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电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响 被引量：1
1
作者 陆妩 郭旗 +7 位作者 任迪远 余学锋 张国强 范隆 严荣良 赵元富 胡浴红 王明刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期116-120,共5页
介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 。
关键词 运算放大器 恒流偏置电路 CMOS 电离辐射
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一种用于升压型DC/DC变换器的低压带隙基准源 被引量：5
2
作者 杨喆 姚素英 徐江涛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期105-108,112,共5页
设计了一种应用于升压型DC／DC转换器芯片的高精度、低电压、低功耗带隙基准电压源，包含恒定电流的偏置电路、低压低功耗的运算放大器、三极管级联的带隙基准核心电路和低压启动电路四个部分。经过理论分析和仿真模拟，采用华虹NEC的5... 设计了一种应用于升压型DC／DC转换器芯片的高精度、低电压、低功耗带隙基准电压源，包含恒定电流的偏置电路、低压低功耗的运算放大器、三极管级联的带隙基准核心电路和低压启动电路四个部分。经过理论分析和仿真模拟，采用华虹NEC的5V 0．35μm 1P4M工艺流片成，功。电路实测结果为：输出电压Vout=1．2V，温度系数12．5ppm／℃，工作电压1．3～5V，随电源电压的变化率为O．78mV／V，3V供电下功耗9μA。该带隙基准源可用于实际产品的批量生产。 展开更多
关键词 CMOS带隙基准源 升压型DC/DC转换器 恒流偏置电路
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