首先,阐明了层级多尺度方法的原理和计算流程;其次采用层级多尺度方法建立了不同TSV晶圆封装工艺下的有限元模型,模拟研究了TSV转接板工艺制程中晶圆的翘曲演化,并与实验结果相对比;最后,研究了分区数量对层级多尺度方法精度的影响.研究结果表明,计算规模相当情况下,随着分区数量的增加,计算误差明显降低.与实验结果的对比表明,该方法有相对较高的晶圆翘曲预测精度.此外,本文发展的层级多尺度方法具有一定的可移植性,可以应用到其它同类具有多尺度特征的封装结构可靠性分析中,为解决大规模晶圆级封装翘曲预测问题提供了一种新的解决思略.
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关键词
TSV晶圆
封装
层级多尺度方法
翘曲
有限元模型
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Keywords
TSV wafer
Electronic packaging
Hierarchical multiscale method
Warpage
Finite element model
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分类号
TN
[电子电信]
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