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高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌 被引量：46
1
作者 辜敏 杨防祖 +2 位作者 黄令 姚士冰 周绍民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第11期973-978,共6页
采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.... 采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM结果表明,在4.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)织构Cu沉积层,其表面形貌在(220)晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状,在(111)取向时则呈六棱锥状.提出了可能的机理,认为电流密度变化引起的Cu镀层择优取向晶面的转化归因于电结晶晶面生长方向及生长速度竞争的结果. 展开更多
关键词 择优取向 铜镀层 电化学形成 电沉积 表面形貌 镀铜
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(110)晶面全择优取向镀锌层的制备及其耐蚀性能 被引量：11
2
作者 杜楠 舒伟发 +2 位作者 赵晴 陈庆龙 王帅星 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期426-433,共8页
运用循环伏安法和X射线衍射技术研究两种添加剂对碱性锌酸盐体系中锌电沉积行为和镀锌层织构的影响,探讨制备(110)晶面全择优取向镀锌层的电沉积工艺条件,并用极化曲线和电化学阻抗谱研究(110)晶面全择优取向镀锌层的耐蚀性能。结果表明... 运用循环伏安法和X射线衍射技术研究两种添加剂对碱性锌酸盐体系中锌电沉积行为和镀锌层织构的影响,探讨制备(110)晶面全择优取向镀锌层的电沉积工艺条件,并用极化曲线和电化学阻抗谱研究(110)晶面全择优取向镀锌层的耐蚀性能。结果表明:添加剂A阻化锌的电沉积,有利于镀锌层(110)晶面择优取向;添加剂B对锌电沉积阻化作用和镀锌层的择优取向的影响不明显;基础镀液同时加入添加剂A和添加剂B,阻化作用最大,二者的协同作用可以获得(110)晶面全择优取向镀锌层。(110)晶面全择优取向镀锌层相对于呈随机生长的镀锌层自腐蚀电位正移了146 mV,腐蚀电化学阻抗值提高约7倍,镀锌层的结构影响其耐蚀性能。 展开更多
关键词 电沉积 循环伏安 全择优取向 耐蚀性 电化学阻抗
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铈离子对镍电沉积层择优取向的影响 被引量：10
3
作者 黄令 许书楷 +2 位作者 汤皎宁 杨防祖 周绍民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期1782-1784,共3页
铈离子对镍电沉积层择优取向的影响黄令，许书楷，汤皎宁，杨防祖，周绍民（厦门大学化学系，厦门，３６１００５）关键词电沉积镍，择优取向，Ｘ射线衍射，循环伏安法在金属电沉积过程中，有相当数量的晶粒在沉积层中表现出某种共同的... 铈离子对镍电沉积层择优取向的影响黄令，许书楷，汤皎宁，杨防祖，周绍民（厦门大学化学系，厦门，３６１００５）关键词电沉积镍，择优取向，Ｘ射线衍射，循环伏安法在金属电沉积过程中，有相当数量的晶粒在沉积层中表现出某种共同的取向特征。这种现象称为织构，又称择... 展开更多
关键词 电沉积 镍 择优取向 循环伏安法 铈离子
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纳米复合永磁材料晶粒择优取向的研究 被引量：7
4
作者 庞利佳 乔祎 +3 位作者 陈菊芳 孙光飞 祁毓俊 胡权霞 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期773-777,共5页
利用熔体快淬技术制备了(Nd11.4Fe82.9B5.7)0.99M1(其中M=Zr,Nb,Ga,Zr+Ga,Nb+Ga)快淬带。发现Ga元素的添加对Nd2Fe14B相晶粒的c轴垂直于带面取向是有利的。复合添加Zr+Ga或Nb+Ga可获得较好的磁性能,并且进一步提高了快淬带晶粒的择优取... 利用熔体快淬技术制备了(Nd11.4Fe82.9B5.7)0.99M1(其中M=Zr,Nb,Ga,Zr+Ga,Nb+Ga)快淬带。发现Ga元素的添加对Nd2Fe14B相晶粒的c轴垂直于带面取向是有利的。复合添加Zr+Ga或Nb+Ga可获得较好的磁性能,并且进一步提高了快淬带晶粒的择优取向。取向度随厚度改变发生明显的变化,当带厚约为120μm时取向度最高。热处理可使淬带织构度增加,但导致晶粒粗化。利用深冷技术对纳米晶复合快淬带进行超低温处理。发现深冷处理有利于快淬带织构度的增强,且晶粒尺寸几乎不变。 展开更多
关键词 纳米复合永磁材料 择优取向 织构 取向度 稀土
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BT20钛合金筒形件旋压组织和择优取向研究 被引量：9
5
作者 杨国平 徐文臣 +3 位作者 陈宇 单德彬 康达昌 吕炎 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期467-469,473,共4页
为了研究强旋工艺中钛合金材料变形组织和织构演化规律,进行了BT20钛合金筒形件反旋工艺实验,采用光学和X射线衍射方法分别对表面微观组织和晶体取向演化过程进行了分析.研究表明:旋压件外表面组织因反复拉压和剪切作用变得复杂和不均匀... 为了研究强旋工艺中钛合金材料变形组织和织构演化规律,进行了BT20钛合金筒形件反旋工艺实验,采用光学和X射线衍射方法分别对表面微观组织和晶体取向演化过程进行了分析.研究表明:旋压件外表面组织因反复拉压和剪切作用变得复杂和不均匀;多道次大变形旋压变形可以改善组织不均匀性,在轴截面上形成较均匀的轴向纤维组织;旋压过程中因径向压缩变形导致基面{0002}趋于与筒表面相切排列.在内表面,基面择优程度随内层实际变形量增大而稳定增强.在外表面,基面择优程度在一定变形量内迅速增强,随后有所减弱. 展开更多
关键词 旋压组织 择优取向 BT20钛合金
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氮化铝压电薄膜的晶面择优取向 被引量：9
6
作者 武海顺 许小红 +1 位作者 张富强 金志浩 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期442-446,共5页
采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对AlN薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明 ,溅射气压低 ,靶基距短 ,... 采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对AlN薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明 ,溅射气压低 ,靶基距短 ,有利于以 (0 0 2 )面择优取向 ;相反 ,溅射气压高 ,靶基距长 ,则对 (10 0 )面择优取向有利 ;溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Al—N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了AlN压电薄膜晶面择优取向。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 择优取向 平均自由程 压电薄膜
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晶体的择优取向与LiCoO_2正极材料X射线衍射峰的强度比 被引量：5
7
作者 陈永翀 徐兴军 +4 位作者 崔宏芝 代克化 宋兆爽 江卫军 其鲁 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1948-1953,共6页
采用高温固相反应法合成了锂离子电池正极材料LiCoO2,用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等技术对材料的形貌与结构进行分析.平面反射和透射X射线粉末衍射数据表明,目前商品LiCoO2样品XRD图谱的(104)和(003)衍射峰强度比(I(104)... 采用高温固相反应法合成了锂离子电池正极材料LiCoO2,用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等技术对材料的形貌与结构进行分析.平面反射和透射X射线粉末衍射数据表明,目前商品LiCoO2样品XRD图谱的(104)和(003)衍射峰强度比(I(104)/I(003))主要反映了LiCoO2晶体c轴方向的择优取向,而不是Li、Co原子的占位有序程度.I(104)/I(003)比值越小,晶体择优取向度越高.晶体无择优取向LiCoO2粉末材料的衍射峰强度比I(104)/I(003)应为95%左右.因此,不能用I(104)/I(003)的比值大小作为实际LiCoO2材料晶体内Li、Co原子排列是否有序的主要证据.澄清了长期有争议的关于锂离子二次电池正极材料LiCoO2的X射线衍射峰强度比问题. 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 LICOO2 择优取向
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工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究 被引量：7
8
作者 于盛旺 刘艳青 +3 位作者 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期868-871,共4页
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件... 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响。在CH4浓度由0.5%上升到1.0%时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.0%上升到2.5%时,则由(111)转变为(220)以及(311);在700～1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长;在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加。当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低。 展开更多
关键词 金刚石膜 高功率MPCVD 工艺参数 择优取向
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磁控溅射参数对(Ba,Sr)TiO_3薄膜择优取向生长的影响 被引量：8
9
作者 王梦 张发生 +1 位作者 刘根华 于军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期52-57,共6页
采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜。基于薄膜的形核理论,研究了溅射气压、靶基距、衬底温度和溅射功率等溅射参数对(Ba,Sr)TiO3薄膜择优取向生长的影响。实验结果表明:磁控溅射中,较高衬底温度(600℃)有助于... 采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜。基于薄膜的形核理论,研究了溅射气压、靶基距、衬底温度和溅射功率等溅射参数对(Ba,Sr)TiO3薄膜择优取向生长的影响。实验结果表明:磁控溅射中,较高衬底温度(600℃)有助于钙钛矿成相;通过改变磁控溅射参数,能得到(111)、(001)、(110)择优取向的薄膜。 展开更多
关键词 BST 择优取向 磁控溅射 形核
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溶胶-凝胶法生长(002)高度择优取向的ZnO∶Al薄膜 被引量：6
10
作者 尹玉刚 沈鸿烈 +2 位作者 楼晓波 李斌斌 高超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1122-1124,1127,共4页
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能。结果表明：制备的ZnO∶Al薄膜为六角纤... 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能。结果表明：制备的ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温度对薄膜的结构、光电性能有一定的影响,薄膜在可见光区的光透过率为80%~95%;Al的掺杂浓度为1%样品在600℃下空气中退火1h后,薄膜最低的电阻率为7.5×10-2Ω.cm。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 c轴择优取向 溶胶-凝胶法 光透过率
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AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺 被引量：18
11
作者 门海泉 周灵平 肖汉宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1146-1153,共8页
不同择优取向的A lN薄膜具有不同的物理化学性质和应用,其择优取向生长机理主要包括热力学的“能量最小化”理论和动力学的“选择进化”理论。在众多的制备方法中,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的A lN薄膜,各工艺参数对其择... 不同择优取向的A lN薄膜具有不同的物理化学性质和应用,其择优取向生长机理主要包括热力学的“能量最小化”理论和动力学的“选择进化”理论。在众多的制备方法中,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的A lN薄膜,各工艺参数对其择优取向的影响取决于沉积粒子到达衬底前携带能量的大小,它们引起的各晶面生长速率的竞争,其结果表明,择优取向晶面是该沉积条件下生长速率最快的晶面。在诸多工艺参数中,靶基距、离子束轰击是控制A lN薄膜择优取向的最重要工艺参数,靶基距增大容易得到(100)晶面择优取向的A lN薄膜,而一定范围内离子束轰击能量和轰击角度的增大会促进(002)晶面择优取向生长。 展开更多
关键词 ALN薄膜 择优取向 反应溅射
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离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向 被引量：4
12
作者 江炳尧 任琮欣 +5 位作者 郑志宏 柳襄怀 樊会明 姚刘聪 李玉涛 苏小保 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1414-1419,共6页
采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。 展开更多
关键词 铪薄膜 晶粒 择优取向 离子束辅助沉积 IBAD
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碱性介质中高择优取向(220)镍电极上乙醇的电氧化 被引量：6
13
作者 黄令 杨防祖 +1 位作者 许书楷 周绍民 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期590-594,共5页
采用循环伏安法和现场红外反射光谱研究了1.0mol/LNaOH溶液中高择优取向镍电极上乙醇的电催化氧化活性及机理。结果表明,高择优取向镍电极对乙醇的电氧化有较高的催化作用,氧化的产物为CH3COO-;采用稳态法推导出乙醇的电氧化动力学方程... 采用循环伏安法和现场红外反射光谱研究了1.0mol/LNaOH溶液中高择优取向镍电极上乙醇的电催化氧化活性及机理。结果表明,高择优取向镍电极对乙醇的电氧化有较高的催化作用,氧化的产物为CH3COO-;采用稳态法推导出乙醇的电氧化动力学方程,运用稳态极化曲线测定了其电氧化过程的动力学参数,高择优取向(220)镍电极在碱性溶液中形成的Ni(Ⅲ)与乙醇的反应速率常数k2=5.7×10-6L/(mol·s),Ni(Ⅱ)氧化为Ni(Ⅲ)的反应速度常数k1=4.9×10-13exp(0.52FE/RT),Ni(Ⅲ)还原为Ni(Ⅱ)的反应速度常数k-1=3.7×10-4exp(-0.48FE/RT)。 展开更多
关键词 高择优取向镍电极 电沉积 乙醇 电氧化 现场红外反射光谱
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(110)晶面全择优取向Cu镀层的制备及其条件优化 被引量：19
14
作者 辜敏 鲜晓红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第3期378-382,共5页
研究了添加剂聚乙二醇(PEG)、氯离子(Cl-)和电流密度对Cu的电沉积过程的影响,着重探讨了制备(110)晶面全择优取向Cu镀层的电沉积条件及其形成机理.循环伏安(CV)结果表明,PEG阻化Cu的电沉积,Cl-加快Cu的电沉积速率.XRD实验结果表明,PEG和... 研究了添加剂聚乙二醇(PEG)、氯离子(Cl-)和电流密度对Cu的电沉积过程的影响,着重探讨了制备(110)晶面全择优取向Cu镀层的电沉积条件及其形成机理.循环伏安(CV)结果表明,PEG阻化Cu的电沉积,Cl-加快Cu的电沉积速率.XRD实验结果表明,PEG和Cl-在一定浓度范围有利于(110)晶面择优取向;这两种不同特性的添加剂的协同作用可以制得(110)晶面全择优取向的较薄的Cu镀层;所制备的全择优Cu镀层较稳定.全择优取向Cu镀层形成的机理在于PEG和Cl-吸附过程联合起作用,在不同晶粒的不同晶面进行选择吸附,改变了晶面的生长速率及晶粒的快生长方向. 展开更多
关键词 电沉积 Cu镀层 全择优取向 微观应力
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高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能 被引量：5
15
作者 王震东 赖珍荃 +1 位作者 范定环 徐鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1342-1345,共4页
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它... 使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm. 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 高择优取向 电学性能
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Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向 被引量：8
16
作者 张雅婷 徐章程 李菲晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期728-731,共4页
采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增... 采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加。在相同沉积条件下,在斜切角较小的S i(111)和S i(100)衬底上择优取向面都是铜(220)面,而在斜切角为4°的S i(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面。 展开更多
关键词 CU 电沉积 SI衬底 择优取向
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贝壳珍珠层中文石晶体择优取向研究 被引量：10
17
作者 张刚生 谢先德 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期765-768,共4页
贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向是其具有独特力学性能的重要原因．本文采用Ｘ射线衍射方法对我国主要育珠贝（蚌）的贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向进行了较系统的研究，结果表明：海水马氏珍珠贝、大珠母贝及企鹅珍珠贝贝壳珍珠层中... 贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向是其具有独特力学性能的重要原因．本文采用Ｘ射线衍射方法对我国主要育珠贝（蚌）的贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向进行了较系统的研究，结果表明：海水马氏珍珠贝、大珠母贝及企鹅珍珠贝贝壳珍珠层中文石晶体ｃ轴垂直珍珠层面定向排列；淡水三角帆蚌壳珍珠层文石晶体有两种明显择优取向，一种ｃ轴垂直珍珠层层面，另一种ｃ轴与层面斜交，其（０１２）面网方向与层面平行． 展开更多
关键词 珍珠层 XRD 择优取向 文石晶体 贝壳 结构 层面
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碱性介质中高择优取向(220)镍电极上丙醇的电氧化 被引量：6
18
作者 黄令 许书楷 周绍民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期932-937,共6页
对1．0mol／LNiSO4和0．5mol／LH3BO3体系，控制电位为-1．25V，沉积60min，制得高择优取向镍电极．该镍电极经X射线衍射测定其织构度TC220为92％．采用循环伏安法研究了1mol／LNaOH溶液中高择优取向镍电极上丙醇的电催化氧化机理及活... 对1．0mol／LNiSO4和0．5mol／LH3BO3体系，控制电位为-1．25V，沉积60min，制得高择优取向镍电极．该镍电极经X射线衍射测定其织构度TC220为92％．采用循环伏安法研究了1mol／LNaOH溶液中高择优取向镍电极上丙醇的电催化氧化机理及活性，结果表明：高择优取向镍电极对正面醇的电催化活性高，对异丙醇的电催化活性小；推导出正丙醇的电氧化动力学方程，运用稳态极化曲线测定了其电氧化过程的动力学参数．Ni（Ⅱ）氧化为Ni（Ⅲ）的反应速度常数K1（E）＝5．25×10－13exp（0．488FE／RT），Ni（Ⅲ）还原为Ni（Ⅱ）的反应速度常数K-1（E）＝2．46×10-4exp（-0．512FE／RT），Ni（Ⅲ）氧化正丙醇的反应速度常数K2＝5．64×10－6L·mol-1s-1． 展开更多
关键词 高择优取向电极 镍电极 丙醇 电催化氧化
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具有不同形貌和择优取向的M_xWO_3·xH_2O粉晶的制备与表征 被引量：3
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作者 徐英明 霍丽华 +3 位作者 程晓丽 赵辉 高山 赵经贵 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第2期207-210,共4页
采用沉淀结合渗析的方法,以钨酸钠、钨酸铵为原料,制备了不同形貌、具有择优取向的MxWO3·xH2O(M=Na+,NH4+,x<1)粉晶,利用SEM、XRD、TG、IR、XPS等手段对粉体进行表征,考察了不同渗析时间和焙烧温度对粉晶形貌、晶化程度及结构... 采用沉淀结合渗析的方法,以钨酸钠、钨酸铵为原料,制备了不同形貌、具有择优取向的MxWO3·xH2O(M=Na+,NH4+,x<1)粉晶,利用SEM、XRD、TG、IR、XPS等手段对粉体进行表征,考察了不同渗析时间和焙烧温度对粉晶形貌、晶化程度及结构转变的影响。结果表明,长时间渗析后粉体的晶化程度明显提高,并沿(010)晶面方向择优生长,形貌由不规则形变为梭形和蝴蝶形。经空气气氛400℃焙烧后,NaxWO3·xH2O和(NH4)xWO3·xH2O粉晶均转变为沿(200)晶面方向择优生长的立方青铜相,且形貌也发生改变。 展开更多
关键词 MX WO3·xH2O 形貌 择优取向
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离子束辅助沉积金红石型氧化钛薄膜的择优取向控制 被引量：5
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作者 张峰 郑志宏 柳襄怀 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期581-586,共6页
用用性气体（Ne＋、Xe＋）离子束辅助沉积（IBAD）技术，合成了金红石型氧化钛薄膜在薄膜生长过程中，离子束以45°角轰击薄膜．通过增加离子原子到达比γ，实现了金红石型氧化钛薄膜从（110）择优取向向（100）择优取向的转变研究... 用用性气体（Ne＋、Xe＋）离子束辅助沉积（IBAD）技术，合成了金红石型氧化钛薄膜在薄膜生长过程中，离子束以45°角轰击薄膜．通过增加离子原子到达比γ，实现了金红石型氧化钛薄膜从（110）择优取向向（100）择优取向的转变研究了取向转变的机制，择优取向的转变是表面能和沟道效应竞争的结果估算了晶面的表面能，发现（110）面具有最小的表面能当γ较小时，表面能控制薄膜的取向，此时薄膜表现为具有最小表面能的晶面（110）择优生长；随着γ的增加。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 氧化钛 择优取向 薄膜 金红石型
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