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改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法
1
作者 陈敏敏 《中国集成电路》 2019年第8期48-52,共5页
随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响H... 随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响HM CD的重要因素,其中O2与HM CD呈线性关系(y=1.595x+40.51,R2=0.9997)。Bias RF是影响THK的重要因素,与THK的线性关系为:y=-10.51x+129.75,R2=0.9999。Bias RF、O2、Cl2和Temp四个参数间的交互实验表明,O2和Bias RF均不会受其他参数的影响。同时,当Bias RF提高50%时,纵向刻蚀能力得到了加强,这可以改善金属硬质掩膜层的形貌。 展开更多
关键词 集成电路制造 金属硬质掩膜层刻蚀 28纳米 关键尺寸
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基于Protel的Solder Masks与Paste Masks辨析
2
作者 杨明 《淮海工学院学报（自然科学版）》 CAS 2010年第1期28-30,共3页
在不同的Protel 99 SE教材中,对于Solder Masks和Paste Masks的理解存在两种截然相反的意见,而且大多数教材对于Masks层没有给出详尽的解释,这些弊端都给初学者带来较大的困惑。通过对印制电路板掩膜层制造工艺的详细描述、单层显示演... 在不同的Protel 99 SE教材中,对于Solder Masks和Paste Masks的理解存在两种截然相反的意见,而且大多数教材对于Masks层没有给出详尽的解释,这些弊端都给初学者带来较大的困惑。通过对印制电路板掩膜层制造工艺的详细描述、单层显示演示以及Protel 99 SE帮助文件的诠注全面而充分地论证了Solder Masks和Paste Masks的实质含意。认为两者的实质是"阻焊膜与防锡膏膜",没有"互补关系"。 展开更多
关键词 PROTEL 99 SE 印制电路板设计 掩膜层 阻焊膜与防锡膏膜
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先进技术中PMOS镶嵌式源漏锗硅外延工艺的设计
3
作者 周利民 陈勇跃 《集成电路应用》 2022年第5期17-19,共3页
基于FinFET平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效进行改善,消除掩膜层上生长的附着颗粒。透射电子显微镜下观察整个外延层,特征尺寸达到要求,沟槽内的... 基于FinFET平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效进行改善,消除掩膜层上生长的附着颗粒。透射电子显微镜下观察整个外延层,特征尺寸达到要求,沟槽内的填充饱满,能有效降低源漏区的接触电阻,从而使三维FinFET器件的性能得到提升。 展开更多
关键词 集成电路制造 外延工艺 掩膜层 FINFET
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矩阵显示器条状电极制备
4
作者 周连祥 《科技开发动态》 1995年第1期42-43,共2页
关键词 矩阵显示器 电极 制备 掩膜层
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