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一种新型带曲率补偿的带隙基准
1
作者 李新 高梦真 杨森林 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第7期878-883,共6页
针对传统带隙基准存在温度漂移大以及电源抑制比低的问题,提出了一种新型的带曲率补偿的带隙基准电压源。采用基极电流补偿以及曲率补偿技术对传统带隙基准结构进行改进。设计了低失配改进电路、低温漂改进以及启动电路等。利用共源共... 针对传统带隙基准存在温度漂移大以及电源抑制比低的问题,提出了一种新型的带曲率补偿的带隙基准电压源。采用基极电流补偿以及曲率补偿技术对传统带隙基准结构进行改进。设计了低失配改进电路、低温漂改进以及启动电路等。利用共源共栅电流镜技术和负反馈网络保证带隙基准输出电压,极大程度降低了运放失调电压对带隙基准电压的干扰,实现了低温漂特性。基于东部高科0.18μm BCD工艺,在Cadence Spectre下进行仿真。仿真结果表明:该带隙基准电路在-40~150℃温度范围内,输入电压为5 V,输出电压稳定在1.192 V;温度系数为4.84×10^(-6)/℃;在低频时电源抑制比为-78 dB。 展开更多
关键词 带隙基准 基极电流补偿 曲率补偿 低温度系数 电源抑制比
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一种低温漂低功耗的带隙基准电压源设计
2
作者 张涛 刘逸冬 刘劲 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期617-624,共8页
为了提高DC-DC转换器的性能,提出了一种电压带隙基准。通过调节参数抵消掉两路电流的一阶温度项,得到了只具有常数项和高阶温度项的电流,从而在输出电阻上转化为电压补偿三极管的高阶温度项,进而使得带隙具有较低的温度系数。之后在输... 为了提高DC-DC转换器的性能,提出了一种电压带隙基准。通过调节参数抵消掉两路电流的一阶温度项,得到了只具有常数项和高阶温度项的电流,从而在输出电阻上转化为电压补偿三极管的高阶温度项,进而使得带隙具有较低的温度系数。之后在输出端加上RC滤波器,使得高频段的电源抑制比得到提升。同时为了探索带隙在低功耗下的工作特性,几乎将所有MOS管置于亚阈值区,达到降低静态电流的效果。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺完成了电路的设计与仿真,结果表明,在1.8 V的电源电压下,带隙输出为1.256 V;在-40~140℃的变化范围内,温度系数为6.3×10^(-6)℃^(-1);通过增加RC滤波器,高频电源抑制比为-65 dB@10 MHz;而且整个带隙的静态电流仅有6.2μA。 展开更多
关键词 带隙基准 温度补偿 亚阈值 温度系数
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一种高PSRR低温漂无运放带隙基准
3
作者 王凯 张方晖 +2 位作者 杨旭 王义晨 李梓腾 《现代电子技术》 北大核心 2024年第23期171-175,共5页
针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降... 针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降低基准电压的高阶温度系数,输出端采用共源共栅结构提高电源抑制比。基于SMIC 0.18μm BCD工艺在Cadence环境下对电路进行仿真,仿真结果表明:在-40~125℃范围内,电路的温度系数为3.187×10^(-6)/℃,10 Hz时电源抑制比为-88.6 dB,1 MHz时电源抑制比为-50.2 dB。在考虑启动电路影响的情况下,电路在5 V电源下的静态电流为3.78μA,带隙基准的版图面积为160μm×183μm。可实现对基准电压高阶温度项的补偿,降低温度系数,并在没有滤波电容的条件下提高带隙基准的PSRR。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 电源抑制比 温度系数 补偿电流 启动电路
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一种采用分段温度补偿的低温漂带隙基准源 被引量：1
4
作者 席银征 李楠 刁节涛 《微电子学与计算机》 2024年第1期118-125,共8页
提出了一款宽温度范围、低温漂系数的带隙基准源。以Banba结构的带隙基准源作为核心电路,产生开口向下的抛物线状输出基准电压,将抛物线顶点向高温段移动,使输出基准电压的高温段趋于平缓,利用分段温度补偿技术对低温段进行曲率补偿,补... 提出了一款宽温度范围、低温漂系数的带隙基准源。以Banba结构的带隙基准源作为核心电路,产生开口向下的抛物线状输出基准电压,将抛物线顶点向高温段移动,使输出基准电压的高温段趋于平缓,利用分段温度补偿技术对低温段进行曲率补偿,补偿电流由不同温度系数的电流相减产生,有效降低了温漂系数,并拓宽了带隙基准源工作的温度范围。在0.18μm的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺下进行电路性能验证,仿真结果表明,在-50~150℃的温度范围内,提出的带隙基准源的温漂系数为0.65 ppm/℃,在1.8 V的电源电压下输出电压为760 mV,版图面积仅为0.01 mm^(2)。 展开更多
关键词 带隙基准源 分段温度补偿 温漂系数 宽温度范围 互补金属氧化物半导体(CMOS)
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基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
5
作者 王坤 关晓宁 +5 位作者 康智博 张凡 张焱超 邓旭光 周峰 芦鹏飞 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期816-821,共6页
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 m... 为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除。结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA~10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R 2达到0.9992,说明电路性能良好。此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中。 展开更多
关键词 探测器 读出电路 暗电流抑制 像元共享 带隙基准
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体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析
6
作者 文溢 陈建军 +3 位作者 梁斌 池雅庆 邢海源 姚啸虎 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期169-174,共6页
为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量... 为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量足够高时,BGR的输出电压显著增加,且退火后电压不能恢复,表明BGR发生了单粒子硬损伤(single-event hard damage,SHD),进一步的试验研究证明BGR中的三极管是诱发SHD的敏感器件。该研究为在体硅CMOS工艺下对BGR进行抗SHD加固设计提供了重要理论参考。 展开更多
关键词 带隙基准 单粒子硬损伤 脉冲激光试验 体硅CMOS工艺
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一种精确分段补偿的带隙基准电压源设计
7
作者 何浩 冯全源 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期328-334,共7页
针对传统的带隙基准电压的温漂系数较高的问题,设计了一种低温漂系数的带隙基准电压源。分别引入正负温度系数电流在高温和低温阶段对带隙基准电压进行线性补偿。NPN管作为开关管,通过工作在线性区的NMOS管作为等效电阻将正负温度系数... 针对传统的带隙基准电压的温漂系数较高的问题,设计了一种低温漂系数的带隙基准电压源。分别引入正负温度系数电流在高温和低温阶段对带隙基准电压进行线性补偿。NPN管作为开关管,通过工作在线性区的NMOS管作为等效电阻将正负温度系数电流转换成基极电压,控制NPN管导通和截止,进而控制开始和结束补偿的温度,实现精确补偿。基于SMIC 0.18μm工艺通过Cadence进行仿真。仿真结果为:在输入电压5 V时,温度在-40~125℃内,输出电压经过精确补偿后,温漂系数从16.48×10^(-6)/℃下降到0.829×10^(-6)/℃。输出基准电压最大仅变化152μV。在室温下,低频时电源抑制比为73.7 dB,电压源可以在2.8~7.5 V稳定工作。 展开更多
关键词 带隙基准 精确补偿 温漂系数 分段补偿
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一种采用高阶曲率补偿的带隙基准源
8
作者 黄朝轩 李现坤 魏敬和 《电子技术应用》 2024年第10期7-13,共7页
基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温... 基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温度系数更低。根据仿真结果,该带隙基准电压在-55℃~125℃温度范围内,输出电压的最大压差为0.3766 mV,温度系数为1.762 ppm/℃,低频时电源抑制比(PSRR)为-73.9 dB。该带隙基准源已应用于某一高精度的低压差线性稳压器(LDO)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 高阶曲率补偿 温度系数 电源抑制比 VBE线性化
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一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计 被引量：1
9
作者 吴宏元 张章 +1 位作者 程威 马永波 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期762-766,共5页
文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的... 文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的两级放大器结构。针对某些系统快速启动的需求,设计快速启动电路,当电源上电时启动电路直接作用于基准电压,加速带隙基准电路的启动,在电路正常启动后通过开关管使启动电路停止工作。仿真结果表明,温度在-40~125℃范围内,带隙基准的温漂系数为13.05×10^(-6)℃^(-1);低频时PSRR为100.6 dB;线性调整率(line regulation,LNR)为0.024 mV/V;启动时间为4μs。 展开更多
关键词 电源抑制比(PSRR) 快速启动 带隙基准 负反馈回路 温漂系数 线性调整率(LNR)
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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
10
作者 娄义淳 杜承钢 +3 位作者 闵睿 郑倩 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期742-748,共7页
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基... 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。 展开更多
关键词 双极型 带隙基准源 超低温漂 Brokaw模型 二阶补偿
原文传递
一种带曲率补偿的低功耗带隙基准设计
11
作者 张祖静 冯全源 刘恒毓 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期54-59,共6页
为了改善传统带隙基准中运放输入失调影响电压精度和无运放带隙基准电源抑制差的问题,设计了一款基于0.35μm BCD工艺的自偏置无运放带隙基准电路。提出的带隙基准源区别于传统运放箝位,通过负反馈网络输出稳定的基准电压,使其不再受运... 为了改善传统带隙基准中运放输入失调影响电压精度和无运放带隙基准电源抑制差的问题,设计了一款基于0.35μm BCD工艺的自偏置无运放带隙基准电路。提出的带隙基准源区别于传统运放箝位,通过负反馈网络输出稳定的基准电压,使其不再受运算放大器输入失调电压的影响;在负反馈环路与共源共栅电流镜的共同作用下,增强了输出基准的抗干扰能力,使得电源抑制能力得到了保证;同时采用指数曲率补偿技术,使得所设计的带隙基准源在宽电压范围内有良好的温度特性;且采用自偏置的方式,降低了静态电流。仿真结果表明,在5 V电源电压下,输出带隙基准电压为1.271 V,在-40~150℃工作温度范围内,温度系数为5.46×10^(-6)/℃,电源抑制比为-87 dB@DC,静态电流仅为2.3μA。该设计尤其适用于低功耗电源管理芯片。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 自偏置 指数曲率补偿 负反馈 温度系数 电源抑制 低功耗
原文传递
一种低温漂低压差的带隙基准电压源设计
12
作者 李龙澳 魏海龙 尤路 《电子产品世界》 2024年第6期21-26,共6页
在传统Brokaw型带隙基准电压源结构的基础上,添加了一种电阻温度补偿网络,利用不同温度系数电阻的温度特性,实现了带隙基准电压源的高阶温度补偿,提高了带隙基准电压源的温度稳定性;通过添加低压差输出结构,扩展了带隙基准电压源在不同... 在传统Brokaw型带隙基准电压源结构的基础上,添加了一种电阻温度补偿网络,利用不同温度系数电阻的温度特性,实现了带隙基准电压源的高阶温度补偿,提高了带隙基准电压源的温度稳定性;通过添加低压差输出结构,扩展了带隙基准电压源在不同电压输入情况下的应用区间。仿真结果表明:在-45~155℃的温度范围内、5.1 V电源电压下,温度系数为3.96×10^(-6) V/℃,电源抑制比为-78 dB,输出压差低至100 mV左右。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低温漂 低压差输出
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一种低压高PSRR电流模带隙基准电压源的设计
13
作者 杨艳军 张成彬 +1 位作者 陈鸣 贺娟 《集成电路应用》 2024年第1期30-32,共3页
阐述一种改进型电流模带隙基准,通过改变传统结构中电流镜的比例,显著地提高了基准电压的PSRR。采用55nm CMOS工艺同时设计了这两种带隙基准电路,电源电压均为1.2V,输出基准电压为0.6V。Cadence仿真结果表明,传统电流模带隙基准和改进... 阐述一种改进型电流模带隙基准,通过改变传统结构中电流镜的比例,显著地提高了基准电压的PSRR。采用55nm CMOS工艺同时设计了这两种带隙基准电路,电源电压均为1.2V,输出基准电压为0.6V。Cadence仿真结果表明,传统电流模带隙基准和改进型电流模带隙基准在10Hz的PSRR分别为-63.7dB和-129.4dB,在-40~125℃的温度范围内,其温度系数分别为10.4ppm/℃和19.5ppm/℃。 展开更多
关键词 电子器件 带隙基准 电源抑制比 电流模式 温度系数
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一种高精度低功耗带隙基准电压源的设计
14
作者 王鑫宇 姜丹丹 颜哲 《成都信息工程大学学报》 2024年第5期560-566,共7页
基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度低功耗二阶温度补偿带隙基准电压源。该电路利用双极型晶体管基极-发射极电压的叠加来产生一个二阶温度补偿电压,并与一阶温度补偿电压加权相加得到一个低温度系数的基准电压。带隙基准电压源内... 基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度低功耗二阶温度补偿带隙基准电压源。该电路利用双极型晶体管基极-发射极电压的叠加来产生一个二阶温度补偿电压,并与一阶温度补偿电压加权相加得到一个低温度系数的基准电压。带隙基准电压源内部放大器结构采用折叠型共源共栅放大器来提高带隙基准电压源的精度。电路采用3~3.6 V电压供电,基准输出电压为1.2555 V左右。仿真结果表明,在-55℃~125℃,典型情况下的温度系数为2.03 ppm/℃,电路PSRR在低频时可达-78 dB,整体静态电流只有10.8μA。与常规带隙基准电压源电路相比,该电路具有低功耗、高精度、高电源电压抑制比、宽工作电压和结构简单等优点。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 二阶补偿 低温度系数 电源抑制比
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一种Brokaw结构的斩波稳定型带隙基准源设计
15
作者 邬森宇 刘一婷 《微处理机》 2024年第2期8-12,共5页
针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤... 针对传统带隙基准电压源在工艺误差的影响下输出电压精度较低的问题,设计一款低失调电压斩波稳定型带隙基准电压源。该带隙基准电压源包含带隙基准源核心、基准电流源、折叠式共源共栅放大器、斩波器、陷波滤波器等,通过斩波器和陷波滤波器配合使用滤除掉放大器的失调电压和低频噪声。使用TSMC 0.18μm CMOS工艺,在Cadence Virtuoso平台进行验证,仿真结果表明该带隙基准源能稳定输出1.228V基准电压,且具有较小的失调电压和较小的低频噪声,适用于高精度的应用场合。 展开更多
关键词 斩波调制 带隙基准 低失调 低噪声
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一种采用激光修调的高精度带隙基准电压源
16
作者 韩前磊 王成皓 +1 位作者 钟道鸿 杨伟伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期906-911,共6页
基于Brokaw带隙基准模型设计了一种高精度、低温漂的基准电压源。采用金属薄膜电阻的低温漂特性降低基准电压的温漂系数,并通过后期的激光修调实现基准电压的高精度输出;采用p型基区电阻的正温漂特性,引入一个正温度系数的二阶电压分量... 基于Brokaw带隙基准模型设计了一种高精度、低温漂的基准电压源。采用金属薄膜电阻的低温漂特性降低基准电压的温漂系数,并通过后期的激光修调实现基准电压的高精度输出;采用p型基区电阻的正温漂特性,引入一个正温度系数的二阶电压分量,实现带隙基准电压的二阶曲率补偿,进一步减小输出基准电压的温漂系数。采用双极型工艺完成设计,对电路进行测试。测试结果表明,5~36 V的电源电压范围内可稳定输出2.5 V、3 V的基准电压,输出电压温漂为2.17×10^(-6)/℃,输出电压误差绝对值为0.15 mV,线性调整率为2.85μV/V,输出短路电流为44.35 mA,静态电流为0.68 mA。 展开更多
关键词 带隙基准 高精度 低温漂 激光修调 曲率补偿
原文传递
一种宽输入范围高PSR带隙基准电路设计
17
作者 李思源 李亚军 +1 位作者 张有涛 钱峰 《电子技术应用》 2024年第4期38-43,共6页
从DC-DC芯片电路的实际设计需求出发,设计了一款输入电压范围在2.5~15 V的带隙基准电路。通过预调节电路的设计,带隙基准核输出的基准电压转化为一个稳定的电流源,形成的负反馈结构给带隙基准核自身提供供电电压,提高了电源电压范围上限... 从DC-DC芯片电路的实际设计需求出发,设计了一款输入电压范围在2.5~15 V的带隙基准电路。通过预调节电路的设计,带隙基准核输出的基准电压转化为一个稳定的电流源,形成的负反馈结构给带隙基准核自身提供供电电压,提高了电源电压范围上限;通过电压选择电路,在电源电压低于5 V时使带隙基准核直接由电源电压供电,拓宽了电源电压范围的下限。同时,预调节电路和带隙基准核中共源共栅结构为电路带来了良好的电源抑制特性。设计基于0.25μm BCD工艺,完成了原理图、版图设计以及仿真,结果表明设计在-55℃~125℃的温度范围内,可以输出稳定的0.8 V电压,温度系数为7.78 ppm/℃;低频条件下PSR达到159 dB,线性调整率为0.0012%。 展开更多
关键词 带隙基准 PSR 预调节电路 电压选择电路
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新型低功耗低温漂带隙基准电路设计
18
作者 孙丰毅 李建成 《中国集成电路》 2024年第3期50-53,77,共5页
本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极... 本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极晶体管基极-发射极电压和工作在亚阈值区域具有正温度系数的MOS管栅极-源极电压相加权,构成一个带隙基准电压。设计采用110nm半导体工艺,电源电压1.8V,在典型工艺角下,-40℃~105℃温度范围内平均功耗电流为948nA,温漂系数为11.64ppm/℃。 展开更多
关键词 低功耗 低温漂 带隙基准 负温度系数 亚阈值 正温度系数
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基于亚阈值区的CMOS带隙基准电压源设计
19
作者 郭俊 郭小平 +1 位作者 詹国斌 叶晨宇 《电子产品世界》 2024年第2期19-23,共5页
基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金... 基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)带隙基准电压源结构,从而消除了传统经典电源中对双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)工艺的依赖。此外,在低温段和高温段分别增加二阶补偿电路。仿真结果表明,在Cadence软件的台积电65 nm工艺下,提出的基准源成功实现了温度补偿,并在较宽的温度范围内具有较低的温漂系数。 展开更多
关键词 带隙基准 CMOS 二阶补偿 温漂系数
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一种带有斩波调制的带隙基准源设计
20
作者 朱翔 黄嵩人 《微处理机》 2024年第5期20-24,共5页
为了降低失调电压和噪声对传统带隙基准的影响,采用SMIC 40 nm CMOS工艺,提出一种低温漂、低噪声、高精度的电压型带隙基准。对温度系数调制电阻和输出分压电阻采用电阻矩阵修调,减小工艺对温度系数和带隙基准电压的影响;采用斩波调制... 为了降低失调电压和噪声对传统带隙基准的影响,采用SMIC 40 nm CMOS工艺,提出一种低温漂、低噪声、高精度的电压型带隙基准。对温度系数调制电阻和输出分压电阻采用电阻矩阵修调,减小工艺对温度系数和带隙基准电压的影响;采用斩波调制与低通滤波器结合,大幅减小失调电压和噪声对基准电压的影响。使用Cadence Spectre工具进行仿真,当电源电压为3.3 V时,典型条件下该基准源在-40~125℃的温度范围内输出电压的温度系数为5.87×10^(-6)/℃,加入斩波电路后,噪声相较普通带隙基准显著降低,且相对精度提高了50倍。 展开更多
关键词 带隙基准 温度系数 斩波调制 电源抑制比
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