Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结材料的XPS研究

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作者 任殿胜 华庆恒 +1 位作者 刘咏梅 严如岳 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1997年第3期272-275,共4页

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并... 用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。 展开更多

关键词 XPS 异质结材料 铝 镓 砷

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GaAs基异质结材料MBE生长及应用

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作者 邱凯 尹志军 谢自力 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期227-230,共4页

对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .7μm时 ,跨导 gm≥ 40 0 m S/mm,BVDS>1 5 V,BVGS>1 2 V。

关键词 异质结材料 MBE 分子束外延 调制掺杂 晶体管 低温砷化镓

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应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 被引量：3

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作者 邹吕凡 王占国 +4 位作者 孙殿照 张靖巍 李建平 孔梅影 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期333-336,共4页

用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对... 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面． 展开更多

关键词 GSMBE 异质结材料 外延生长 X射线双晶衍射

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不同g-C_3N_4/WO_3异质结材料的制备及其光催化性能研究 被引量：5

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作者 梁红玉 李建中 +2 位作者 田彦文 邹赫 胡绍争 《石油化工高等学校学报》 CAS 2018年第1期23-29,共7页

分别采用超声分散法、水热法和焙烧法制备了g-C_3N_4/WO_3异质结催化剂,采用XRD、UV-Vis、氮气吸附、XPS、荧光光谱、EIS(阻抗谱)等多种手段对制备的催化剂进行表征。结果表明,制备方法对异质结组分间的结合强弱有显著影响,导致电子空... 分别采用超声分散法、水热法和焙烧法制备了g-C_3N_4/WO_3异质结催化剂,采用XRD、UV-Vis、氮气吸附、XPS、荧光光谱、EIS(阻抗谱)等多种手段对制备的催化剂进行表征。结果表明,制备方法对异质结组分间的结合强弱有显著影响,导致电子空穴分离效率迥异。模拟可见光下降解罗丹明B(RhB)和分解水制氢气作为探针反应来考察产品光催化性能,可得出三种异质结产品催化性能全部优于单个组分,而且水热法制备的产品催化性能最佳。 展开更多

关键词 石墨相氮化碳 三氧化钨 异质结材料 光催化

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氮化对蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结材料性能的影响

5

作者 姚艳丽 张进成 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期388-391,共4页

研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化。讨论了上述现象出... 研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化。讨论了上述现象出现的原因。 展开更多

关键词 ALGAN GAN 氮化 异质结材料 蓝宝石衬底

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MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结材料工艺和性能研究

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作者 杨臣华 陈记安 《功能材料》 EI CAS CSCD 1991年第1期46-50,45,共6页

本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(... 本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与气体流速V的关系。并采用多种方法分析HgCdTe外延片的表面形貌,结晶性,界面和缺陷,Te、Cd、Hg、Ga、As的截面分布,组份和其均匀性,光电性能等。测得HgCdTe和缓冲层CdTe的FWHM为450弧度秒,界面平坦、清晰,过度层约0.12μm。生长x值为0.1～0.8mol,均匀性△X=0.008。典型样品的性能,在77K电子浓度为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/v·s,透射率为42％。 展开更多

关键词 异质结材料 碲镉汞 化学汽相沉积

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ZnO-Zn(OH) 2异质结材料的制备及其光催化性能研究

7

作者 杨美君 《山东化工》 CAS 2020年第5期43-44,49,共3页

采用水浴法简单的调节pH值合成了ZnO-Zn(OH)2复合材料。利用XRD、SEM、光电流测试等手段对合成的样品进行表征,以确定样品的晶体结构、形貌和载流子寿命等特性。对水中罗丹明B污染物进行降解,研究其光催化活性。结果表明,ZnO-Zn(OH)2样... 采用水浴法简单的调节pH值合成了ZnO-Zn(OH)2复合材料。利用XRD、SEM、光电流测试等手段对合成的样品进行表征,以确定样品的晶体结构、形貌和载流子寿命等特性。对水中罗丹明B污染物进行降解,研究其光催化活性。结果表明,ZnO-Zn(OH)2样品在180 min内降解了77.02%的罗丹明B,具有最佳的光催化活性。 展开更多

关键词 异质结材料 罗丹明B 光催化活性

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一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜/硅异质结材料及制备方法

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《有机硅氟资讯》 2009年第2期39-39,共1页

专利号：CN101334413申请人：中国石油大学本发明提供了一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜／硅异质结材料及其制备方法，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％（质量分数）铁的铁-石墨复合靶溅射到抛... 专利号：CN101334413申请人：中国石油大学本发明提供了一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜／硅异质结材料及其制备方法，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％（质量分数）铁的铁-石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜。该碳薄膜／硅异质结新材料具有明显的酒精气体敏感效应，可以用于制备电导型酒精气敏传感器，在室温下工作，制备简单，易实现器件的微型化、 展开更多

关键词 异质结材料 制备方法 敏感效应 碳薄膜 硅基片 酒精 气体 中国石油大学

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InP基异质结材料及其在光电器件中的应用

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作者 张桂成 《半导体杂志》 1991年第3期40-45,15,共7页

关键词 INP 异质结材料 光电元件

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新功能异质结材料

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作者 庶民 《电子材料快报》 1998年第9期11-12,共2页

关键词 半导体材料 磁性材料 异质结材料

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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型 被引量：1

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作者 戴显英 金国强 +7 位作者 董洁琼 王船宝 赵娴 楚亚萍 奚鹏程 邓文洪 张鹤鸣 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期440-446,共7页

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传... 基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%. 展开更多

关键词 SiGe/Si异质结材料 化学气相淀积生长动力学模型 Grove理论 Fick第一定律

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异质结光晶体管(HPT)的设计

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作者 吴雯倩 《天津科技》 2014年第9期58-60,共3页

随着数字技术的发展,光探测、光存储、光信息的检测和处理都要求有较高性能的探测器。异质结光晶体管(HPT)作为一种光电探测器件,拥有较多优点。在对比当前应用的各种光敏二极管和传统的光晶体管的基础上,提出了异质结光晶体管的设计思... 随着数字技术的发展,光探测、光存储、光信息的检测和处理都要求有较高性能的探测器。异质结光晶体管(HPT)作为一种光电探测器件,拥有较多优点。在对比当前应用的各种光敏二极管和传统的光晶体管的基础上,提出了异质结光晶体管的设计思路及具体实现方法。 展开更多

关键词 异质结光晶体管 异质结材料 光增益

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金/金钯异质结纳米棒的合成及其催化性能研究——有关纳米催化的物理化学新实验设计与实践

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作者 胡建强 耿碧君 +2 位作者 王琼 赵子昱 王志衡 《大学化学》 CAS 2021年第4期291-296,共6页

基于金/金钯异质结纳米棒合成及其催化性能而开设物理化学的设计性实验,成功合成金/金钯异质结纳米棒并用于降解4-硝基苯酚。本实验将基础知识与科学前沿相结合,通过查阅文献、制定实验方案、处理和分析实验数据、撰写实验报告、制作和... 基于金/金钯异质结纳米棒合成及其催化性能而开设物理化学的设计性实验,成功合成金/金钯异质结纳米棒并用于降解4-硝基苯酚。本实验将基础知识与科学前沿相结合,通过查阅文献、制定实验方案、处理和分析实验数据、撰写实验报告、制作和演讲PPT等,培养学生的学习能力、思考力、执行力、创新意识和科学精神。 展开更多

关键词 金属 异质结纳米材料 合成 催化性能 综合创新性实验

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硫化铋@铁酸铜异质结的构筑及光触发抗菌性能研究 被引量：1

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作者 韩秋阳 于照晗 +4 位作者 何帅 杨为中 谢克难 谢璐 邓怡 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期4020-4027,共8页

病原体细菌感染引起的相关感染在世界范围内严重威胁着人类的生命安全健康。为解决该问题,研究构筑了一种由硫化铋(Bi_(2)S_(3))与铁酸铜(CuFe_(2)O_(4))共筑形成的近红外光触发的异质结功能材料体系Bi_(2)S_(3)@CuFe_(2)O_(4),其通过Bi... 病原体细菌感染引起的相关感染在世界范围内严重威胁着人类的生命安全健康。为解决该问题,研究构筑了一种由硫化铋(Bi_(2)S_(3))与铁酸铜(CuFe_(2)O_(4))共筑形成的近红外光触发的异质结功能材料体系Bi_(2)S_(3)@CuFe_(2)O_(4),其通过Bi_(2)S_(3)与CuFe_(2)O_(4)之间的静电吸附作用力相结合。使用近红外光成像仪记录了材料在不同的近红外光功率下的升温曲线,验证了材料的光热效应;以1,3-二苯基异苯并呋喃(DPBF)作为活性氧的捕获剂,验证了材料的光动力效应。结果表明,Bi_(2)S_(3)@CuFe_(2)O_(4)在近红外光的触发下能够有效地产生热量,单线态氧(^(1)O_(2))与超氧根自由基(·O^(-)_(2))。抗菌实验以革兰氏阴性大肠杆菌(E.coli)及革兰氏阳性金黄色葡萄球菌(S.aureus)作为模型菌,验证了该种材料体系在近红外光触发下的广谱抗菌能力。结果表明,在近红外光的触发下该种材料体系针对S.aureus和E.coli两种不同类别的细菌均具有良好的抗菌能力。研究为消灭细菌提供了一种新的思路,同时为拓展新型异质结功能材料的应用了奠定实验基础。 展开更多

关键词 异质结功能材料 近红外光 光热/光动力效应 抗菌治疗

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光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析 被引量：5

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作者 李培咸 孙建诚 胡辉勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期293-296,共4页

本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和... 本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 . 展开更多

关键词 SIGE/SI 气相反应 表面反应 光化学气相淀积 生长速率 生长压力 应变层异质结材料

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透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

16

作者 范缇文 林兰英 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期183-190,共8页

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"... 本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"、"微观结构"的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。 展开更多

关键词 透射电子显微学 半导体材料科学 异质结材料

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新型气体探测材料研制成功

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《浙江化工》 CAS 2009年第2期40-40,共1页

在国家科技专项的支持下，中国石油大学（华东）物理科学与技术学院薛庆忠教授为首的科研小组成功研制出一种新型气体探测材料——纳米碳／硅异质结材料。

关键词 探测材料 气体 石油大学(华东) 异质结材料 科学与技术 纳米碳

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二维材料异质结的可控制备及应用 被引量：4

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作者 肖遥 江贝 +2 位作者 杨柯娜 张涛 付磊 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期2262-2278,共17页

二维材料异质结是由石墨烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、黑磷等二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的,并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结.二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为;而垂直异质结中的... 二维材料异质结是由石墨烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、黑磷等二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的,并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结.二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为;而垂直异质结中的层间量子耦合效应能够导致新颖的物理特性,通过调节异质结构界面可调制器件的电学及光学性能.目前,随着电子器件、光电器件等对集成性、功能性的要求不断提高,二维材料异质结越来越多地受到研究者的关注,实现二维材料异质结结构(包括界面)的有效调控是构筑高性能、高集成器件的前提.本文主要对比各类二维材料异质结的制备方法,介绍主流的几类二维材料异质结基电子器件和光电器件的结构、工作原理和性能,展望有前景的新型制备方法,并指出二维材料异质结在实际应用中面临的挑战. 展开更多

关键词 二维材料异质结 剥离法 化学气相沉积法 电子器件 光电器件

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过硫酸氢钾制备MnO_(2)-MnOOH催化降解罗丹明B

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作者 徐啸 陈辉国 +4 位作者 吴江 刘杰 彭伟 左梅梅 丁昭霞 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期684-691,共8页

以过硫酸氢钾和氯化锰为原料,采用共沉淀法制备了MnO_(2)-MnOOH异质结复合材料,采用XRD、XPS、TEM等方法对其进行了表征;以罗丹明B为目标污染物,考察了初始溶液pH、MnO_(2)-MnOOH加入量、过硫酸氢钾加入量、罗丹明B初始质量浓度对MnO_(2... 以过硫酸氢钾和氯化锰为原料,采用共沉淀法制备了MnO_(2)-MnOOH异质结复合材料,采用XRD、XPS、TEM等方法对其进行了表征;以罗丹明B为目标污染物,考察了初始溶液pH、MnO_(2)-MnOOH加入量、过硫酸氢钾加入量、罗丹明B初始质量浓度对MnO_(2)-MnOOH催化降解罗丹明B效果的影响。实验结果表明:在初始溶液pH 4.0、MnO_(2)-MnOOH加入量0.2 g/L、过硫酸氢钾加入量0.650 mmol/L、罗丹明B溶液初始质量浓度50 mg/L的优化条件下催化反应30 min后,罗丹明B去除率为97.7%。催化反应过程中的主要活性基团是·OH和^(1)O_(2)。 展开更多

关键词 过硫酸氢钾 异质结复合材料 罗丹明B 催化氧化

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δ-P γ-P异质结的构筑及LED发电性能研究

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作者 韩美俊 《电子技术（上海）》 2023年第2期4-5,共2页

阐述第一性原理的计算,设计一款异质结半导体为基底的LED发电机,以解决目前LED半导体照明设备的难题,讨论吸附体系电子传输效率、异质结晶体结构和电子特性、LED发电设备发电性能。

关键词 异质结二维材料 纳米发电机 第一性计算原理 有机分子掺杂

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