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改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
1
作者
余金山
梁盛铭
+5 位作者
马卓
王育新
张瑞涛
刘涛
李婷
俞宙
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期129-132,137,共5页
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进...
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时.
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关键词
抖动
流水线
抗
辐照
加固
设计
模数转换器
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职称材料
一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
2
作者
黄正峰
卢康
+4 位作者
郭阳
徐奇
戚昊琛
倪天明
鲁迎春
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第4期518-523,528,共7页
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上...
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。
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关键词
低功耗
单粒子翻转
SRAM
抗
辐照
加固
设计
稳定性
原文传递
一种新型单粒子翻转加固SRAM单元
被引量:
3
3
作者
刘鸿瑾
李天文
+3 位作者
稂时楠
张建锋
刘群
袁大威
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期941-948,共8页
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢...
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。
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关键词
单粒子翻转(SEU)
静态随机存储器(SRAM)
抗
辐照
加固
设计
多节点翻转
存储器
原文传递
交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器
4
作者
韦援丰
杨海钢
李天文
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期97-102,共6页
为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引...
为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引入额外的专用表决模块,可以产生均匀的多相位输出。所提出的加固差分VCO是基于130 nm体硅互补金属氧化物半导体工艺设计的。模拟结果表明,所设计的加固VCO在100 fC^800 fC沉积电荷量的轰击范围内,其所产生的最大相位偏移不超过0.35 rad。
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关键词
抗辐照设计加固
交织结构
单粒子瞬变
压控振荡器
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职称材料
题名
改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
1
作者
余金山
梁盛铭
马卓
王育新
张瑞涛
刘涛
李婷
俞宙
机构
国防科学技术大学计算机学院
中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期129-132,137,共5页
基金
国家自然科学基金(60906009
61176030
+4 种基金
61076025
60970036)
模拟集成电路实验室基金(9140C0901110903)
核高基重大专项(2009ZX01028-002-002)
信息保障技术重点实验室基金(KJ-11-04)资助
文摘
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时.
关键词
抖动
流水线
抗
辐照
加固
设计
模数转换器
Keywords
dither
pipeline
radiation hardening by design
analog to digital converter (ADC)
分类号
TP338 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
2
作者
黄正峰
卢康
郭阳
徐奇
戚昊琛
倪天明
鲁迎春
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
安徽工程大学电气工程学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第4期518-523,528,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574052)
安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149)
安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)
文摘
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。
关键词
低功耗
单粒子翻转
SRAM
抗
辐照
加固
设计
稳定性
Keywords
lower power
single event upset
SRAM
radiation hardened design
stability
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
一种新型单粒子翻转加固SRAM单元
被引量:
3
3
作者
刘鸿瑾
李天文
稂时楠
张建锋
刘群
袁大威
机构
北京轩宇空间科技有限公司
北京控制工程研究所
北京工业大学信息学部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期941-948,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(41606219,41776186)
文摘
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。
关键词
单粒子翻转(SEU)
静态随机存储器(SRAM)
抗
辐照
加固
设计
多节点翻转
存储器
Keywords
single event upset (SEU)
static random access memory (SRAM)
radiation harden by design
multi-nodes upset
memory
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器
4
作者
韦援丰
杨海钢
李天文
机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院大学
出处
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期97-102,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61474120
61704173)
北京市重点实验室开放课题基金资助项目(BKBD-2017KF05)
文摘
为提高辐照环境下振荡器工作的可靠性,提出一种交织结构的抗辐照设计加固压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO),该VCO由采用交织结构的延时单元构成,该延时单元支持多数表决功能,可以抑制单粒子瞬变的影响;该VCO环路中无须引入额外的专用表决模块,可以产生均匀的多相位输出。所提出的加固差分VCO是基于130 nm体硅互补金属氧化物半导体工艺设计的。模拟结果表明,所设计的加固VCO在100 fC^800 fC沉积电荷量的轰击范围内,其所产生的最大相位偏移不超过0.35 rad。
关键词
抗辐照设计加固
交织结构
单粒子瞬变
压控振荡器
Keywords
radiation-hardened-by-design
interleaved structure
single-event transient
voltage-controlled oscillator
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
余金山
梁盛铭
马卓
王育新
张瑞涛
刘涛
李婷
俞宙
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
黄正峰
卢康
郭阳
徐奇
戚昊琛
倪天明
鲁迎春
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
0
原文传递
3
一种新型单粒子翻转加固SRAM单元
刘鸿瑾
李天文
稂时楠
张建锋
刘群
袁大威
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
原文传递
4
交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器
韦援丰
杨海钢
李天文
《国防科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
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