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分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 被引量：2
1
作者 孙殿照 王晓亮 +6 位作者 胡国新 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期202-204,230,共4页
用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μm厚 )室温电子迁移率达3 0 0 cm2 /V· s,背景电子浓度低... 用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μm厚 )室温电子迁移率达3 0 0 cm2 /V· s,背景电子浓度低至 2× 1 0 1 7cm- 3。双晶 X射线衍射 (0 0 0 2 )摇摆曲线半高宽为 6arcmin。 Al Ga N/Ga N二维电子气材料最高的室温和 77K二维电子气电子迁移率分别为 73 0 cm2 /V·s和 1 2 0 0 cm2 /V· s,相应的电子面密度分别是 7.6× 1 0 1 2 cm- 2和 7.1× 1 0 1 2 cm- 2 ;用所外延的 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制备出了性能良好的 Al Ga N/Ga N HFET(异质结场效应晶体管 ) ,室温跨导为 5 0 m S/mm(栅长 1 μm) ,截止频率达 1 3 GHz(栅长 0 .5μm)。该器件在 3 0 0°C出现明显的并联电导 。 展开更多
关键词 分子束外延 ALGAN/GAN Ⅲ族氮化物材料 二维电子气 异质结场效应晶体管 氮化镓 氮化铝
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12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 被引量：1
2
作者 王玉林 吴仲华 +1 位作者 徐中仓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期110-113,共4页
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。
关键词 异质结 双栅功率 场效应晶体管
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Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
3
作者 张效玮 贾科进 +2 位作者 房玉龙 冯志红 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期589-592,608,共5页
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结... InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。 展开更多
关键词 INALN GaN AlGaN双异质结 异质结场效应晶体管(hfet) 附加功率效率 碳 化硅(SiC) 功率增益截止频率 最高振荡频率
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N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）
4
作者 房玉龙 王现彬 +7 位作者 吕元杰 王英民 顾国栋 宋旭波 尹甲运 冯志红 蔡树军 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期114-118,共5页
由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线... 由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^(-2)和1035cm^2/(V·s)。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管(HFET)。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。 展开更多
关键词 N极性 GaN/AlGaN 异质结场效应晶体管(hfet) 异质结 金属有机化学气相沉积(MOCVD)
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势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
5
作者 房玉龙 张志荣 +5 位作者 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第5期399-403,共5页
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰... 设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰值漏极电流密度分别达到684 mA/mm和600 mA/mm,峰值跨导分别达到102 mS/mm和167 mS/mm。通过分析随机半径上的峰值跨导分布发现,对于势垒层Al组分呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN异质结构,由于每个AlGaN台阶层都是独立的,并且在外延过程中可以独立控制生长,其外延材料的方块电阻和HFET峰值跨导的相对标准偏差分别低至0.71%和0.7%,优于势垒层Al组分呈线性梯度分布的AlGaN/GaN结构及其HFET,这对后续规模化应用时的工艺控制和均匀性控制提供了便利。AlGaN/GaN台阶梯度异质结构的分层生长模式更有利于每层的独立优化。这种台阶梯度结构有望促进GaN器件在无线通信领域的规模化应用。 展开更多
关键词 台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(hfet) 均匀性 无线通信
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分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)
6
作者 谢自力 邱凯 +3 位作者 尹志军 方小华 王向武 陈堂胜 《电子器件》 CAS 2000年第4期258-261,共4页
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ... 用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。 展开更多
关键词 场效应晶体管 分子束外延生长 INGAAS/GAAS 异质结
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i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
7
作者 王德宁 顾聪 王渭源 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第3期286-292,共7页
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D<I_(DS)时两者符合得甚好... 本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D<I_(DS)时两者符合得甚好。本文讨论了温度对V_(ik)的影响;器件的结构参数:栅长L、栅宽W,源电阻R_S,GaAlAs厚度d,GaAs迁移率和温度对G_m的影响。并指出了提高HIGFETs性能的可能途径。 展开更多
关键词 异质结 场效应晶体管 绝缘
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Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究
8
作者 王菡滨 刘梦新 +1 位作者 毕津顺 李伟 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第3期413-417,423,共6页
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电... Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电流、关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积的影响。通过仿真实验和计算分析发现,Si/Ge异质结DGTFET的开态/关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积随Pocket区掺杂浓度增大而增大,而Pocket区厚度对器件性能没有明显影响。研究结果为TFET器件的直流、频率特性优化提供了指导。 展开更多
关键词 异质结 双栅 隧穿场效应晶体管 数值仿真
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InGaAs／InAlAs／InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀 被引量：1
9
作者 梁玉英 《半导体情报》 1995年第2期47-50,共4页
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔ... ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构... 展开更多
关键词 异质结 场效应晶体管 hfet 腐蚀 铟 镓 砷 铝 磷
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一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管
10
作者 江瑞 《科技创新与应用》 2022年第12期44-46,51,共4页
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP_Si/Ge_DGTFET)。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构,禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流,同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势... 文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP_Si/Ge_DGTFET)。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构,禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流,同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势垒。基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。仿真结果表明,该新器件拥有更好的亚阈值摆幅和开关特性,其开态电流为6.0×10^(-5) A/μm,关态电流约为10^(-14) A/μm,平均亚阈值摆幅达到35.36 mV/dec。 展开更多
关键词 异质结 隧穿场效应晶体管(TFET) 带带隧穿(BTBT) 亚阈值摆幅 TCAD仿真
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一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管的设计
11
作者 许会芳 《德州学院学报》 2022年第2期20-23,共4页
隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点,但其开态电流低。因此,提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管,器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV,靠近漏区... 隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点,但其开态电流低。因此,提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管,器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV,靠近漏区的顶栅的功函数为5.25 eV。器件的源区采用窄能隙材料砷化铟以提升器件在源-沟结的隧穿率,从而提升器件的开态电流以及器件的跨导特性。同时,器件的漏-源电容比较小,提升器件的增益带宽乘积、截止频率、跨导频率乘积等射频特性。研究表明,该器件可以应用到未来的低功耗及射频领域。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管 异质结 开态电流 射频特性
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基于酞菁钯和C_(60)的异质结有机光敏场效应管
12
作者 陈德强 姚博 +2 位作者 吕文理 高鹏杰 彭应全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期629-633,共5页
采用酞菁钯(PdPc)和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n+-Si/SiO2/PdP... 采用酞菁钯(PdPc)和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)器件的最大光暗比为2×103,光响应度为3 mA/W;而结构为n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S&D)(C60/PdPc-OFET)器件的最大光暗比为3×103,光响应度为11mA/W。实验结果表明C60/PdPc-OFET可以获得更好的光敏特性。 展开更多
关键词 有机光敏场效应晶体管 酞菁钯 C60 异质结
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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
13
作者 徐红钢 陈效建 +1 位作者 高建峰 郝西萍 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期276-280,共5页
提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss... 提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。 展开更多
关键词 铟镓磷/砷化镓 二维空穴气 p沟异质结场效应晶体管
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基于Sentaurus的隧穿场效应晶体管仿真研究
14
作者 江瑞 《科技与创新》 2022年第7期174-177,共4页
隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一。提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。研究... 隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一。提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。研究两者能带结构、隧穿概率和跨导特性。仿真结果显示,新型器件的能带弯曲更加明显,更有利于隧穿的产生,新型器件的隧穿产生率是传统器件的数倍,其峰值达到1.497×10^(33) cm^(-3)·s^(-1),并且其跨导特性也要优于传统器件。 展开更多
关键词 异质结 隧穿场效应晶体管(TFET) 跨导特性 TCAD仿真
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基于半导体性单壁碳纳米管/富勒烯异质结的高性能透明全碳光电探测器
15
作者 张罗茜 尹欢 +2 位作者 陈越 朱明奎 苏言杰 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1243-1257,共15页
利用半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点,本文构筑了基于半导体SWCNT(sc-SWCNT)/富勒烯(C60)异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成,全碳... 利用半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点,本文构筑了基于半导体SWCNT(sc-SWCNT)/富勒烯(C60)异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成,全碳异质结作为导电沟道材料,金属性SWCNT作为源漏电极,氧化石墨烯(GO)作为介质层,在可见光波段的透光率均高于80%。电学测试结果表明:该光电探测器表现出了较强的栅控能力,实现了从405~1064 nm的可见光-近红外宽光谱响应,在5 mW/cm^(2)的940 nm激光照射下,该器件光电响应率可以达到18.55 A/W,比探测率达到5.35×10^(11)Jones,同时,表现出了优异的循环稳定性。 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 富勒烯 全碳异质结 高透明度 场效应晶体管光电探测器
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AlGaN/GaN异质结电荷密度和内建电场强度的调控
16
作者 庄芹芹 林伟 +1 位作者 闫金健 陈佳坭 《厦门理工学院学报》 2023年第5期12-16,共5页
为了优化AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的性能,实现对异质结界面附近电荷密度和内建电场强度的调控,采用第一性原理计算方法,通过改变AlGaN势垒层的Al组分,或掺入少量用于p型掺杂的Mg原子进行模拟计算。结果表明,在一定范围内增大Al的组... 为了优化AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的性能,实现对异质结界面附近电荷密度和内建电场强度的调控,采用第一性原理计算方法,通过改变AlGaN势垒层的Al组分,或掺入少量用于p型掺杂的Mg原子进行模拟计算。结果表明,在一定范围内增大Al的组分能够有效提高AlGaN/GaN异质结界面附近的载流子浓度;异质结界面处的内建电场强度随着Al组分的增大而单调增大,当x=0.50、0.75时,计算所得内建电场强度分别约为x=0.25时的2倍、3倍;在使用少量Mg原子进行p型掺杂时,内建电场强度和电荷密度都显著减小。通过改变Al组分和掺入Mg原子来调控异质结界面附近电荷密度与内建电场强度是可行和有效的。 展开更多
关键词 结场效应晶体管 ALGAN/GAN异质结 电荷密度 内建电场 第一性原理
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新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化
17
作者 糜昊 马鑫 +1 位作者 苗渊浩 芦宾 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期441-448,共8页
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和... 设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化,最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec,开态电流可达0.64μA/μm,开关比值约为9×10^(8),该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFETs) 线隧穿 Ge/Si异质结 环栅 亚阈值摆幅
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基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文） 被引量：2
18
作者 吕元杰 冯志红 +6 位作者 张志荣 宋旭波 谭鑫 郭红雨 尹甲运 房玉龙 蔡树军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准... 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值. 展开更多
关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(hfets) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax)
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GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应 被引量：3
19
作者 张志国 杨瑞霞 +3 位作者 李丽 李献杰 王勇 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期50-55,共6页
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各... 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。 展开更多
关键词 氮化镓 异质结场效应晶体管 极化效应 二维电子气 电流崩塌效应
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基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文） 被引量：1
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作者 吕元杰 冯志红 +6 位作者 宋旭波 张志荣 谭鑫 郭红雨 房玉龙 周幸叶 蔡树军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工... 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触
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