电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤 被引量：1

1

作者 苏昱 朱钧 +2 位作者 陈宇川 潘立阳 刘志弘 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期69-73,共5页

FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ... FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 。 展开更多

关键词 带带隧穿 电荷泵法 界面损伤 FLASH存储器

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三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据 被引量：1

2

作者 安龙 唐艳 +4 位作者 章继东 姬扬 谭平恒 杨富华 郑厚植 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期470-473,共4页

在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两... 在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两峰的强度 ,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射 ,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据。这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率 (量子级联激光器的主要机制 )的有效方法 ,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易。 展开更多

关键词 共振隧穿 非热平衡占据 子带间弛豫 三势垒隧穿结构 垂直磁场 量子阱 荧光光谱 半导体

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多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模 被引量：1

3

作者 李树花 李斌 吴为敬 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第3期64-67,共4页

讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度... 讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型. 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿效应 泄漏区

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基于光子共振隧穿的可见光带通滤波器 被引量：1

4

作者 顾梓恒 臧强 +1 位作者 叶井飞 郑改革 《光散射学报》 2022年第2期116-120,共5页

基于传输矩阵法(TMM)研究了可见光波与棱镜耦合的多层光学薄膜间的相互作用,实现了一种由于共振隧穿导致的带通滤波器。计算得到了复合结构的透射谱线,重点分析了棱镜间空气层厚度对滤波特性的影响。在横电(TE)波入射下,通过优化计算得... 基于传输矩阵法(TMM)研究了可见光波与棱镜耦合的多层光学薄膜间的相互作用,实现了一种由于共振隧穿导致的带通滤波器。计算得到了复合结构的透射谱线,重点分析了棱镜间空气层厚度对滤波特性的影响。在横电(TE)波入射下,通过优化计算得到目标颜色对应的几何参数。同反射模式下的颜色滤波器不同的是,结构会透过一种特定的颜色并反射光谱的其余部分。优化后得到了红绿蓝(RGB)三色滤波器优化的结构参数,获得了100%高透射率的光谱输出。红色、绿色、蓝色对应的滤波器谐振波长分别为683 nm、517 nm和444 nm。 展开更多

关键词 抑制全内反射 带通滤波器 共振隧穿

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一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管

5

作者 熊承诚 孙亚宾 石艳玲 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期94-99,139,共7页

设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析。对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从... 设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析。对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势。仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×10^(12)和24.5 mV/dec。另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗。 展开更多

关键词 带带隧穿(btbt) 双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET) 扩展源(ES) 开关电流比 亚阈值摆幅(SS)

原文传递

平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计

6

作者 赵磊 吕亚威 +3 位作者 常胜 王豪 黄启俊 何进 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期227-230 240,240,共5页

不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。... 不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。从能带结构和传输谱上给出了该器件负微分电阻特性的理论解释,并由器件的输出特性得到了验证。在此基础上对器件的隧穿工作机理做出了探讨。该场效应管在一个器件上实现了多个负微分电阻区域,可应用于多值逻辑电路设计。 展开更多

关键词 石墨烯纳米带 场效应管 隧穿 能带结构

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基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计

7

作者 刘安琪 吕亚威 +3 位作者 常胜 黄启俊 王豪 何进 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第8期537-543,共7页

隧穿场效应晶体管（TFET）在低功耗领域具有很好的应用前景,以优化新型准一维TFET为目的,通过数值仿真研究了以石墨烯纳米带（GNR）为沟道材料的准一维TFET以及受器件尺寸和掺杂浓度控制的器件输运特性及开态和关态电流。以能带调控理... 隧穿场效应晶体管（TFET）在低功耗领域具有很好的应用前景,以优化新型准一维TFET为目的,通过数值仿真研究了以石墨烯纳米带（GNR）为沟道材料的准一维TFET以及受器件尺寸和掺杂浓度控制的器件输运特性及开态和关态电流。以能带调控理论结合局域态密度与电流谱密度间的关系为手段对隧穿效应的机理进行了详细的探讨,分析了禁带宽度、栅覆盖范围、沟道长度和源漏掺杂浓度4个变量对输运过程的影响,进而确定了其对器件性能影响的变化趋势,并总结了相应原则,得到了有利于提高驱动能力、降低静态功耗以及满足数字电路一般性要求的准一维器件的设计策略。这一研究可为基于准一维材料的TFET的设计提供参考,推动基于平面材料的新型器件的发展。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 准一维材料 石墨烯纳米带(GNR) 隧穿机理 开关电流比(Ion/Ioff)

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P-SiTFTs带间隧穿电流的建模研究

8

作者 李树花 李斌 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第3期6-8,共3页

介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFTs)中的带间隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-SiTFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路。

关键词 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿 建模

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半导体多重直角势垒结构中的电子共振隧穿 被引量：4

9

作者 吴晓薇 郭子政 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 1994年第4期35-41,共7页

把一维Ｎ重直角势垒结构共振隧穿问题的解析工作推广到以多个势垒为单元任意重复排列的统一模型，并考虑了价带的影响。对单元Ｍ为单势垒和双势垒的结构得到简便的透射系数公式。本文结果还证明，发生共振隧穿的电子能量必须位于以Ｍ为... 把一维Ｎ重直角势垒结构共振隧穿问题的解析工作推广到以多个势垒为单元任意重复排列的统一模型，并考虑了价带的影响。对单元Ｍ为单势垒和双势垒的结构得到简便的透射系数公式。本文结果还证明，发生共振隧穿的电子能量必须位于以Ｍ为原胞的周期系统的允许带内，考虑价带影响后，同等条件下发生共振隧穿的能量明显增大。 展开更多

关键词 共振隧穿 半导体超晶格 四带K·P模型 包络函数近似 传输矩阵方法

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二维光量子阱共振隧穿光谱特性的改善 被引量：1

10

作者 刘靖 孙军强 +1 位作者 黄重庆 黄德修 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期325-330,共6页

用时域有限差分法研究了光子晶体量子阱中的量子化能态。研究发现,开腔与闭腔光量子阱结构共振透射峰的数目相同,位置几乎不变,但闭腔光量子阱出射光强更强,透射率更大,频率选择性更好,品质因子Q值更高。同时计算了开腔和闭腔光量子阱... 用时域有限差分法研究了光子晶体量子阱中的量子化能态。研究发现,开腔与闭腔光量子阱结构共振透射峰的数目相同,位置几乎不变,但闭腔光量子阱出射光强更强,透射率更大,频率选择性更好,品质因子Q值更高。同时计算了开腔和闭腔光量子阱光场分布,结果表明,开腔光量子阱为行波阱,闭腔光量子阱为驻波阱,充分证实了闭腔光量子阱更能束缚光场的设想,对其作用机理进行了探讨。 展开更多

关键词 闭腔光量子阱 开腔光量子阱 共振隧穿 透射率 光子禁带

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一种新型隧穿场效应晶体管

11

作者 卜建辉 许高博 +4 位作者 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期185-188,共4页

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件... 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(btbt) 双极效应

原文传递

内建电场对应变多量子阱带阶的影响 被引量：1

12

作者 许丽萍 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期19-21,共3页

隧穿电流的大小依赖于带阶的大小。内建电场会改变多量子阱的结构 ,使其由方阱变为斜阱 ,导致其带阶发生改变。本文定量地给出了由内建电场导致的价带阶变化及其斜率。对沿任意方向生长的立方超晶格系统 ,当其特征厚度小于临界值 (欠临... 隧穿电流的大小依赖于带阶的大小。内建电场会改变多量子阱的结构 ,使其由方阱变为斜阱 ,导致其带阶发生改变。本文定量地给出了由内建电场导致的价带阶变化及其斜率。对沿任意方向生长的立方超晶格系统 ,当其特征厚度小于临界值 (欠临界系统 )时 ,给出了内建电场与应变的定量关系。针对不同的量子阱系统 ,当生长方向沿着 [111]方向时 ,计算了三种类型、2 1种组分、由内建电场引起的价带阶变化量。所有结果在线性领域及没有相变的情况下都是适用的。 展开更多

关键词 内建电场 应变 多量子阱 带阶 隧穿电流

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GeSi/Si共振隧穿二极管 被引量：1

13

作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期627-634,共8页

GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅... GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。 展开更多

关键词 GeSi/Si共振隧穿二极管 GeSi/Si异质结 GeSi/Si带间共振隧穿二极管 能带结构 材料结构

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一种感应PN结隧穿场效应晶体管

14

作者 张雪锋 王国军 +1 位作者 顾春德 郭兴龙 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期429-432 501,501,共5页

提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、... 提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、高的开/关态电流比(ION/IOFF为107)以及低至9ps的本征延迟时间,表明利用该结构的TFET器件有望构成高速低功耗逻辑单元。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 亚阈值斜率

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纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型 被引量：3

15

作者 芦宾 王大为 +3 位作者 陈宇雷 崔艳 苗渊浩 董林鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第21期336-343,共8页

纳米线环栅隧穿场效应晶体管相比于其他多栅器件具有更强的短沟道效应抑制能力及更优异的电学特性.器件模型能够模拟器件电学特性,对于器件及电路的实际应用极为关键.目前,已有纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电流模型报道,但是尚没有电... 纳米线环栅隧穿场效应晶体管相比于其他多栅器件具有更强的短沟道效应抑制能力及更优异的电学特性.器件模型能够模拟器件电学特性,对于器件及电路的实际应用极为关键.目前,已有纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电流模型报道,但是尚没有电容模型的相关报道.电容模型主要用于瞬态特性模拟,对于评估电路速度转换和频率特性至关重要.由于没有可用的电容模型,纳米线环栅隧穿场效应晶体管电路方面的研究主要通过数值迭代的方法开展,该方法不仅对硬件平台要求高,且耗时长,还容易出现收敛性问题,只能勉强用于极小规模电路模块,对于包含晶体管数目较多的电路无能为力.本文针对以上问题,从基本的器件物理出发,建立了纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型,该模型不涉及任何数值迭代过程.相比于数值模型,该模型计算速度快、过程稳定,能够加速纳米线环栅隧穿场效应晶体管器件及电路的相关研究. 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 纳米线 电容模型

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可双向导通的凹栅隧穿晶体管

16

作者 陈树鹏 王树龙 +3 位作者 刘红侠 李伟 汪星 王倩琼 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期70-74,168,共6页

传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进... 传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进行了验证.分析了器件的掺杂、尺寸等工艺参数对其能带及性能的影响机制.结果表明,该器件在0.5V驱动电压下获得了5×106的开关比,最小亚阈值摆幅仅为12mV/dec.总的来说,该器件在低驱动电压下具有较大的开关比以及非常陡峭的亚阈值曲线斜率,适用于超低功耗设计应用. 展开更多

关键词 带带隧穿 隧穿晶体管 凹栅 双向电流通路

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一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管 被引量：1

17

作者 马恺璐 靳晓诗 《微处理机》 2020年第4期1-4,共4页

提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响。该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体管更低,利用了深肖特基势垒来克服由隧穿产生的电流;通过最大化源漏与硅体接触界面处的正向导通电流,即带... 提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响。该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体管更低,利用了深肖特基势垒来克服由隧穿产生的电流;通过最大化源漏与硅体接触界面处的正向导通电流,即带带隧穿电流,利用辅助栅电极有效地抑制反向漏电流。和传统SB MOSFET或者JL FETs相比,此器件能实现低亚阈值摆幅、更小的反向偏置GIDL电流、高开关电流比,并使导通电流大于普通的TFET;其对称结构也使其与MOSFET技术更加融合。 展开更多

关键词 肖特基势垒 带带隧穿 肖特基势垒MOSFET 隧穿场效应晶体管

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石墨炔/石墨烯异质结纳米共振隧穿晶体管第一原理研究

18

作者 王天会 李昂 韩柏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第18期238-244,共7页

石墨烯和石墨炔的化学相容性表明它们能够以不同形式组合在一起,从而构建新型超高频纳米晶体管.通过石墨烯-石墨炔-石墨烯异质结纳米带构建双极器件模拟了两种新型纳米共振隧穿晶体管,根据基于密度泛函理论的第一原理和非平衡格林函数... 石墨烯和石墨炔的化学相容性表明它们能够以不同形式组合在一起,从而构建新型超高频纳米晶体管.通过石墨烯-石墨炔-石墨烯异质结纳米带构建双极器件模拟了两种新型纳米共振隧穿晶体管,根据基于密度泛函理论的第一原理和非平衡格林函数方法对该晶体管的电子结构和量子输运特性进行了理论计算.电子透射谱和电流-电压曲线的计算结果证明该晶体管的电流主要来源于共振隧穿跃迁并可由横向栅极电压控制,因此可用作超高频纳米晶体管. 展开更多

关键词 石墨烯 石墨炔 纳米带异质结构 共振隧穿晶体管

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GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管

19

作者 王素元 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期364-370,共7页

提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道... 提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道区和漏区,从而避免了使用复杂的离子注入工艺和引入随机掺杂波动。该器件减小了隧穿路径宽度,提高了开态电流,获得了更陡峭的亚阈值摆幅。仿真结果表明GeSn/Ge-hetero JLTFET的开态电流为7.08×10^-6 A/μm,关态电流为3.62×10^-14 A/μm,亚阈值摆幅为37.77 mV/dec。同时,GeSn/Ge-hetero JLTFET的相关参数(跨导、跨导生成因子、截止频率和增益带宽积)的性能也优于传统器件。 展开更多

关键词 无结型隧穿场效应晶体管(JLTFET) GeSn Ge 带带隧穿(btbt) 亚阈值摆幅

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γ-石墨炔基分子磁隧道结的输运性能

20

作者 李瑾 邸茂云 +1 位作者 刘旭光 杨致 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期1953-1962,共10页

对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能... 对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能。研究结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带连接方式不同,所构建的几种分子磁隧道结输运性能不同,即随着电压的增加,三种分子磁隧道结中电流的变化趋势不同,虽然都观察到了明显的自旋过滤效应和巨磁阻效应,但自旋极化率和隧穿磁阻不同,其中隧穿磁阻最大可达10^(9)%量级,这一数值远高于传统磁隧道结,实验上这一数值只有18%。以上结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带所组成的磁隧道结可以应用于自旋电子器件,也可用于通过改变电压或磁场信号得到相应的电流从而起到信息传递作用的分子传感器。 展开更多

关键词 分子磁隧道结(MMTJ) 石墨炔纳米点 石墨烯纳米带(GNR) 自旋过滤效应 隧穿磁阻效应

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