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星载遥感高光谱成像仪电子学抗辐照设计
1
作者 刘永征 陈小来 +3 位作者 张昕 孔亮 刘学斌 石兴春 《航天器工程》 CSCD 北大核心 2023年第1期82-89,共8页
高光谱成像载荷在高空间分辨率、光谱分辨率及大幅宽等方面指标需求不断提升,使得星载遥感的抗辐照设计问题愈发明显,文章提出了针对任务需求从器件级、电路级以及载荷分系统级分层设计兼顾成本的设计方法,以增强高光谱成像仪抗辐照能... 高光谱成像载荷在高空间分辨率、光谱分辨率及大幅宽等方面指标需求不断提升,使得星载遥感的抗辐照设计问题愈发明显,文章提出了针对任务需求从器件级、电路级以及载荷分系统级分层设计兼顾成本的设计方法,以增强高光谱成像仪抗辐照能力。该方法依据分系统各层级、各功能模块抗辐照能力水平高低,从器件选用把控、电路应用加固到整个载荷的整体屏蔽优化的具体实际应用,对应用情况进行分析计算及优化迭代、等效测试试验验证,实现了抗辐照能力和研发成本合理平衡。通过在多个遥感系列卫星高分辨率高光谱成像仪上的成功应用,结果表明:该高光谱成像仪的抗辐照设计方法具有科学性和稳健性,有效提升了卫星载荷的可靠性和研制效率。 展开更多
关键词 抗辐照设计 抗辐照加固 分层级设计 高光谱成像仪 高速成像电路
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ODS钢的抗辐照设计及纳米第二相粒子表征的研究进展 被引量：8
2
作者 何培 姚伟志 +2 位作者 吕建明 高博 李先容 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期34-40,共7页
先进裂变反应堆及聚变堆要求材料在高温高压、强中子辐照、长服役周期等苛刻服役环境下具有卓越的结构和性能稳定性。氧化物弥散强化(ODS)钢由于具有优异的耐高温及耐辐照性能成为第四代反应堆包壳及核聚变包层最有希望的候选材料。基... 先进裂变反应堆及聚变堆要求材料在高温高压、强中子辐照、长服役周期等苛刻服役环境下具有卓越的结构和性能稳定性。氧化物弥散强化(ODS)钢由于具有优异的耐高温及耐辐照性能成为第四代反应堆包壳及核聚变包层最有希望的候选材料。基于材料的中子辐照损伤特性,主要介绍了ODS钢的抗辐照设计及纳米第二相粒子的表征方面的研究进展。 展开更多
关键词 氧化物弥散强化钢 抗辐照设计 纳米第二相粒子检测
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Ⅲ-Ⅴ族三结抗辐照太阳电池结构的改进初探 被引量：1
3
作者 石易立 《南通航运职业技术学院学报》 2011年第2期58-62,共5页
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-Ⅴ族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,并探讨分析了这两种结构的物理原理和在抗辐照性能上的优劣,为进一步改善其抗辐射效应作了颇有意义的基础... 文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-Ⅴ族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,并探讨分析了这两种结构的物理原理和在抗辐照性能上的优劣,为进一步改善其抗辐射效应作了颇有意义的基础工作。 展开更多
关键词 砷化镓 抗辐照设计 P-I-N 线性掺杂
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一种基于0.18μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器 被引量：1
4
作者 杨朋博 罗萍 +2 位作者 肖皓洋 李博 凌荣勋 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第6期807-811,共5页
采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5~1 MHz的抗辐照压... 采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5~1 MHz的抗辐照压控振荡器。仿真结果表明,与普通压控振荡器相比,该压控振荡器在输出频率和占空比的稳定性与准确性方面有较大提升。 展开更多
关键词 压控振荡器 抗辐照设计 漏电流补偿 总剂量效应
原文传递
改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
5
作者 余金山 梁盛铭 +5 位作者 马卓 王育新 张瑞涛 刘涛 李婷 俞宙 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期129-132,137,共5页
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时. 展开更多
关键词 抖动 流水线 抗辐照加固设计 模数转换器
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交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器
6
作者 韦援丰 杨海钢 李天文 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期97-102,共6页
为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引... 为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引入额外的专用表决模块,可以产生均匀的多相位输出。所提出的加固差分VCO是基于130 nm体硅互补金属氧化物半导体工艺设计的。模拟结果表明,所设计的加固VCO在100 fC^800 fC沉积电荷量的轰击范围内,其所产生的最大相位偏移不超过0.35 rad。 展开更多
关键词 抗辐照设计加固 交织结构 单粒子瞬变 压控振荡器
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一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
7
作者 黄正峰 卢康 +4 位作者 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期518-523,528,共7页
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上... 提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。 展开更多
关键词 低功耗 单粒子翻转 SRAM 抗辐照加固设计 稳定性
原文传递
DICE加固结构触发器的重离子实验研究 被引量：1
8
作者 张筱颖 田海燕 于宗光 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第5期594-599,共6页
基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比... 基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV·cm2/mg。 展开更多
关键词 抗辐照电路设计 DICE触发器 重粒子实验 单粒子效应 单粒子翻转
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一种新型单粒子翻转加固SRAM单元 被引量：3
9
作者 刘鸿瑾 李天文 +3 位作者 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期941-948,共8页
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢... 随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。 展开更多
关键词 单粒子翻转(SEU) 静态随机存储器(SRAM) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器
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