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碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究进展
1
作者 孙兴汉 李纪虎 +2 位作者 张伟 曾群锋 张俊锋 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期585-599,共15页
化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶... 化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶片表面材料去除非均匀性一直是一个具有挑战性的问题,减小晶片表面材料去除非均匀性对确保半导体器件的高性能和稳定性至关重要。本文介绍了碳化硅材料的性质及应用与化学机械抛光工艺,研究了不同碳化硅化学机械抛光技术的材料去除机理、不同化学机械抛光技术的发展状况和性能及优缺点,综述了碳化硅晶片化学机械抛光中材料去除非均匀性影响因素,如:抛光压力、抛光液(磨粒)和转速等因素,最后对未来碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究做出了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 材料去除 抛光压力 抛光液 抛光垫
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磁流变抛光技术研究进展
2
作者 戴立达 张争艳 乔国朝 《机械设计与制造》 北大核心 2024年第3期254-260,共7页
表面质量是精密零部件最重要的性能之一,零件的表面质量主要是由加工过程中不同的工艺参数和方法决定的。传统的磨抛工艺由于作用在工件上的力很大、嵌入的磨料颗粒、对工艺的控制有限等原因很难使表面粗糙度降低到精密零部件的要求精... 表面质量是精密零部件最重要的性能之一,零件的表面质量主要是由加工过程中不同的工艺参数和方法决定的。传统的磨抛工艺由于作用在工件上的力很大、嵌入的磨料颗粒、对工艺的控制有限等原因很难使表面粗糙度降低到精密零部件的要求精度。磁流变抛光(MRF)提供了一种新型高效的方法使工件加工质量达到预期的精度水平。MRF对工艺控制具有更大的灵活性,并且可以在不破坏表面形貌的情况下完成加工。综述了磁流变抛光液组分对加工效果的影响、材料去除模型的建立和发展、不同的MRF加工方式和未来磁流变抛光技术发展的新方向,最后总结了目前MRF技术存在的问题总结,并提出了MRF技术未来可能的发展方向。 展开更多
关键词 磁流变抛光 磁流变抛光液 材料去除模型 磁流变抛光方法 磁流变复合抛光
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蓝宝石光学曲面柱形宽缎带磁流变抛光仿真分析及实验研究
3
作者 阎秋生 汪涛 +4 位作者 黄展亮 黄蓓 潘继生 陈缘靓 夏江南 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期140-151,共12页
目的针对目前光滑无损伤光学曲面蓝宝石加工成本高、效率低的问题,对加工过程中磁流变抛光缎带进行流体仿真,进而优化抛光轮表面结构。方法设计并提出3种表面结构柱形宽缎带磁流变抛光轮,介绍了磁流变抛光轮加工的基本原理,建立了磁流... 目的针对目前光滑无损伤光学曲面蓝宝石加工成本高、效率低的问题,对加工过程中磁流变抛光缎带进行流体仿真,进而优化抛光轮表面结构。方法设计并提出3种表面结构柱形宽缎带磁流变抛光轮,介绍了磁流变抛光轮加工的基本原理,建立了磁流变抛光垫Bingham流体特性加工仿真模型,分析了3种抛光轮表面结构对工件表面磁通密度模、流场流速、流场压力分布的影响。同时对3种抛光轮的抛光效果进行了实验探究,探究了抛光轮表面结构对材料去除率和抛光后表面粗糙度的影响规律。结果仿真结果表明,抛光轮表面槽型结构具有能增强磁通密度模、增大流体流速和流体压力的特性。实验结果表明,螺旋槽抛光轮的抛光效果最好,在螺旋抛光轮作用下,材料去除率为0.22mg/h,抛光后蓝宝石表面粗糙度为1.08nm。最终抛光轮近壁区总压力和速度的乘积结果与抛光轮实验去除率结果具有较好的一致性。结论槽型结构可以提高抛光液在抛光轮表面的固着效果,影响工件表面流场运动状态,增强工件表面受到抛光垫的作用力。相较于光滑和横条槽抛光轮,螺旋槽抛光轮的抛光效率最高,表面粗糙度最低,可有效提高抛光效果。 展开更多
关键词 抛光缎带 蓝宝石 Bingham流体 抛光轮 槽型结构 数值计算 流场
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新型钢抛光液中磨料的种类及其性能研究进展
4
作者 陈倚 张偲淼 +3 位作者 屈蔚然 郑书佳 孙一嘉 弓爱君 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期88-100,122,共14页
磨料在抛光液中主要起机械作用,磨料的理化性质,如硬度、粒径、浓度等,是影响化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)性能的重要因素,对抛光效率有较大影响。针对我国抛光液对外依赖、需求量大,但精度等指标达不到市场要求等... 磨料在抛光液中主要起机械作用,磨料的理化性质,如硬度、粒径、浓度等,是影响化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)性能的重要因素,对抛光效率有较大影响。针对我国抛光液对外依赖、需求量大,但精度等指标达不到市场要求等问题,同时由于磨料在抛光液的抛光性能中起着至关重要的作用,因此寻求效果更好的改性磨料或新型磨料材料,以促进化学机械抛光技术的发展势在必行。故此,归纳汇总近年来国内外研制出的新型钢抛光液,聚焦于抛光液磨料这一重要组分中不同物质的物化性质及其作用,对抛光性能(如材料去除率、表面粗糙度和光泽度等)的影响等,分类别阐述了不同物质的优劣势、复配协同作用以及在现有抛光液中的效果,为之后抛光液配方研究中磨料的选择提供参考。归纳总结发现,混合与复合磨料较单一磨料有较大的提升,稀土掺杂、核/壳结构等改进存在较大的研究价值,组分间的复配协同作用对抛光性能的提升有一定作用。最后,基于目前钢抛光液应用中存在的问题以及现有的具有前景的技术,对钢抛光液中磨料的发展进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 钢 磨料 抛光机理
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钴铬钼合金超声振动辅助抛光力与表面质量的探究
5
作者 于保军 吴爽 +2 位作者 辛成磊 贾茹 谷岩 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期497-503,共7页
针对钴铬钼合金的难加工性,采用超声振动辅助抛光的加工方法改善其加工效果。根据超声振动装置的运动特性,分析了单磨粒运动速度、单磨粒与工件接触轨迹坐标和单磨粒受力,建立了抛光系统的抛光力预测模型,讨论了主轴转速、进给速度和抛... 针对钴铬钼合金的难加工性,采用超声振动辅助抛光的加工方法改善其加工效果。根据超声振动装置的运动特性,分析了单磨粒运动速度、单磨粒与工件接触轨迹坐标和单磨粒受力,建立了抛光系统的抛光力预测模型,讨论了主轴转速、进给速度和抛光深度对钴铬钼合金表面质量的影响并用实验验证了预测模型的合理性。结果表明:抛光力预测模型和实验的变化趋势一致,抛光力随着主轴转速和抛光深度的增大而增大,随着进给速度的增大而减小。本研究将为超声振动辅助抛光工艺提供理论基础。 展开更多
关键词 超声振动辅助抛光 钴铬钼合金 抛光力 表面质量
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抛光工艺参数对高纯氧化铝陶瓷基材抛光效果的影响
6
作者 姚忠樱 崔鸽 +4 位作者 常逸文 任瑞康 任佳乐 张洪波 旷峰华 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期56-63,共8页
高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、... 高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、磨料的粒径、抛光液流速及CMP过程中的抛光压力、转速等工艺参数对抛光效果的影响。结果表明,精研压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为45和50 r/min,多晶金刚石研磨液的粒径为1μm,磨料添加速率为15 mL/min,精研时长达到25 h时,陶瓷基材即可达到抛光工序的表面质量要求。抛光压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为20和25 r/min,硅溶胶抛光液粒径为80 nm,抛光2 h时,高纯氧化铝陶瓷基材的表面粗糙度可达到纳米级别。 展开更多
关键词 高纯氧化铝 机械抛光 化学机械抛光(CMP) 抛光参数 表面粗糙度
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三结砷化镓太阳能电池外延层表面抛光技术研究
7
作者 李穆朗 《天津科技》 2024年第2期33-36,共4页
以空间用三结砷化镓(GaAs)电池外延表面抛光为研究对象,对抛光压力、抛光转速、抛光液pH等参数进行试验研究。研究结果表明:选用抛光压力40 g/cm^(3),采用55 r/min的转速,有效氯含量为5%的抛光液,对三结砷化镓太阳能电池外延表面有良好... 以空间用三结砷化镓(GaAs)电池外延表面抛光为研究对象,对抛光压力、抛光转速、抛光液pH等参数进行试验研究。研究结果表明:选用抛光压力40 g/cm^(3),采用55 r/min的转速,有效氯含量为5%的抛光液,对三结砷化镓太阳能电池外延表面有良好的抛光效果,可得到良好的表面颗粒度,即表面粗糙度小于0.4 nm、颗粒粒径大于0.2μm(含0.2/μm)的数量低于50个,颗粒粒径小于0.2μm的数量低于100个的外延片表面,为键合技术用于三结砷化镓太阳能电池的批量生产提供了可能。 展开更多
关键词 三结砷化镓 外延层表面 化学机械抛光 抛光压力 抛光转速 有效氯含量
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自抛光防污涂层的水渗透特性及其对抛光速率的影响研究
8
作者 张焕娟 丛巍巍 +2 位作者 张凯 苏荣国 桂泰江 《中国海洋大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期99-105,共7页
本文采用电化学阻抗谱法(EIS)对比分析了水在两种商业化丙烯酸硅自抛光防污涂层A1和A2中的渗透行为,并通过动态模拟实验测试了两种涂层在3.5%人工海水中的抛光速率。EIS测试结果表明,水在两种丙烯酸硅自抛光防污涂层中的渗透均呈典型的F... 本文采用电化学阻抗谱法(EIS)对比分析了水在两种商业化丙烯酸硅自抛光防污涂层A1和A2中的渗透行为,并通过动态模拟实验测试了两种涂层在3.5%人工海水中的抛光速率。EIS测试结果表明,水在两种丙烯酸硅自抛光防污涂层中的渗透均呈典型的Fick扩散,进而拟合计算得到涂层A1的饱和吸水体积百分率约为11.5%,涂层A2的饱和吸水体积百分率约为20%。动态模拟实验表明防污涂层A1在人工海水中的抛光速率为0.15μm/d,涂层A2的抛光速率为0.26μm/d。饱和吸水体积百分率较大更有利于丙烯酸硅树脂水解,抛光速率更快。 展开更多
关键词 自抛光防污涂层 电化学阻抗谱 水渗透 抛光速率
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基于磁性复合磨粒的磁流变抛光试验研究
9
作者 李伊伦 魏镜弢 +1 位作者 吕彤辉 吴张永 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期1-8,共8页
针对铝合金磁流变抛光过程中出现的磨粒分布不均,提出基于二氧化硅包覆四氧化三铁(Fe_(3)O_(4)@SiO_(2))壳核结构磁性复合磨粒的化学辅助磁流变抛光工艺。用溶胶-凝胶法制备Fe_(3)O_(4)@SiO_(2)磁性复合磨粒,通过X射线衍射(XRD)、傅里... 针对铝合金磁流变抛光过程中出现的磨粒分布不均,提出基于二氧化硅包覆四氧化三铁(Fe_(3)O_(4)@SiO_(2))壳核结构磁性复合磨粒的化学辅助磁流变抛光工艺。用溶胶-凝胶法制备Fe_(3)O_(4)@SiO_(2)磁性复合磨粒,通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线电子能谱仪(EDS)及振动样品磁强计(VSM)对其进行表征。进行6061铝合金平面材料的单因素抛光试验,研究主轴转速、抛光间隙、进给速度及抛光时间等对表面质量的影响。结果表明:主轴转速为600 r/min、抛光间隙为3 mm、进给速度为80 mm/min、抛光时间为40 min是最优参数组,在此参数下抛光6061铝合金,获得了Ra=0.02μm的超光整表面。对比同参数下传统磁流变抛光后的铝合金表面,因磨粒分布不均导致的表面细小划痕得到改善。 展开更多
关键词 铝合金 磁性复合磨粒 化学辅助磁流变抛光 抛光工艺参数 表面质量
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磁流变抛光用蠕动泵软管失效模式及损伤演变
10
作者 刘思达 何建国 +1 位作者 张建飞 张云飞 《机械设计与制造》 北大核心 2024年第3期115-118,共4页
蠕动泵软管回收系统是磁流变抛光液循环系统中的关键组成部分,直接影响抛光液流量的稳定性。为了保证长时间磁流变抛光的可靠性,这里研究了磁流变抛光用蠕动泵软管失效模式及损伤演变规律。首先,对蠕动泵软管的失效模式进行了分析,建立... 蠕动泵软管回收系统是磁流变抛光液循环系统中的关键组成部分,直接影响抛光液流量的稳定性。为了保证长时间磁流变抛光的可靠性,这里研究了磁流变抛光用蠕动泵软管失效模式及损伤演变规律。首先,对蠕动泵软管的失效模式进行了分析,建立了受力模型并仿真计算,获取了软管的易失效位置;然后,通过实验的方法对软管已失效处的截面损伤情况进行观察,分析损伤裂纹的特征,将最大损伤深度作为表征参数,研究其演变规律;最后,根据实验参数,建立了蠕动泵软管的寿命离线预测模型。结果表明:使用常规氧化铈抛光液,在转速为300rpm的条件下,软管的磨损过程有三个阶段:磨合磨损阶段、稳定磨损阶段、剧烈磨损阶段。该蠕动泵软管的稳定运行寿命为16h,与实际情况较为符合,模型具有较强的指导意义。 展开更多
关键词 蠕动泵软管 磁流变抛光 寿命预测 氧化铈抛光液
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机器人曲面零件抛光粗糙度预测模型研究
11
作者 韩天勇 陈满意 +1 位作者 朱义虎 朱自文 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2024年第1期73-80,共8页
为提高抛光后曲面零件的表面质量,应建立粗糙度模型选取合理工艺参数,因此本文提出一种基于支持向量机(SVM)的建模方法。通过对机器人抛光过程及抛光工艺参数的研究,将刀具转速、抛光力、行间距、机器人进给速度等作为输入量,粗糙度作... 为提高抛光后曲面零件的表面质量,应建立粗糙度模型选取合理工艺参数,因此本文提出一种基于支持向量机(SVM)的建模方法。通过对机器人抛光过程及抛光工艺参数的研究,将刀具转速、抛光力、行间距、机器人进给速度等作为输入量,粗糙度作为输出量。结合粒子群算法(PSO)与SVM建立曲面零件抛光粗糙度预测模型,并与回归分析方法作对比。试验结果表明:回归分析方法的预测误差较大,而基于SVM建立的曲面零件抛光粗糙度预测模型与试验结果高度吻合,试验测量值与预测值间的平均相对误差为2.84%。最后,通过全局寻优获得最佳工艺参数组合,该模型为合理选择抛光工艺参数提供了依据。 展开更多
关键词 机器人抛光 粒子群算法 支持向量机 粗糙度预测 抛光工艺参数优化
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全口径环形抛光的光学元件面形误差影响因素及其控制
12
作者 廖德锋 张明壮 +2 位作者 谢瑞清 赵世杰 许乔 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期333-343,共11页
全口径环形抛光是加工大口径平面光学元件的关键技术之一,其瓶颈问题是元件面形的高效高精度控制。通过研究元件面形的影响因素及其控制方法从而提升其确定性控制水平。围绕影响面形误差的运动速度、抛光盘表面形状误差和钝化状态等关... 全口径环形抛光是加工大口径平面光学元件的关键技术之一,其瓶颈问题是元件面形的高效高精度控制。通过研究元件面形的影响因素及其控制方法从而提升其确定性控制水平。围绕影响面形误差的运动速度、抛光盘表面形状误差和钝化状态等关键工艺因素,建立基于运动轨迹有效弧长的环形抛光运动学模型,揭示了抛光盘表面开槽槽型对面形误差的影响规律;提出了采用位移传感器以螺旋路径扫描抛光盘表面并通过插值算法生成其形状误差的方法,建立基于小工具的子口径修正方法,实现了抛光盘形状误差的在位定量修正;提出抛光盘表面钝化状态的监测方法,研究了抛光盘表面钝化状态对面形误差的影响规律。结果表明:抛光盘表面开槽采用环形槽时元件表面容易产生环带特征,采用径向槽、方形槽和螺旋槽时元件表面较为匀滑;通过在位定量检测和修正抛光盘形状误差,可显著提升元件的面形精度;随着抛光盘表面的逐渐钝化,元件面形逐渐恶化。在研制的5 m直径大口径环形抛光机床上加工800 mm×400 mm×100 mm平面元件的面形PV值优于λ/6(λ=632.8 nm),提升了元件的面形控制效率和精度。 展开更多
关键词 光学加工 全口径环形抛光 面形误差 影响规律 控制方法
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锆基非晶合金电解质等离子体抛光工艺及废液处理
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作者 王成勇 唐梓敏 +4 位作者 丁峰 黄瑜 张涛 郑李娟 朱旭光 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期267-279,共13页
电解质等离子体抛光技术在非晶合金结构件的应用仍处于探索阶段,而且会产生含较高浓度的重金属和氟离子废液。为了提高锆基非晶合金结构件的表面质量以满足其使役性能,研究抛光时间、工作电压、硫酸铵浓度、初始温度、工件入水深度、阳... 电解质等离子体抛光技术在非晶合金结构件的应用仍处于探索阶段,而且会产生含较高浓度的重金属和氟离子废液。为了提高锆基非晶合金结构件的表面质量以满足其使役性能,研究抛光时间、工作电压、硫酸铵浓度、初始温度、工件入水深度、阳极挂具材料等电解质等离子体抛光工艺参数对锆基非晶合金表面粗糙度、晶化情况的影响,并利用正交试验进行参数组合优化,对比不同参数对于表面粗糙度的影响显著程度。最后针对抛光后废液污染的问题,探究并配套合适的废液处理方案。结果表明:影响抛光后材料表面质量因素的显著程度为抛光时间>工作电压>初始温度>硫酸铵浓度,最优抛光工艺参数组合为抛光时间8 min,工作电压220 V,初始温度88℃,硫酸铵浓度为5%,此时表面粗糙度为0.103μm。经化学混凝沉淀法和离子交换树脂法组合工艺处理后,出水废液中的重金属和氟离子浓度均能达国家电镀污染物排放标准。研究成果可为电解质等离子体抛光在锆基非晶合金的实际生产提供工艺指导,有助于推广锆基非晶合金结构件的产业化应用,促进锆基非晶合金的大规模工业生产。 展开更多
关键词 锆基非晶合金 电解质等离子体抛光 表面质量 工艺优化 废液处理
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蓝宝石衬底CMP中氧化硅磨粒粒度分布对抛光液体系性能影响研究
14
作者 王晓剑 李薇薇 +3 位作者 钟荣锋 肖银波 许宁徽 孙运乾 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期168-174,200,共8页
目的 化学机械抛光(CMP)包含化学腐蚀和机械磨削两方面,抛光液p H、磨粒粒径和浓度等因素均会不同程度地影响其化学腐蚀和机械磨削能力,从而影响抛光效果。方法 采用30~150 nm连续粒径磨粒抛光液、120 nm均一粒径磨粒抛光液、50 nm和120... 目的 化学机械抛光(CMP)包含化学腐蚀和机械磨削两方面,抛光液p H、磨粒粒径和浓度等因素均会不同程度地影响其化学腐蚀和机械磨削能力,从而影响抛光效果。方法 采用30~150 nm连续粒径磨粒抛光液、120 nm均一粒径磨粒抛光液、50 nm和120 nm配制而成的混合粒径磨粒抛光液,分别对蓝宝石衬底晶圆进行循环CMP实验,研究CMP过程中抛光液体系的变化。结果 连续粒径磨粒抛光液中磨粒大规模团聚,满足高材料去除率的抛光时间仅有4 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.665 nm;均一粒径磨粒抛光液中磨粒稳定,无团聚现象,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高94.7%,能至少维持高材料去除率18 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.204 nm;混合粒径磨粒抛光液初始状态下磨粒稳定性较高,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高114.8%,之后磨粒出现小规模团聚现象,后9h材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的59.6%,18 h内材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的87.7%,但抛光后的晶圆表面粗糙度为0.151 nm。结论 一定时间内追求较高的材料去除率和较好的晶圆表面粗糙度选用混合粒径磨粒抛光液,但需要长时间CMP使用均一粒径磨粒抛光液更适合,因此,在工业生产中需要根据生产要求配合使用混合粒径磨粒抛光液和均一粒径磨粒抛光液。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石 抛光液 磨粒 微观形貌 材料去除率
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CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
15
作者 梁斌 高宝红 +4 位作者 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期38-48,共11页
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外... 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整
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KDP晶体潮解抛光中相对速度的研究
16
作者 郭少龙 潘丽莉 +2 位作者 刘佳航 张庆怀 白浩辰 《工具技术》 北大核心 2024年第2期125-128,共4页
基于KDP晶体潮解抛光原理对KDP晶体抛光过程进行运动学分析,得到KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的速度表达式。在抛光垫转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、KDP晶体表面上一点到载样... 基于KDP晶体潮解抛光原理对KDP晶体抛光过程进行运动学分析,得到KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的速度表达式。在抛光垫转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、KDP晶体表面上一点到载样盘圆心的水平距离取不同值时,分别绘制KDP晶体表面某点相对于抛光垫的速度曲线,得到这几个参数对相对速度的影响规律,并据此确定这些参数的优化方向。 展开更多
关键词 KDP晶体 抛光 潮解 相对速度 抛光效率
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稀土抛光粉的制备与应用研究综述
17
作者 安振华 《中国粉体工业》 2024年第1期5-7,4,共4页
稀土抛光粉被誉为“抛光粉之王”。本文首先概述了稀土抛光粉的抛光机理及分类,然后对稀土抛光粉的制备方法及应用做了介绍,最后对稀土抛光粉的技术现状做了简要分析并做了展望。
关键词 稀土抛光粉 氧化铈 抛光粉
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基于Taguchi-GA协同的磁性磨料抛光性能预测及制备工艺参数寻优
18
作者 王燎原 孙玉利 +4 位作者 张桂冠 吴鹏飞 易思广 孙业斌 左敦稳 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期43-53,共11页
通过改变黏结法磁性磨料的制备工艺参数来设计正交试验,制备不同系列规格的磁性磨料,并对其进行形貌和成分检测.以3D打印AlSi10Mg板为加工对象,通过平面磁力研磨试验,揭示磁性磨料制备工艺参数对磁力研磨质量的影响规律.基于回归分析,... 通过改变黏结法磁性磨料的制备工艺参数来设计正交试验,制备不同系列规格的磁性磨料,并对其进行形貌和成分检测.以3D打印AlSi10Mg板为加工对象,通过平面磁力研磨试验,揭示磁性磨料制备工艺参数对磁力研磨质量的影响规律.基于回归分析,建立参数与响应之间的回归模型,通过遗传算法实现参数优化.结果表明,在SiC粒径为18~25µm,Fe与SiC的质量比为4.7,环氧树脂与聚酰胺的质量比为2,固化温度为100℃的条件下,材料去除率为1.7 mg/min,表面粗糙度由原始的3.90µm降低至0.27µm,降低率为93.1%. 展开更多
关键词 优化 遗传算法 磁性磨料 磁力研磨 抛光性能
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基于模板CAD模型的任意位姿注塑件抛光轨迹生成与重用方法研究
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作者 陈乾宝 吴雷 +2 位作者 林俊义 江开勇 黄常标 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期65-74,共10页
目的提高注塑零件机器人抛光轨迹的生成效率和柔性。方法以注塑件毛边抛光为对象,首先根据已知的模板CAD模型信息建立局部坐标系,并提取抛光特征线及抛光区域,通过等距截面法计算生成一系列加工轨迹点。为了提高抛光轨迹的生成效率,提... 目的提高注塑零件机器人抛光轨迹的生成效率和柔性。方法以注塑件毛边抛光为对象,首先根据已知的模板CAD模型信息建立局部坐标系,并提取抛光特征线及抛光区域,通过等距截面法计算生成一系列加工轨迹点。为了提高抛光轨迹的生成效率,提出根据模型特征直接计算同类产品加工轨迹的方法,实现相似模型产品抛光轨迹的重用。然后,利用多线结构光技术快速测量当前位姿下的零件三维信息,通过三维点云匹配方法计算出任意当前位姿下的零件模型与模板CAD模型之间的转换关系。最后,结合手眼标定结果,计算出任意位姿零件的机器人抛光轨迹。结果以注塑件毛边抛光为例,进行模拟仿真和实验验证,结果表明,文中提出的方法只需单次测量即可计算出待加工零件的抛光轨迹,避免了在线完整物体的重构,使得物体测量和轨迹计算效率得到显著提高。此外,通过点云匹配与手眼标定方法,可完成任意位姿零件抛光轨迹的计算。结论文中提出的方法能够实现基于CAD模型的机器人抛光轨迹高效生成和重用,通过轨迹转换可实现任意位姿的轨迹计算,提高了机器人抛光轨迹生成的效率和柔性。 展开更多
关键词 机器人抛光轨迹 轨迹生成 轨迹重用 任意位姿 坐标转换
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溶剂萃取法自铝材抛光废液中分离去除硫酸及其机理的研究
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作者 陈慧 李世鑫 +1 位作者 宾丽英 汤兵 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期332-336,共5页
研究了利用溶剂萃取体系自铝材抛光废液中分离去除硫酸并纯化提取磷酸的工艺。系统考察三烷基胺(N235)浓度、萃取温度、相比、振荡时间等因素对萃取率的影响,并用McCabe-Thiele图解法预测理论阶段数,结果表明在相比为O/A=2的三个理论阶... 研究了利用溶剂萃取体系自铝材抛光废液中分离去除硫酸并纯化提取磷酸的工艺。系统考察三烷基胺(N235)浓度、萃取温度、相比、振荡时间等因素对萃取率的影响,并用McCabe-Thiele图解法预测理论阶段数,结果表明在相比为O/A=2的三个理论阶段后,98%以上的H_(2)SO_(4)将被去除。设计了一系列串级实验进行三级逆流萃取模拟,得到H_(2)SO_(4)的萃取率为95.40%,H_(3)PO_(4)的萃取率仅为3.33%。结果表明该体系对硫酸具有较高选择性,可实现H_(3)PO_(4)与H_(2)SO_(4)的高效分离。通过机理研究可知,萃取配合物以H_(2)SO_(4)·2[N235]形式存在,H_(2)SO_(4)通过与N235形成离子对络合物被萃取进入有机相中。 展开更多
关键词 溶剂萃取法 N235 铝材抛光废液 硫酸 磷酸
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