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平面集成TVS二极管对半导体桥火工品换能元性能的影响因素
1
作者
陶禹任
王磊
+1 位作者
周彬
王军
《含能材料》
北大核心
2025年第1期73-81,共9页
为探究平面集成瞬态抑制二极管(TVS)对半导体桥(SCB)火工品换能元性能的影响因素以及规律,通过电容放电发火实验,研究了平面集成TVS二极管的并联数量与击穿电压对半导体桥火工品换能元的电爆性能的影响,并通过500 pF/500Ω/25 kV静电放...
为探究平面集成瞬态抑制二极管(TVS)对半导体桥(SCB)火工品换能元性能的影响因素以及规律,通过电容放电发火实验,研究了平面集成TVS二极管的并联数量与击穿电压对半导体桥火工品换能元的电爆性能的影响,并通过500 pF/500Ω/25 kV静电放电实验,研究了其对半导体桥火工品换能元的静电可靠性能的影响。结果表明,当激励能量使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近上限时,增加平面集成TVS二极管并联数量会延长SCB火工品换能元的爆发时间,影响SCB火工品换能元正常爆发,反之,若激励能量不足以使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近其上限,则SCB火工品换能元爆发性能不会随并联平面集成TVS二极管的数量变化而变化;当激励电压大于平面集成TVS二极管的击穿电压时,TVS二极管击穿电压越低,SCB火工品换能元的爆发时间越长,爆发能量越大,甚至影响SCB火工品换能元正常爆发;降低平面集成TVS二极管的击穿电压、增加并联数量都能够提高SCB火工品换能元的静电可靠性能;设计桥区尺寸为350μm(W)×100μm(L)×2μm(H)的抗静电集成半导体桥芯片时可以集成两个击穿电压略低于14 V或一个击穿电压略高于7 V的TVS二极管。
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关键词
抗静电集成半导体桥芯片
火工品
TVS二极管
电爆性能
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职称材料
基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计
被引量:
2
2
作者
程鹏涛
李慧
+4 位作者
骆建军
冯春阳
骆懿
任炜
梁小会
《火工品》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期1-7,共7页
为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及...
为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及相应的集成芯片在室温(25℃)至100℃范围内的电阻曲线,并对集成芯片及单独SCB在1A1W5min和1.5A2.25W5min安流试验中的传热过程进行了仿真。结果表明:蛇形设计可以有效降低VO_(2)薄膜电阻,其阻值与蛇形长宽比(Ws/L)成反比;VO_(2)薄膜能够对SCB起到一定的分流防护作用;集成芯片尺寸对安流试验热传导过程的平衡温度有一定影响;能够通过1.5 A安流试验的最大VO_(2)阻值为5Ω,这是下一步的设计目标。
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关键词
半导体
桥
(SCB)
二氧化钒(VO_(2))
集成
芯片
电阻
仿真
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职称材料
富士通半导体推出可支持10种不同接口的桥接芯片
3
《集成电路应用》
2012年第11期45-45,共1页
富士通半导体(上海)有限公司近期推出接口桥接芯片MB86E631,该芯片支持USB、SATA、PCIExpress、EthernetMAC和Ts等诸多接口,是一种性能和功能强大的大规模集成电路(LSll,很适合于用来对转码器芯片的控制,同时也适用于那些需要控...
富士通半导体(上海)有限公司近期推出接口桥接芯片MB86E631,该芯片支持USB、SATA、PCIExpress、EthernetMAC和Ts等诸多接口,是一种性能和功能强大的大规模集成电路(LSll,很适合于用来对转码器芯片的控制,同时也适用于那些需要控制诸多接口的产品。能够在移动设备上观看电视的各种WiFi接收产品都配备了用于视频格式和分辨率转换的转码器芯片,以及WFi模块和其他技术,从而需要一款最适合的CPU来控制这些不同的技术,
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关键词
桥
接
芯片
多接口
半导体
富士通
PCIEXPRESS
大规模
集成
电路
分辨率转换
SATA
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职称材料
OXU921S:SATA至USB桥接芯片
4
《世界电子元器件》
2005年第4期79-79,共1页
Oxford半导体公司宣布推出一个可在USB2.0端口和外部SATA存储设备之间提供透明数据传输的芯片OXU921S。这款高度集成的桥接芯片简化了PC和Mac平台的外部硬盘和光驱的实施程序。OXU921S采用128引脚QFP封装,带有集成的SATAPhy、USB2.0 ...
Oxford半导体公司宣布推出一个可在USB2.0端口和外部SATA存储设备之间提供透明数据传输的芯片OXU921S。这款高度集成的桥接芯片简化了PC和Mac平台的外部硬盘和光驱的实施程序。OXU921S采用128引脚QFP封装,带有集成的SATAPhy、USB2.0 Phy和ARM7TDMI处理器。
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关键词
桥
接
芯片
SATA
USB2.0端口
ARM7TDMI
半导体
公司
MAC平台
数据传输
存储设备
实施程序
高度
集成
QFP
处理器
Phy
光驱
硬盘
PC
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职称材料
题名
平面集成TVS二极管对半导体桥火工品换能元性能的影响因素
1
作者
陶禹任
王磊
周彬
王军
机构
南京理工大学化学与化工学院
出处
《含能材料》
北大核心
2025年第1期73-81,共9页
文摘
为探究平面集成瞬态抑制二极管(TVS)对半导体桥(SCB)火工品换能元性能的影响因素以及规律,通过电容放电发火实验,研究了平面集成TVS二极管的并联数量与击穿电压对半导体桥火工品换能元的电爆性能的影响,并通过500 pF/500Ω/25 kV静电放电实验,研究了其对半导体桥火工品换能元的静电可靠性能的影响。结果表明,当激励能量使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近上限时,增加平面集成TVS二极管并联数量会延长SCB火工品换能元的爆发时间,影响SCB火工品换能元正常爆发,反之,若激励能量不足以使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近其上限,则SCB火工品换能元爆发性能不会随并联平面集成TVS二极管的数量变化而变化;当激励电压大于平面集成TVS二极管的击穿电压时,TVS二极管击穿电压越低,SCB火工品换能元的爆发时间越长,爆发能量越大,甚至影响SCB火工品换能元正常爆发;降低平面集成TVS二极管的击穿电压、增加并联数量都能够提高SCB火工品换能元的静电可靠性能;设计桥区尺寸为350μm(W)×100μm(L)×2μm(H)的抗静电集成半导体桥芯片时可以集成两个击穿电压略低于14 V或一个击穿电压略高于7 V的TVS二极管。
关键词
抗静电集成半导体桥芯片
火工品
TVS二极管
电爆性能
Keywords
ESD integrated SCB chip
initiator device
TVS diode
electrical explosion performance
分类号
TJ5 [兵器科学与技术—军事化学与烟火技术]
TJ45 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
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职称材料
题名
基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计
被引量:
2
2
作者
程鹏涛
李慧
骆建军
冯春阳
骆懿
任炜
梁小会
机构
杭州电子科技大学
陕西应用物理化学研究所瞬态化学效应与控制全国重点实验室
出处
《火工品》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期1-7,共7页
基金
国家自然科学基金(No.52101218,No.52301241)。
文摘
为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及相应的集成芯片在室温(25℃)至100℃范围内的电阻曲线,并对集成芯片及单独SCB在1A1W5min和1.5A2.25W5min安流试验中的传热过程进行了仿真。结果表明:蛇形设计可以有效降低VO_(2)薄膜电阻,其阻值与蛇形长宽比(Ws/L)成反比;VO_(2)薄膜能够对SCB起到一定的分流防护作用;集成芯片尺寸对安流试验热传导过程的平衡温度有一定影响;能够通过1.5 A安流试验的最大VO_(2)阻值为5Ω,这是下一步的设计目标。
关键词
半导体
桥
(SCB)
二氧化钒(VO_(2))
集成
芯片
电阻
仿真
Keywords
Semiconductor bridge(SCB)
Vanadium dioxide(VO_(2))
Integrated chip
Resistance
Simulation
分类号
TJ450.3 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
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职称材料
题名
富士通半导体推出可支持10种不同接口的桥接芯片
3
出处
《集成电路应用》
2012年第11期45-45,共1页
文摘
富士通半导体(上海)有限公司近期推出接口桥接芯片MB86E631,该芯片支持USB、SATA、PCIExpress、EthernetMAC和Ts等诸多接口,是一种性能和功能强大的大规模集成电路(LSll,很适合于用来对转码器芯片的控制,同时也适用于那些需要控制诸多接口的产品。能够在移动设备上观看电视的各种WiFi接收产品都配备了用于视频格式和分辨率转换的转码器芯片,以及WFi模块和其他技术,从而需要一款最适合的CPU来控制这些不同的技术,
关键词
桥
接
芯片
多接口
半导体
富士通
PCIEXPRESS
大规模
集成
电路
分辨率转换
SATA
分类号
TP336 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
OXU921S:SATA至USB桥接芯片
4
出处
《世界电子元器件》
2005年第4期79-79,共1页
文摘
Oxford半导体公司宣布推出一个可在USB2.0端口和外部SATA存储设备之间提供透明数据传输的芯片OXU921S。这款高度集成的桥接芯片简化了PC和Mac平台的外部硬盘和光驱的实施程序。OXU921S采用128引脚QFP封装,带有集成的SATAPhy、USB2.0 Phy和ARM7TDMI处理器。
关键词
桥
接
芯片
SATA
USB2.0端口
ARM7TDMI
半导体
公司
MAC平台
数据传输
存储设备
实施程序
高度
集成
QFP
处理器
Phy
光驱
硬盘
PC
分类号
TP336 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333.35 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面集成TVS二极管对半导体桥火工品换能元性能的影响因素
陶禹任
王磊
周彬
王军
《含能材料》
北大核心
2025
0
下载PDF
职称材料
2
基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计
程鹏涛
李慧
骆建军
冯春阳
骆懿
任炜
梁小会
《火工品》
CAS
CSCD
北大核心
2024
2
下载PDF
职称材料
3
富士通半导体推出可支持10种不同接口的桥接芯片
《集成电路应用》
2012
0
下载PDF
职称材料
4
OXU921S:SATA至USB桥接芯片
《世界电子元器件》
2005
0
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职称材料
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