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核电厂稳压器喷淋阀盘根引漏管裂纹成因探究和对策 被引量：1
1
作者 邹志林 陈明 +1 位作者 徐光宗 周犊 《阀门》 2024年第6期726-729,共4页
某核电集团群厂发生多起稳压器喷淋阀盘根引漏管裂纹故障。通过裂纹管样的金相分析,确认裂纹原因为Cl^(-)导致的应力腐蚀开裂。结合阀门解体检查情况分析得出Cl^(-)来源于盘根轻微渗漏,造成Cl^(-)在引漏管内壁富集。制定了针对性的方案... 某核电集团群厂发生多起稳压器喷淋阀盘根引漏管裂纹故障。通过裂纹管样的金相分析,确认裂纹原因为Cl^(-)导致的应力腐蚀开裂。结合阀门解体检查情况分析得出Cl^(-)来源于盘根轻微渗漏,造成Cl^(-)在引漏管内壁富集。制定了针对性的方案,避免Cl^(-)在引漏管内部富集,进而解决引漏管裂纹故障。 展开更多
关键词 稳压器喷淋阀 盘根 引漏管 应力腐蚀
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某核电机组阀门引漏管开裂原因
2
作者 叶永魁 周浩 +3 位作者 侯海彬 李旺 梅宝 史志刚 《理化检验（物理分册）》 CAS 2023年第2期43-46,共4页
某核电机组阀门引漏管发生开裂,采用宏观观察、化学成分分析、金相检验、维氏硬度测试、扫描电镜和能谱分析等方法对引漏管的开裂原因进行分析。结果表明:引漏管开裂的原因为应力腐蚀,腐蚀介质为氯离子,最后提出了相关建议。
关键词 核电机组 引漏管 Z2CND17-12钢 应力腐蚀开裂
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核岛电动阀填料引漏环卡涩在线处理工艺的开发与应用
3
作者 李攀攀 《中国核电》 2023年第5期657-660,共4页
在处理核岛电动阀填料泄漏缺陷时,填料引漏环有时会出现卡涩故障而无法取出,导致填料引漏环下方填料无法更换。由于系统运行限制,这些阀门无法隔离。通过分析填料引漏环的结构和卡涩的原因,对比几种常见在线加工方法的优点和缺点,初步... 在处理核岛电动阀填料泄漏缺陷时,填料引漏环有时会出现卡涩故障而无法取出,导致填料引漏环下方填料无法更换。由于系统运行限制,这些阀门无法隔离。通过分析填料引漏环的结构和卡涩的原因,对比几种常见在线加工方法的优点和缺点,初步选择电火花加工工艺对填料引漏环进行在线切割,然后进行填料引漏环在线切割的模拟试验,并设计专用工具取出切割后的填料引漏环,最后成功在线取出卡涩的填料引漏环。 展开更多
关键词 核电厂 电动阀 填料引漏环 卡涩 电火花加工
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科技论文中参考文献的故意漏引现象探析 被引量：23
4
作者 马兰 赵新力 孙晓艳 《编辑学报》 CSSCI 北大核心 2005年第3期188-189,共2页
科技论文中参考文献故意漏引现象严重。指出故意漏引可能造成的严重后果;分析故意漏引的原因,并提出了有关杜绝参考文献漏引的建议。
关键词 科技论文 参考文献 故意漏引 引用
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学术论文故意漏引现象分析 被引量：5
5
作者 戴泳 张四新 《现代情报》 北大核心 2005年第4期48-50,共3页
本文从学术论文故意漏引现象严重这一背景出发,指出了故意漏引可能造成的严重后果,全面分析了故意漏引形成的原因,并提出了改善学术文献漏引的意见和建议。
关键词 引文分析 故意漏引 学术论文
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文献的不正当引文现象剖析 被引量：4
6
作者 戴泳 张四新 《现代情报》 2004年第10期202-203,205,共3页
当前学术论文、论著不正当引文现象比较严重。本文从过度自引、故意漏引和伪引 3方面分析了不正当引文的主要特点 。
关键词 不正当引文 过度自引 故意漏引 伪引
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学术论文参考文献不良引用行为分析及防范措施浅议 被引量：12
7
作者 吕亚平 《图书馆工作与研究》 CSSCI 北大核心 2012年第11期53-56,共4页
参考文献是学术论著不可或缺的重要内容之一,但现今对参考文献的漏引、错引和伪引等不良现象却屡有发生,且呈蔓延之势。基于此,本文在简要阐述参考文献著录重要性的基础上,例举了学术论文中参考文献的诸多不良引用行为,提出了防范的若... 参考文献是学术论著不可或缺的重要内容之一,但现今对参考文献的漏引、错引和伪引等不良现象却屡有发生,且呈蔓延之势。基于此,本文在简要阐述参考文献著录重要性的基础上,例举了学术论文中参考文献的诸多不良引用行为,提出了防范的若干举措。 展开更多
关键词 学术论文 参考文献 引用行为 漏引分析 防范措施
原文传递
科技期刊参考文献的意义及使用中的问题 被引量：1
8
作者 马晓辉 《学报编辑论丛》 2013年第1期121-124,共4页
参考文献是科技论文的重要组成部分,科技论文著录参考文献意义深远。参考文献的引用应遵循公开性、近期性、合理性、一次性原则。在参考文献的使用中存在着数量过多、方式不恰当、不当自引以及漏引等问题,应采取积极措施予以应对。
关键词 参考文献 著录原则 引用方式 自引 漏引
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短沟道SiC MESFET亚阈值特性
9
作者 韩茹 杨银堂 贾护军 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期810-814,共5页
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最... 基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化。栅长越大,温度越高,亚阈值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快。 展开更多
关键词 碳化硅MESFET 沟道电势 漏极引致势垒降低效应 阈值电压
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