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高功率低阻抗三平板传输线的设计 被引量:7
1
作者 关永超 王勐 +1 位作者 丰树平 曹文斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期519-523,共5页
设计了Z箍缩实验装置中单路模块样机的低阻抗水介质三平板结构的传输线。根据三平板传输线的结构参数及相关计算公式,得到所设计的三平板传输线实际阻抗为4.08Ω(设计阻抗为4.00Ω)。在考虑传输线内板边缘与水箱耦合电容影响的条件下,... 设计了Z箍缩实验装置中单路模块样机的低阻抗水介质三平板结构的传输线。根据三平板传输线的结构参数及相关计算公式,得到所设计的三平板传输线实际阻抗为4.08Ω(设计阻抗为4.00Ω)。在考虑传输线内板边缘与水箱耦合电容影响的条件下,采用有限元方法精确计算得到三平板传输线阻抗为3.77Ω。根据实验得到的传输线入口、出口电压电流测量结果,计算得到三平板传输线的实际运行阻抗为3.83Ω,与计算结果基本一致。另外,还对三平板传输线进行了静电场计算和分析,耐压实验表明,当三平板传输线出口电压达到3.1 MV时,未出现绝缘闪络,绝缘设计满足指标要求。 展开更多
关键词 Z箍缩 PTS装置 平板传输线 特性阻抗 耦合电容
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三平板传输线结构的解析分析方法 被引量:1
2
作者 毛重阳 王冠琼 王小光 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期87-92,共6页
在考虑不等宽度三平板传输线的极板边缘效应和极板厚度的条件下,建立了单位长度电容、特性阻抗和各位置电场强度幅值的解析求解方法。该方法利用保角变换,将三平板传输线的不规则场边界变换为规则边界,所得结果是不带有任何近似的准确... 在考虑不等宽度三平板传输线的极板边缘效应和极板厚度的条件下,建立了单位长度电容、特性阻抗和各位置电场强度幅值的解析求解方法。该方法利用保角变换,将三平板传输线的不规则场边界变换为规则边界,所得结果是不带有任何近似的准确值。该方法计算结果与利用商业软件Ansoft进行模拟所得结果一致,证明该方法正确且可行。 展开更多
关键词 特性阻抗 平板传输线 保角变换 施瓦茨-克里斯托费尔变换 分式线性变换 解析求解
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斜平板传输线内的TEM波及其特性阻抗 被引量:1
3
作者 王福谦 《光纤与电缆及其应用技术》 2013年第5期14-15,29,共3页
利用复数坐标系z上的保角变换,研究斜平板传输线内TEM波的场结构,计算出其特性阻抗,并将其数值与平行板传输线的情况予以比较,得到平行板传输线由于导体板倾斜而使其特性阻抗增大的结论。
关键词 平板传输线 保角变换 TEM波场结构 特性阻抗
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斜平板线内TEM波的场结构及平板倾斜角度对其传输性能的影响
4
作者 王福谦 《大学物理》 北大核心 2015年第6期16-18,32,共4页
通过求解拉普拉斯方程,研究斜平板传输线内TEM波的场结构并进行仿真,讨论平板倾斜角度对其传输性能的影响,并将其特性阻抗数值与平行平板传输线的情况予以比较,得到其特性阻抗随平板倾斜角度增大的结论.研究结论对定量计算实际生产中出... 通过求解拉普拉斯方程,研究斜平板传输线内TEM波的场结构并进行仿真,讨论平板倾斜角度对其传输性能的影响,并将其特性阻抗数值与平行平板传输线的情况予以比较,得到其特性阻抗随平板倾斜角度增大的结论.研究结论对定量计算实际生产中出现的工艺偏差,提高平板传输线的质量,具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 平板传输线 TEM波的场结构 平板倾斜角度 特性阻抗 传输性能
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基于光导开关和平板线的固态脉冲功率技术 被引量:4
5
作者 谌怡 夏连胜 +4 位作者 王卫 刘毅 张篁 石金水 章林文 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第1期32-36,共5页
紧凑型固态化是脉冲功率技术发展的趋势,研究了基于GaAs光导开关和陶瓷平板传输线的固态脉冲功率技术。紧凑型固态脉冲功率系统的关键部件主要包括固态陶瓷平板传输线,高功率GaAs光导开关以及激光二极管触发系统。研究了单路Blumlein脉... 紧凑型固态化是脉冲功率技术发展的趋势,研究了基于GaAs光导开关和陶瓷平板传输线的固态脉冲功率技术。紧凑型固态脉冲功率系统的关键部件主要包括固态陶瓷平板传输线,高功率GaAs光导开关以及激光二极管触发系统。研究了单路Blumlein脉冲形成线输出特性,分析了GaAs光导开关非线性导通带来的损伤,并开展了单路Blumlein脉冲形成线实验。结果表明:研制基于固态平板传输线、光导开关以及激光二极管触发系统的紧凑型脉冲功率具有可行性,负载上获得了超过20 kV的高压脉冲输出。 展开更多
关键词 脉冲功率技术 陶瓷平板传输线 GAAS光导开关 激光二极管 Blumlein 线
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介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量 被引量:1
6
作者 谌怡 刘毅 +4 位作者 王卫 夏连胜 张篁 石金水 章林文 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第6期867-870,共4页
GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间... GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间隙为3 mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Ω,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤,降低脉冲功率系统的电压输出能力,缩短GaAs光导开关的使用寿命。 展开更多
关键词 GAAS光导开关 平板传输线 同轴电缆 通态电阻 热损伤
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V频段圆柱龙伯透镜天线设计 被引量:2
7
作者 官正涛 《电讯技术》 北大核心 2017年第6期730-733,共4页
设计并实现了一种V频段圆柱龙伯透镜天线。在平行平板波导间,根据龙伯透镜原理与介电常数等效原理,推导出了圆柱龙伯透镜天线的理论设计公式,并结合商业仿真软件高频结构仿真器(HFSS)仿真分析和优化,完成天线设计。仿真结果表明,该V频... 设计并实现了一种V频段圆柱龙伯透镜天线。在平行平板波导间,根据龙伯透镜原理与介电常数等效原理,推导出了圆柱龙伯透镜天线的理论设计公式,并结合商业仿真软件高频结构仿真器(HFSS)仿真分析和优化,完成天线设计。仿真结果表明,该V频段圆柱龙伯透镜天线增益为21.4 dBi,波束宽度为1.56°,副瓣电平为-14.7 dB。根据设计结果,加工和测试验证V频段圆柱龙伯透镜天线的可实现性,实测结果表明,该天线增益为20.1 dBi,波束宽度为1.60°,副瓣电平为-11.1 dB,天线效率为45.7%,说明该天线具有一定的工程应用价值。 展开更多
关键词 V频段卫星通信 圆柱龙伯透镜天线 平行平板传输线 孔径效率
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用于等离子体焦点装置的强流装置
8
作者 李名加 杨军 +3 位作者 王文川 梁川 郭洪生 章法强 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期104-107,共4页
研制了用于稠密等离子体焦点的强流装置,该装置采用八台低电感低内阻脉冲电容器和八个低感大电流、可控触发高压开关并联组成初级储能模块,高压开关同步击穿后产生μs级强电流经平行板传输线加载到负载。脉冲电容器和高压开关采用一体... 研制了用于稠密等离子体焦点的强流装置,该装置采用八台低电感低内阻脉冲电容器和八个低感大电流、可控触发高压开关并联组成初级储能模块,高压开关同步击穿后产生μs级强电流经平行板传输线加载到负载。脉冲电容器和高压开关采用一体化设计,结构紧凑,使脉冲电容器与高压开关间的连接电感尽可能小;平板传输线为扇形结构,一个扇形平板传输线连接一个高压开关,平行板传输线可以将电感做得较小,有利于大电流回路的传输。在脉冲电容器充电20kV时,假负载上可以得到500kA的电流,电流上升时间约为3.7μs。 展开更多
关键词 稠密等离子体焦点 强流 平板传输线 高压开关
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GaAs光导开关的通态电阻测量及分析
9
作者 谌怡 刘毅 +5 位作者 王卫 夏连胜 张篁 朱隽 石金水 章林文 《高能量密度物理》 2012年第4期151-155,共5页
为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻。结果表明:电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Q,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤、... 为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻。结果表明:电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Q,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤、降低脉冲功率系统的电压输出能力,并缩短GaAs光导开关的使用寿命。 展开更多
关键词 GAAS光导开关 平板传输线 同轴电缆 通态电阻 热损伤
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微波器件微放电阈值计算的快速单粒子蒙特卡罗方法 被引量:6
10
作者 李永东 闫杨娇 +2 位作者 林舒 王洪广 刘纯亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期317-321,共5页
为了计算微波器件的微放电阈值,提出了一种快速单粒子蒙特卡罗方法.该方法对二次电子出射能量、出射角度和相位等参数进行随机处理,结合四阶龙格库塔法和Furman模型模拟了电子运动和二次电子发射系数,并以多次连续碰撞的二次电子发射系... 为了计算微波器件的微放电阈值,提出了一种快速单粒子蒙特卡罗方法.该方法对二次电子出射能量、出射角度和相位等参数进行随机处理,结合四阶龙格库塔法和Furman模型模拟了电子运动和二次电子发射系数,并以多次连续碰撞的二次电子发射系数的算数平均值作为微放电效应发生的判据.以平板传输线横电磁模式为研究对象,分别采用快速单粒子蒙特卡罗方法、统计模型、传统蒙特卡罗方法以及粒子模拟方法计算其微放电阈值和敏感区域.计算结果表明,该方法不仅具有与统计模型和粒子模拟方法相当的计算精度,而且比统计模型方法的适应性更强,比传统蒙特卡罗方法的稳定性更好,比粒子模拟方法的计算效率高几十倍以上. 展开更多
关键词 微放电 单粒子蒙特卡罗方法 平板传输线 敏感区域
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微波器件微放电阈值计算的蒙特卡罗方法研究 被引量:2
11
作者 林舒 闫杨娇 +1 位作者 李永东 刘纯亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期359-364,共6页
为了精准快速地计算微波器件中微放电效应的阈值,在传统蒙特卡罗方法的基础上,提出了三种不同的蒙特卡罗方法,分别对二次电子的初始能量、出射角度和初始相位等参数进行随机,结合四阶龙格-库塔法和Furman模型计算电子的运动轨迹和单次... 为了精准快速地计算微波器件中微放电效应的阈值,在传统蒙特卡罗方法的基础上,提出了三种不同的蒙特卡罗方法,分别对二次电子的初始能量、出射角度和初始相位等参数进行随机,结合四阶龙格-库塔法和Furman模型计算电子的运动轨迹和单次碰撞产生的二次电子发射系数,然后应用不同的方法计算有效二次电子发射系数作为微放电效应的判据.以平板传输线TEM模式为研究对象,采用四种不同的蒙特卡罗方法计算微放电阈值,并与统计模型结果进行对比.结果表明单电子-多碰撞蒙特卡罗方法误差最小,而且稳定性最好. 展开更多
关键词 微放电阈值 平板传输线 蒙特卡罗方法
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