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基于低电压与高PSRR的带隙电压基准源设计
1
作者 杨永念 《集成电路应用》 2024年第1期38-40,共3页
阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电... 阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电路以及数字信号处理系统中有较好适用性。 展开更多
关键词 电路设计 低电压 高PSRR 带隙电压基准源
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一种高性能CMOS带隙电压基准源设计 被引量：25
2
作者 朱樟明 杨银堂 +1 位作者 刘帘曦 朱磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期542-546,共5页
采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运... 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm. 展开更多
关键词 CMOS 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿
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高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源 被引量：13
3
作者 张万东 陈宏 +3 位作者 王一鹏 于奇 宁宁 王向展 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期57-60,共4页
基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内... 基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×10-7/℃。设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5 V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时-为95.4 dB,在1 kHz时为-92.4 dB。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 高阶曲率补偿 高电源抑制比
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一种简单的高精度3阶补偿带隙电压基准源 被引量：4
4
作者 吴杰 方健 +2 位作者 杨毓俊 陶垠波 臧凯旋 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期460-463,共4页
基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结... 基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～120℃温度范围内,5V工作电压下,该带隙基准源的输出电压为1.204V,温度系数为1.9×10-6 V/℃,在1kHz时,电源抑制比为58dB。 展开更多
关键词 3阶补偿 带隙电压基准源 BICMOS
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低压CMOS带隙电压基准源设计 被引量：4
5
作者 朱磊 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 付永朝 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期246-249,264,共5页
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏... 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC0.35μmCMOS工艺实现,采用HSPICE进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体工艺 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
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一种10-ppm/~oC低压CMOS带隙电压基准源设计 被引量：21
6
作者 朱樟明 杨银堂 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第4期118-120,128,共4页
在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身... 在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身的电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35mm CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。 展开更多
关键词 CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
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一种低压CMOS带隙电压基准源 被引量：6
7
作者 郑浩 叶星宁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期542-544,548,共4页
设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8 μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn＝0.85 V,Vthp＝-0.95 V.用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在... 设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8 μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn＝0.85 V,Vthp＝-0.95 V.用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在0～100 ℃范围内,温度系数(TC)可达15 ppm /℃,在27 ℃时输出电压变化率为±2.95 mV/V.博士研究生,副教授,主要从事功率集成电路设计和电力电子技术应用研究与教学工作. 展开更多
关键词 CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数
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一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计 被引量：4
8
作者 李淼 冯全源 《微计算机信息》 北大核心 2007年第04Z期294-295,227,共3页
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进... 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 电源抑制比 温度补偿 共源共栅电流镜
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一种2V、9μA、15×10^(-6)/℃高电源抑制CMOS带隙电压基准源 被引量：1
9
作者 李文冠 姚若河 郭丽芳 《电子器件》 CAS 2008年第5期1490-1494,共5页
通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR。基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源。该带隙电压基准源采用TSMC0.6μm、两层POL... 通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR。基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源。该带隙电压基准源采用TSMC0.6μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.0528mm2。测试结果表明:其最大工作电流为9μA;在2～5V工作电压下温度系数为15×10-6/℃;线调整率为50μV/V;100kHz的PSR为-70dB。仿真与测试结果验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 低功耗 高电源抑制 CMOS
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一种低温漂低压差的带隙基准电压源设计
10
作者 李龙澳 魏海龙 尤路 《电子产品世界》 2024年第6期21-26,共6页
在传统Brokaw型带隙基准电压源结构的基础上,添加了一种电阻温度补偿网络,利用不同温度系数电阻的温度特性,实现了带隙基准电压源的高阶温度补偿,提高了带隙基准电压源的温度稳定性;通过添加低压差输出结构,扩展了带隙基准电压源在不同... 在传统Brokaw型带隙基准电压源结构的基础上,添加了一种电阻温度补偿网络,利用不同温度系数电阻的温度特性,实现了带隙基准电压源的高阶温度补偿,提高了带隙基准电压源的温度稳定性;通过添加低压差输出结构,扩展了带隙基准电压源在不同电压输入情况下的应用区间。仿真结果表明:在-45~155℃的温度范围内、5.1 V电源电压下,温度系数为3.96×10^(-6) V/℃,电源抑制比为-78 dB,输出压差低至100 mV左右。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低温漂 低压差输出
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一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源设计 被引量：1
11
作者 钱星 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 岑明灿 蔡超波 《无线电工程》 北大核心 2023年第8期1910-1916,共7页
针对传统带隙基准电压源温度系数大、电源抑制比低等问题,设计了一种低温漂高电源抑制比的带隙基准电压源。将具有二阶温度项的亚阈值状态NMOS管漏电流转化为电压,以消除输出支路三极管的二阶温度项,实现二阶温度补偿;增加了一个前置的... 针对传统带隙基准电压源温度系数大、电源抑制比低等问题,设计了一种低温漂高电源抑制比的带隙基准电压源。将具有二阶温度项的亚阈值状态NMOS管漏电流转化为电压,以消除输出支路三极管的二阶温度项,实现二阶温度补偿;增加了一个前置的新型预稳压电路,以提高基准源的电源抑制能力。SMIC 180 nm CMOS工艺下的后仿真结果表明,当供电电压为3.3 V时,在-40~140℃,温度系数为3.05×10-6/℃;在低于1 kHz的频率范围内,电源电压抑制比(PSRR)为-105 dB,整体静态电流仅为32μA。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 预稳压 亚阈值曲率补偿 高电源抑制比 低温漂
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一种新型CMOS带隙基准电压源 被引量：1
12
作者 吴旭 陈迪平 +2 位作者 黄嵩人 季惠才 王镇道 《电子与封装》 2012年第4期16-19,共4页
传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准... 传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比（PSRR）为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 温度系数 电源抑制比
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一种可减小工艺影响的带隙基准电压源
13
作者 蒋正萍 巫从平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期761-763,共3页
提出了一种新颖的基准电压源结构,有效地减小了运算放大器由于工艺偏差给基准电压源带来的影响。该电路在面积上与现有传统结构基本相同,并且具有与传统结构相同的温度补偿系数和良好的电源抑制比(PSRR)。
关键词 带隙电压基准源 温度补偿 正比于温度 负比于温度
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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 被引量：11
14
作者 吴志明 黄颖 +2 位作者 吕坚 王靓 李素 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期453-456,共4页
介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得... 介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃～85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 互补型金属氧化物半导体 电源抑制比 温度系数
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高精度带隙基准电压源的实现 被引量：28
15
作者 江金光 王耀南 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期852-857,共6页
提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .... 提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W. 展开更多
关键词 高精度 电流补偿 温度补偿 温度系数 带隙基准电压源 EEACC 1280 2570D
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通用二阶曲率补偿带隙基准电压源 被引量：7
16
作者 吴贵能 周玮 +1 位作者 李儒章 董少青 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-208,共5页
详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,... 详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。 展开更多
关键词 模拟集成电路 带隙基准电压源 曲率补偿 CMOS
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一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源 被引量：4
17
作者 陈迪平 吴旭 +2 位作者 黄嵩人 季惠才 王镇道 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期48-51,共4页
为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达... 为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中. 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低压 正温度系数 负温度系数 电源抑制比
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一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源 被引量：5
18
作者 周前能 罗毅 +3 位作者 徐兰 李红娟 唐政维 罗伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期300-305,共6页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比(PSRR)、高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前... 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比(PSRR)、高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前调整器技术,使得该BGR获得高PSRR特性。仿真结果表明,当温度在-55℃~125℃范围变化时,该BGR的温度系数为8.1×10-7/℃,在10Hz、100 Hz、1kHz、10kHz、100kHz频率处的PSRR分别为-90.15、-90.13、-89.83、-81.15、-58.78dB。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 前调整器 电源抑制比
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一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 被引量：19
19
作者 汪宁 魏同立 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期330-333,共4页
　文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。
关键词 CMOS 带隙基准电压源 亚阈值 低功耗 低电压 电源抑制比
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一种实用的曲率补偿带隙基准电压源 被引量：5
20
作者 胡波 李骏 +2 位作者 廖良 石红 曾莉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期764-767,共4页
介绍了一种带隙基准电压源二阶曲率补偿技术及其在传统双极工艺中的实现。与传统带隙基准电压源相比，这种结构只需增加几个电阻，便可极大地改善温度特性。Hspice仿真结果表明，在-55～125℃范围内，温度系数可以减小到7ppm／℃这种结... 介绍了一种带隙基准电压源二阶曲率补偿技术及其在传统双极工艺中的实现。与传统带隙基准电压源相比，这种结构只需增加几个电阻，便可极大地改善温度特性。Hspice仿真结果表明，在-55～125℃范围内，温度系数可以减小到7ppm／℃这种结构可通过其他IC工艺实现，具有极高的实用价值。 展开更多
关键词 曲率补偿 带隙基准电压源 模拟集成电路
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