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多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模
被引量：
1
1
作者
李树花
李斌
吴为敬
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第3期64-67,共4页
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度...
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.
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关键词
多晶硅薄膜晶体管
带间隧穿效应
泄漏区
下载PDF
职称材料
题名
多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模
被引量：
1
1
作者
李树花
李斌
吴为敬
机构
华南理工大学微电子研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第3期64-67,共4页
基金
国家自然科学基金项目(60776020)
Cadence公司资助项目
文摘
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.
关键词
多晶硅薄膜晶体管
带间隧穿效应
泄漏区
Keywords
polysilicon TFT
band-to-band tunneling
leakage region
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模
李树花
李斌
吴为敬
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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