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题名碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料
被引量：6
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作者
孙亚楠
石云波
王华
任建军
杨阳
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
火箭军驻
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第7期499-504,共6页
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基金
国家杰出青年基金自然基金资助项目(51225504)
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文摘
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。
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关键词
碳化硅(SiC)
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
掩膜图形化
选择比
刻蚀形貌
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Keywords
silicon carbide（SiC）
inductively coupled plasma（ICP）etching
mask pattern
selectivity
etching morphology
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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