表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 被引量：7

1

作者 郜锦侠 张义门 +1 位作者 张玉明 汤晓燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期408-413,共6页

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。 展开更多

关键词 表面态密度分布 源漏电阻 6H-SiCPMOS 器件特性

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三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究 被引量：3

2

作者 宗明吉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期892-895,共4页

基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律。得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带。AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带。... 基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律。得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带。AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带。GaN作为背景材料构成光子晶体在f=0.3时构成最大光子禁带。三代半导体构成光子晶体对应最大光子晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。 展开更多

关键词 光子晶体 平面波展开法 能态密度分布

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窄禁带光子晶体能态密度的研究 被引量：4

3

作者 夏玉珍 高珊 《光谱实验室》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期1122-1124,共3页

利用平面波展开法研究了窄禁带光子晶体材料的能态密度分布情况,得到了窄禁带材料构成的三角晶格光子晶体能态密度随着介电常数差值的增大而增大,并且分析了氮化镓在f=0.3时,能态密度分布最小,出现最大光子带隙。研究结果为窄禁带光子... 利用平面波展开法研究了窄禁带光子晶体材料的能态密度分布情况,得到了窄禁带材料构成的三角晶格光子晶体能态密度随着介电常数差值的增大而增大,并且分析了氮化镓在f=0.3时,能态密度分布最小,出现最大光子带隙。研究结果为窄禁带光子晶体器件的构造提供理论依据。 展开更多

关键词 窄禁带光子晶体 平面波展开法 能态密度分布

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基于BOS的超声速流场瞬态密度场的可视化

4

作者 张俊 吴运刚 +1 位作者 严来军 殷可为 《气体物理》 2021年第1期62-68,共7页

瞬态密度场的可视化对于超声速流场复杂流动机理研究有着重要的参考价值.设计了基于脉冲激光照明的瞬态密度场可视化系统,针对非对称尖锥模型在Ф=120 mm激波风洞开展了双方向密度场可视化应用研究,获得了Ma=6条件下激波流场清晰的瞬态... 瞬态密度场的可视化对于超声速流场复杂流动机理研究有着重要的参考价值.设计了基于脉冲激光照明的瞬态密度场可视化系统,针对非对称尖锥模型在Ф=120 mm激波风洞开展了双方向密度场可视化应用研究,获得了Ma=6条件下激波流场清晰的瞬态和长曝光背景纹影图像.研究表明,瞬态背景纹影图像曝光时间为10 ns,能够有效“冻结”超声速流场;相对于长曝光纹影图像,瞬态图像显示了更小时间尺度的流场密度场,且突起较多,分布不均匀.结果表明,瞬态密度场可视化技术能够揭示瞬态激波流场的密度场细节,为超声速和高超声速流场复杂流动机理的深入理解和研究提供了一种有效方法. 展开更多

关键词 可视化 瞬态密度场分布 超声速流场 背景纹影 非接触

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a-Si:H的FE测量及其隙态密度分析

5

作者 何丰如 《广州大学学报（社会科学版）》 1998年第6期34-38,共5页

根据文献的理论分析结果和FE测量的实验数据,对a-Si:H的隙态密度进行了全面地分析和研究。结果表明:从 FE 测量中不可能获得 a-Si:H 的隙态密度分布 g(E),而只能得到一个反映 a-Si:H 隙态密度总体水平的“有效隙态密度”g(Ej)的分布,g(... 根据文献的理论分析结果和FE测量的实验数据,对a-Si:H的隙态密度进行了全面地分析和研究。结果表明:从 FE 测量中不可能获得 a-Si:H 的隙态密度分布 g(E),而只能得到一个反映 a-Si:H 隙态密度总体水平的“有效隙态密度”g(Ej)的分布,g(E_j与 g(E)的具体形式无关,只与外部注入有关。根据 FE 测量的实验数据进行计算的结果,g(E_j的值在10^(15)～10^(16)cm^(-3)eV^(-1)之间。 展开更多

关键词 FE 测量a-Si H隙态密度分布 有效隙态密度

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一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型 被引量：3

6

作者 邵雪 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1191-1196,共6页

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显... 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件. 展开更多

关键词 非平衡态 准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解

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a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析 被引量：8

7

作者 林鸿生 段开敏 马雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期492-498,共7页

通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ... 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ( a- Si C∶ H)薄膜和在 pn异质结嵌入 i( a- Si∶ H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si C/ c- 展开更多

关键词 异质结 太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC:H隙态密度分布 载流子收集

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PbWO_4晶体吸收中心的研究 被引量：1

8

作者 姚明珍 顾牡 +2 位作者 梁玲 段勇 马晓辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期26-30,共5页

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与吸收中心相关的本征缺陷态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了激发能。结果表明 :PbWO4 晶体中WO3 +Vo 缺陷的O2pW5d跃迁可以引起 35 0nm和 42 0nm附近的吸... 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与吸收中心相关的本征缺陷态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了激发能。结果表明 :PbWO4 晶体中WO3 +Vo 缺陷的O2pW5d跃迁可以引起 35 0nm和 42 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO2 -4 展开更多

关键词 密度泛函 吸收中心 态密度分布 钨酸铅晶体

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光子晶体的能态密度及带隙特性 被引量：1

9

作者 宗明吉 薛冬 梁兰菊 《光谱实验室》 CAS CSCD 2012年第3期1633-1636,共4页

基于平面波展开法数值模拟了硅、锗、磷化铝和氮化镓三代半导体材料构成三角晶格光子晶体的带隙特性,并且验证了文献[3]中这几种材料构成光子晶体能态密度的分布,两者数据吻合较好,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。

关键词 光子晶体 平面波展开法 能态密度分布

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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 被引量：2

10

作者 林鸿生 马雷 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页

基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多

关键词 光诱导性能衰退 a-Si:H隙态密度分布 Newton-Raphson解法 稳定性 a-Si:H太阳能电池 硅太阳能电池

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掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究 被引量：1

11

作者 姚明珍 顾牡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期460-463,共4页

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能... 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。 展开更多

关键词 掺镧钨酸铅晶体 理论 研究 晶体缺陷 La:PbWO4 密度泛函 吸收中心 态密度分布

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C_(60)分子间相互作用的Morse势函数及应用 被引量：3

12

作者 刘奉岭 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第11期967-972,共6页

利用C60晶体的升华焓、晶胞参数等性质,得到C60分子间相互作用的Morse势函数,其解析表达式为u(r)=30.05exp犤-24.96(r-1.005)犦-60.10exp犤-12.48(r-1.005)犦采用该作用势研究了C60及其晶体的一些性质,如计算得到C60晶体(100)面的表面能... 利用C60晶体的升华焓、晶胞参数等性质,得到C60分子间相互作用的Morse势函数,其解析表达式为u(r)=30.05exp犤-24.96(r-1.005)犦-60.10exp犤-12.48(r-1.005)犦采用该作用势研究了C60及其晶体的一些性质,如计算得到C60晶体(100)面的表面能为7.46×10-2J·m-2,在650～4500K温度范围内计算了C60分子的第二维里系数,研究了C60面心立方晶体的晶格振动,并计算得到了晶格振动的态密度分布,还利用该作用势研究了不同晶型时C60晶体的稳定性. 展开更多

关键词 分子间相互作用 C60 Morse势函数 晶体稳定性 第二维里系数 晶格振动 态密度分布 碳60 富勒烯

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NiMnSb化合物的原子无序对半金属性的影响

13

作者 任尚坤 蔡孟秋 +3 位作者 黄嵩岭 姬广斌 张凤鸣 都有为 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期597-599,共3页

根据第一原理利用线性缀加平面波(LAPW)法,计算了half Heusler结构NiMnSb化合物3种原子有序态的电子能态密度分布.结果表明,不同的原子有序态间的转变无序将导致电子自旋极化率的降低或材料半金属性的消失.

关键词 原子 态密度分布 电子自旋 平面波 极化率 第一原理 化合物 半金属 降低 线性

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掺锑二氧化锡半导体材料导电性的理论解析 被引量：2

14

作者 陆云 《广东化工》 CAS 2014年第3期7-8,共2页

文章运用Untitled-MS Modeling中的CASTEP计算方法计算了掺锑二氧化锡(ATO)的电子云分布、键长分布、总能量、能带结构、晶体态密度等参数,并和二氧化锡(SnO2)进行对比,从而得出结论掺杂锑后的二氧化锡具有更好的导电性能。

关键词 掺锑二氧化锡 能带结构 态密度分布曲线 导电性

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a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析

15

作者 林鸿生 段开敏 马雷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期70-74,共5页

通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设... 通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设计，还讨论了ｐ＋（ａ－ｓｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池稳定性。 展开更多

关键词 碳化硅 硅 薄膜 异质结太阳能电池 a-SiC:H 隙态密度分布 载流子收集

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光子带隙材料及亚波长微结构材料中等离子体共振导致的量子相干效应

16

作者 杜春光 陈红艺 李师群 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2006年第B08期36-37,共2页

我们对两类光学材料-光子晶体及左手材料中的量子相干效应进行了理论研究。光子带隙材料通常是指人工制作的具有光子通带和禁带的光学材料，它可以用来控制光场的传输及某些微观过程。光子晶体是典型的光子带隙材料，光子晶体的周期性... 我们对两类光学材料-光子晶体及左手材料中的量子相干效应进行了理论研究。光子带隙材料通常是指人工制作的具有光子通带和禁带的光学材料，它可以用来控制光场的传输及某些微观过程。光子晶体是典型的光子带隙材料，光子晶体的周期性结构导致其中的原子的量子光学性质与自由空间中明显不同，例如出现光局域化与原子自发辐射的抑制、光子-原子束缚态、二能级原子布居数囚禁等现象。最近的研究还表明心，特殊的态密度分布会导致感应透明现象，使得原子对与其共振的探测光场的吸收趋于零。这与电磁感应透明（EIT）类似，但不需要外加耦合场来建立相干。我们系统地研究了光子晶体特殊态密度产生的量子相干效应，包括三能级系统的感应透明、无反转增益、光速减慢等，及四能级系统的自发辐射和光开关效应，发现强的量子相干效应导致原子辐射与吸收性质产生多方面的改变。 展开更多

关键词 量子相干效应 光子带隙材料 等离子体共振 微结构材料 电磁感应透明 原子自发辐射 亚波长 光子-原子束缚态 态密度分布 三能级系统

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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析

17

作者 林鸿生 段开敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期92-95,共4页

基于pin结构的a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/poly Si叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,在光照射下 ,光生空穴俘获造成了a Si∶H中正空间电荷密度的增加 ,从而改变了电池内部的电场分布 ,提高了a Si∶H薄膜中的电场... 基于pin结构的a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/poly Si叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,在光照射下 ,光生空穴俘获造成了a Si∶H中正空间电荷密度的增加 ,从而改变了电池内部的电场分布 ,提高了a Si∶H薄膜中的电场强度。空间电荷效应不会给a Si/poly Si叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,也没有发生a Si/poly Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/poly 展开更多

关键词 A-SI H光诱导性能衰退 A-SI H隙态密度分布 NEWTON-RAPHSON 解法

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环状共聚物的电子特性研究

18

作者 周晓艳 童国平 《浙江师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第4期360-363,共4页

针对由小带隙的聚乙炔和大带隙的苯作为聚合物单体的聚合物的几种简单环状模型,采用紧束缚近似计算方法,研究了它们的电子能谱和态密度特征,并考虑到环状结构的特点,同时在计算过程中也考虑了聚乙炔链中的最近邻和次近邻跃迁.结果表明:... 针对由小带隙的聚乙炔和大带隙的苯作为聚合物单体的聚合物的几种简单环状模型,采用紧束缚近似计算方法,研究了它们的电子能谱和态密度特征,并考虑到环状结构的特点,同时在计算过程中也考虑了聚乙炔链中的最近邻和次近邻跃迁.结果表明:由于考虑了次近邻跃迁,导带和价带的对称性被破坏了,有着明显的不对称特征,能隙稍变窄.随着环状聚乙炔链中的苯环数的增多,电子能谱和态密度均有显著的变化,能谱分布逐渐不均匀,呈现出较明显的4条能带,态密度分布也相应地出现4个峰. 展开更多

关键词 聚乙炔 态密度分布 紧束缚近似 单环 能隙 电子能谱 电子特性 共聚物 单体 研究

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a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析

19

作者 林鸿生 段开敏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页

通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H... 通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。 展开更多

关键词 a-Si:H光诱导性能衰退 a-Si:H隙态密度分布 Newton-Raphson解法

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立方面心C_(60)晶体晶格振动的研究

20

作者 刘奉岭 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第2期103-106,共4页

采用C60 分子之间相互作用势的Kihara形式 ,研究了立方面心C60 晶体的晶格振动问题 ,得到了质心振动沿 [111]、[110 ]及 [10 0 ]方向的声子散射圆频率分布曲线及C60 晶格振动频率的态密度分布 .采用所得到的C60晶格振动频率的态密度分... 采用C60 分子之间相互作用势的Kihara形式 ,研究了立方面心C60 晶体的晶格振动问题 ,得到了质心振动沿 [111]、[110 ]及 [10 0 ]方向的声子散射圆频率分布曲线及C60 晶格振动频率的态密度分布 .采用所得到的C60晶格振动频率的态密度分布 ,计算了晶体C60 在 2 98K时的等压热容 ,所得数值与实验值相符 . 展开更多

关键词 晶格振动 立方面心C60晶体 声子散射频率 态密度分布 热容 碳60 富勒烯

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