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柔性并五苯薄膜晶体管的制备及性能优化
1
作者 周淑君 刘锦 +3 位作者 孟寒冰 张晓丹 周小叶 王玉佩 《渤海大学学报（自然科学版）》 CAS 2023年第2期159-165,共7页
采用了一种全新的方法,应用真空沉积技术在弹性的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘层上制备了均匀致密的并五苯薄膜.实验结果显示,通过氧等离子体处理和十八烷基三氯硅烷(OTS)气相修饰PDMS绝缘层,对沉积大晶粒的并五苯薄膜进而获得高迁移率的... 采用了一种全新的方法,应用真空沉积技术在弹性的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘层上制备了均匀致密的并五苯薄膜.实验结果显示,通过氧等离子体处理和十八烷基三氯硅烷(OTS)气相修饰PDMS绝缘层,对沉积大晶粒的并五苯薄膜进而获得高迁移率的薄膜场效应晶体管有着至关重要的作用.实验中通过优化氧等离子体处理和OTS修饰的条件,在先后经过100 s氧等离子体处理和7 h气相OTS修饰的PDMS绝缘层上,制备并五苯薄膜场效应晶体管,其最高迁移率可以达到0.58 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1).后续实验中在PDMS绝缘层上尝试并成功地制备了柔性的并五苯薄膜场效应晶体管.这一实验结果拓宽了PDMS作为柔性绝缘层可以通过真空沉积技术制备薄膜器件的能力,在未来大规模柔性电子产品的制备和优化中具有巨大的应用潜力. 展开更多
关键词 柔性 并五苯 薄膜晶体管 聚二甲基硅氧烷 氧等离子体处理 十八烷基三氯硅烷 气相修饰
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具有长程可塑性的基于TIPS并五苯光突触晶体管
2
作者 沈梓鸿 杨尊先 郭太良 《光电子技术》 CAS 2023年第3期238-242,共5页
采用限域诱导结晶法,通过溶液法制备有机小分子半导体TIPS并五苯、聚苯乙烯和钙钛矿量子点的光突触晶体管,研究薄膜的结构和光电性质,考察突触晶体管受到不同光刺激条件调控的突触性能和行为。聚苯乙烯发挥提高有机小分子半导体薄膜结... 采用限域诱导结晶法,通过溶液法制备有机小分子半导体TIPS并五苯、聚苯乙烯和钙钛矿量子点的光突触晶体管,研究薄膜的结构和光电性质,考察突触晶体管受到不同光刺激条件调控的突触性能和行为。聚苯乙烯发挥提高有机小分子半导体薄膜结晶度以及维持突触器件长程光电流的双重作用。同时,有机复合薄膜器件实现了图形感知和记忆功能,对发展人工视觉系统具有重要意义。 展开更多
关键词 突触晶体管 TIPS并五苯 聚苯乙烯 长程可塑性 溶液法
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并五苯分子光谱和激发态的密度泛函理论研究 被引量：4
3
作者 杜恭贺 任兆玉 +1 位作者 黄耀清 杨传波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1874-1877,共4页
采用密度泛函理论对并五苯分子做理论研究.在几何结构优化的基础上,对其进行频率分析得到了分子的红外光谱和喇曼光谱,并对谱线中的各峰值做了具体指认,同时也得到了分子的最高占据轨道和最低空轨道能隙为2.17eV.利用含时密度泛函理论... 采用密度泛函理论对并五苯分子做理论研究.在几何结构优化的基础上,对其进行频率分析得到了分子的红外光谱和喇曼光谱,并对谱线中的各峰值做了具体指认,同时也得到了分子的最高占据轨道和最低空轨道能隙为2.17eV.利用含时密度泛函理论对其激发态计算,得到最低十个跃迁允许的单激发态.对前线分子轨道最高占据轨道和最低空轨道分析得到,C-C原子之间形成离域π键.结果表明:并五苯是一种良好的有机半导体材料,并具有很好的发光性能. 展开更多
关键词 密度泛函理论 并五苯 红外光谱 喇曼光谱 激发态
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并五苯晶体薄膜的生长 被引量：3
4
作者 张素梅 石家纬 +5 位作者 刘建军 刘明大 郭树旭 王伟 赵玲 李靖 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期288-289,共2页
用物理气相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜 .用 1 0～ 3 0 mg的源生长出 2 0～ 3 0 mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜 .利用 TEM,SEM和
关键词 并五苯晶体薄膜 物理气相沉积法 有机半导体薄膜 薄膜生长 水平生长系统
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并五苯薄膜晶体管及其应用 被引量：4
5
作者 王伟 石家纬 +2 位作者 郭树旭 刘明大 全宝富 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期253-256,共4页
　有机薄膜晶体管(TFT)在数据存储、集成电路、传感器诸方面的广泛应用引起了人们极大的兴趣。在有机TFT的研究中,并五苯TFT占有很重要的地位。介绍了并五苯薄膜晶体管的结构、工作原理及其应用,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行... 　有机薄膜晶体管(TFT)在数据存储、集成电路、传感器诸方面的广泛应用引起了人们极大的兴趣。在有机TFT的研究中,并五苯TFT占有很重要的地位。介绍了并五苯薄膜晶体管的结构、工作原理及其应用,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行了展望。 展开更多
关键词 并五苯 有机薄膜晶体管 迁移率
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以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管 被引量：3
6
作者 陶春兰 董茂军 +4 位作者 张旭辉 孙硕 张福甲 李东仓 欧谷平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1630-1631,1634,共3页
报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移... 报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V.s),开关电流比约为104。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 并五苯 AFM 有机场效应晶体管 迁移率
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并五苯的溶解及其薄膜性能表征 被引量：2
7
作者 张旭辉 陶春兰 +2 位作者 张福甲 刘一阳 张浩力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1771-1775,共5页
报道了并五苯的邻-1,2-氯苯溶液的制备方法及在Si和SiO2表面形成的固态薄膜的紫外-可见光光谱(UV-Vis)、光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)的表征结果.该溶液在100℃左右能形成较大面积、较均匀的多晶并五... 报道了并五苯的邻-1,2-氯苯溶液的制备方法及在Si和SiO2表面形成的固态薄膜的紫外-可见光光谱(UV-Vis)、光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)的表征结果.该溶液在100℃左右能形成较大面积、较均匀的多晶并五苯薄膜. 展开更多
关键词 并五苯溶液 薄膜 UV-VIS AFM SEM XRD
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Au原子对并五苯传输性质影响的理论探讨 被引量：2
8
作者 耿允 吴水星 +5 位作者 李海斌 段雨爱 杨国春 苏忠民 廖奕 孙光延 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1819-1824,共6页
在密度泛函理论框架下,结合Marcus理论,重点讨论了并五苯-Au体系4种异构体的传输性质,分别从分子内重组能、转移积分和空穴传输速率3个方面研究了Au原子的引入对并五苯传输性质的影响.计算结果表明,Au原子的引入使并五苯的重组能的主要... 在密度泛函理论框架下,结合Marcus理论,重点讨论了并五苯-Au体系4种异构体的传输性质,分别从分子内重组能、转移积分和空穴传输速率3个方面研究了Au原子的引入对并五苯传输性质的影响.计算结果表明,Au原子的引入使并五苯的重组能的主要贡献由C-C单双键的伸缩振动转变为Au原子与并五苯之间的拉伸振动,并且这种拉伸振动随着Au原子位置从中心到边缘逐渐加强.此外,Au原子的引入对分子间的转移积分也产生了一定的影响,造成了相对小的转移积分值,应为分子构型和轨道分布两方面共同作用的结果. 展开更多
关键词 并五苯 传输材料 传输性质 密度泛函理论 Marcus理论
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并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作 被引量：2
9
作者 郭树旭 刘建军 +3 位作者 王伟 张素梅 石家纬 刘明大 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期417-420,共4页
采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、... 采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。 展开更多
关键词 并五苯材料 场效应发光管 发光机理 制作 有机单晶薄膜
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并五苯薄膜的AFM及XRD研究 被引量：2
10
作者 陶春兰 张旭辉 +4 位作者 董茂军 欧谷平 张福甲 刘一阳 张浩力 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页
报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相... 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。 展开更多
关键词 并五苯薄膜 有机场效应晶体管(OFETs) AFM XRD
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PbS/并五苯场效应晶体管红外光电探测器 被引量：2
11
作者 杨丹 范荣华 +3 位作者 苗丽华 匡宝平 申笑颜 黄和 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第1期165-169,共5页
合成了尺寸均匀、分散性好,且吸收峰在近红外光谱区的硫化铅(PbS)量子点(QDs),并将其作为红外光吸收源与易于成膜且电学性能优良的有机化合物并五苯(Pentacene)相结合,形成量子点/并五苯复合薄膜作为有源层,采用顶栅底接触型水平场效应... 合成了尺寸均匀、分散性好,且吸收峰在近红外光谱区的硫化铅(PbS)量子点(QDs),并将其作为红外光吸收源与易于成膜且电学性能优良的有机化合物并五苯(Pentacene)相结合,形成量子点/并五苯复合薄膜作为有源层,采用顶栅底接触型水平场效应晶体管(FET)结构制备了红外光电探测器Au(S,D)/PbS QDs/Pentacene/PMMA/Al(G)。测试了暗态和980 nm波长激光照射下器件的电学参数和探测参数;探究了器件中载流子的传输机制;得到了电学和探测性能优良的PbS量子点/并五苯复合薄膜FET红外光电探测器,在辐照度为0.1 mW/cm^2的红外激光照射下,器件的响应度达到49.4 mA/W,对应探测率为1.7×10^11 Jones。 展开更多
关键词 红外光电探测器 场效应晶体管 量子点 并五苯
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氟化并五苯分子光谱和激发态的密度泛函理论研究 被引量：1
12
作者 钟寿仙 杜恭贺 +1 位作者 任兆玉 黄元河 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期50-53,共4页
采用密度泛函理论(DFT)计算了氟化并五苯分子.在几何结构优化的基础上,对其进行频率分析得到了分子的红外光谱和拉曼光谱,并对谱线中的各峰值做了具体指认,同时得到了分子的HOMO-LUMO能隙2.02 eV,表明其是有机半导体材料.利用含时密度... 采用密度泛函理论(DFT)计算了氟化并五苯分子.在几何结构优化的基础上,对其进行频率分析得到了分子的红外光谱和拉曼光谱,并对谱线中的各峰值做了具体指认,同时得到了分子的HOMO-LUMO能隙2.02 eV,表明其是有机半导体材料.利用含时密度泛函理论(TDDFT)对其激发态计算,得到最低10个跃迁允许的单激发态,并分析了光谱的波长范围. 展开更多
关键词 密度泛甬理论(DFT) 氟化并五苯 红外光谱 拉曼光谱 激发态
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5,12-二硫杂-7,14-二氮杂-5,7,12,14-四氢并五苯及其相关化合物二阶非线性光学性质的理论研究 被引量：1
13
作者 封继康 高晓顺 +1 位作者 肖长永 孙家钟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期273-276,共4页
在ZINDO方法基础上，按完全态求和（SOS）公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk、βu的程序．研究了不同取代基在5，12-二硫杂-7，14-二氮杂-5，7，12，14-四氢并五苯侧环取代衍生物及相关化合物的结构、光谱和二阶非线性光学性... 在ZINDO方法基础上，按完全态求和（SOS）公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk、βu的程序．研究了不同取代基在5，12-二硫杂-7，14-二氮杂-5，7，12，14-四氢并五苯侧环取代衍生物及相关化合物的结构、光谱和二阶非线性光学性质。结果表明：侧环上取代推、拉电于基团对增大二阶光学非线性都有利；分子共平面，共轭作用强，对增大二阶光学非线性有利． 展开更多
关键词 二硫杂 二氮杂 四氢并五苯 非线性光学性质
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低电压并五苯薄膜场效应晶体管 被引量：1
14
作者 王伟 石家纬 +6 位作者 张宏梅 梁昌 全宝富 郭树旭 刘明大 方俊峰 马东阁 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页
利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.
关键词 并五苯薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 聚甲基丙烯酸甲酯 场效应迁移率
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微波辐射合成5,12-二氢-5,7,12,14-四氮杂并五苯 被引量：1
15
作者 玄光善 张庆珍 +1 位作者 姜皓然 刘杰 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1337-1340,共4页
以微波辐射辅助的方法合成5,12-二氢-5,7,12,14-四氮杂并五苯,实验证明微波辐射能促进2,3-二羟基吩嗪和邻苯二胺反应。经正交试验分析,确定微波辐射反应最佳条件如下:2,3-二羟基吩嗪和邻苯二胺摩尔比为1∶6;反应时间为150s;2,3-二羟基... 以微波辐射辅助的方法合成5,12-二氢-5,7,12,14-四氮杂并五苯,实验证明微波辐射能促进2,3-二羟基吩嗪和邻苯二胺反应。经正交试验分析,确定微波辐射反应最佳条件如下:2,3-二羟基吩嗪和邻苯二胺摩尔比为1∶6;反应时间为150s;2,3-二羟基吩嗪与乙酸量之比为1∶1(mol/mL)。经1H NMR、MS、熔点测定,确定目标产物。 展开更多
关键词 微波 合成 5 12-二氢-5 7 12 14-四氮杂并五苯 正交试验
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法可林中间体5,14-二氢-5,7,12,14-四氮并五苯的合成 被引量：1
16
作者 冯根锋 王元元 +2 位作者 李辉辉 赵艳萍 肖亚平 《精细化工中间体》 CAS 2012年第5期32-35,共4页
2条路线合成了5,14-二氢-5,7,12,14-四氮并五苯。分离得到三氯化铁氧化邻苯二胺的氧化产物,副产物被证明能生成5,14-二氢-5,7,12,14-四氮并五苯。相比较第一条路线收率更高,是合成5,14-二氢-5,7,12,14-四氮并五苯的首选。
关键词 法可林 四氮并五苯 合成
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并五苯场效应晶体管的研制
17
作者 陶春兰 董茂军 +1 位作者 张旭辉 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期860-862,共3页
以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过... 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。 展开更多
关键词 并五苯 场效应晶体管 XRD AFM 迁移率
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P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制
18
作者 董茂军 陶春兰 +3 位作者 孙硕 李建丰 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期858-859,共2页
以P＋＋硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0．31c... 以P＋＋硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0．31cm^2/V.s。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管 并五苯 迁移率
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物理汽相生长并五苯晶体薄膜
19
作者 张素梅 石家纬 +5 位作者 刘建军 刘明大 郭树旭 王伟 赵玲 李靖 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期418-420,共3页
用物理汽相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜。用 10～ 30毫克的源生长出 2 0～ 30mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜。利用扫描电镜 (SEM )、透射电镜 (TEM )和X射线衍射仪 (XRD)
关键词 物理汽相沉积 晶体薄膜 并五苯
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硅取代并五苯的结构及磁性研究
20
作者 杨洪芳 孔令乾 +1 位作者 徐静 周连文 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1684-1687,共4页
本文中我们理论设计了一类硅取代并苯,并且采用DFT和CASSCF方法计算并分析了其结构和电子性质。研究表明,硅取代并苯从一个环到四个环仍保持闭壳层单重态(CS态)基态属性,扩展到五个环即硅取代并五苯时,体系开始以开壳层破损态单重态(BS... 本文中我们理论设计了一类硅取代并苯,并且采用DFT和CASSCF方法计算并分析了其结构和电子性质。研究表明,硅取代并苯从一个环到四个环仍保持闭壳层单重态(CS态)基态属性,扩展到五个环即硅取代并五苯时,体系开始以开壳层破损态单重态(BS态)为能量基态并具有明显的双自由基性质,这与母体并五苯是闭壳层\单重态基态的情况截然不同。同时,其BS态能量基态导致其内部具有明显的反铁磁性,这使得硅取代并五苯具有了构建磁性可控反铁磁性材料的应用潜力。这项工作为设计开发并苯基磁性材料提供了一个合理思路,具有一定的应用意义。 展开更多
关键词 硅取代并五苯 开壳层单重态双自由基 反铁磁性 密度泛函理论
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