Y99-61712 99150621998年 SPIE 会议录,卷3277:半导体中的超速现象=1998 proceedings of SPIE.Vol.3277:Ultrafast phenom-ena in semiconductors[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—Bellingham,WA,1998....Y99-61712 99150621998年 SPIE 会议录,卷3277:半导体中的超速现象=1998 proceedings of SPIE.Vol.3277:Ultrafast phenom-ena in semiconductors[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—Bellingham,WA,1998.—316P.(EG)本会议录报道了在1998年1月28日至29日在美国圣何塞市召开的半导体中超速现象专题研讨会上发表的34篇论文。主要涉及半导体和超晶格中的相干效应;体与低维量子结构中超速光处理,超块激光与器件,半导体、超晶格和微空腔中非线性动态响应等内容。展开更多
基金Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 10525419 and 60736041, and the National Basic Research Programme of China under Grant No 2006CB921702.
基金Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 90301009, 60571008, 60471021, and 10374049, the National Key Basic Research and Development Programme of China under Grant No 2001CB610503, and the Natural Science Foundation of Jiangsu Province （DK 20042111）.
文摘我们报导结晶化和非结晶的 Si 的光致发光(PL ) 性质: H/SiNx : H 多层(ML ) 电影由一步一步的激光退火对待。结果 ofRaman 大小证明 nanocrystalline Si (nc-Si ) 谷物在 a-Si 被形成: 在抑制生长机制下面的 H 层。有谷物尺寸的 PL 山峰的蓝移动被观察并且能被归因于量监禁效果。为比较，我们也报导 a-Si 的结晶化和 PL : H/SiNx : 由正常一步舞处理的 H ML 样品。这个方法 ofstep-by-step 激光处理将是一个候选人在非结晶的 Si 使 nc-Si 成为量点: H/SiNx : HML 作为在微洞的活跃的层。
文摘Y99-61712 99150621998年 SPIE 会议录,卷3277:半导体中的超速现象=1998 proceedings of SPIE.Vol.3277:Ultrafast phenom-ena in semiconductors[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—Bellingham,WA,1998.—316P.(EG)本会议录报道了在1998年1月28日至29日在美国圣何塞市召开的半导体中超速现象专题研讨会上发表的34篇论文。主要涉及半导体和超晶格中的相干效应;体与低维量子结构中超速光处理,超块激光与器件,半导体、超晶格和微空腔中非线性动态响应等内容。
