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氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算 被引量:35
1
作者 范志新 孙以材 陈玖琳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1382-1386,共5页
以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (... 以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 . 展开更多
关键词 氧化物半导体 透明导电薄膜 最佳掺杂含量
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二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式 被引量:23
2
作者 范志新 陈玖琳 孙以材 《电子器件》 CAS 2001年第2期132-135,共4页
二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题 ,建立模型并给出理论表达式 ,得出的最佳掺杂含量值与实验数据相符。
关键词 二氧化锡 最佳掺杂含量 薄膜 半导体材料
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不同稀土Nd3+掺杂含量对锰锌铁氧体吸波性能的影响 被引量:3
3
作者 翁兴媛 陈宏伟 +1 位作者 马志军 关智浩 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第11期3392-3396,共5页
采用水热合成法制备出锰锌稀土复合铁氧体Mn0.4Zn0.6NdxFe2-xO4(x=0,0.03,0.06,0.09),以X射线衍射仪(XRD),矢量网络分析仪(VNA)和透射电子显微镜(TEM)为表征手段,研究不同稀土Nd3+掺杂含量对锰锌铁氧体微观结构及吸波性能的影响。实验表... 采用水热合成法制备出锰锌稀土复合铁氧体Mn0.4Zn0.6NdxFe2-xO4(x=0,0.03,0.06,0.09),以X射线衍射仪(XRD),矢量网络分析仪(VNA)和透射电子显微镜(TEM)为表征手段,研究不同稀土Nd3+掺杂含量对锰锌铁氧体微观结构及吸波性能的影响。实验表明:当掺杂量x=0.03时,制备的样品纯相单一,具有类球形结构,反射损耗值最低为-8.36dB。随着Nd3+含量的不断增加,晶格常数减小,反射损耗值逐渐增大,样品的吸波性能不佳,说明掺杂适量的Nd3+能够提高材料的吸波性能。 展开更多
关键词 水热合成法 锰锌铁氧体 稀土Nd^3+ 掺杂含量 吸波性能
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电子陶瓷材料最佳掺杂含量的理论研究 被引量:2
4
作者 范志新 高红 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第1期1-3,23,共4页
分析多种电子陶瓷材料的掺杂改性的实验结果 ,建立陶瓷材料的某一物理性能与晶体结构、烧结温度和掺杂剂含量之间的联系 ,归纳给出了一个掺杂最佳含量的表达式。应用此表达式定量计算了二氧化硅、三氧化二铝、氧化锌、二氧化锡、钛酸钡... 分析多种电子陶瓷材料的掺杂改性的实验结果 ,建立陶瓷材料的某一物理性能与晶体结构、烧结温度和掺杂剂含量之间的联系 ,归纳给出了一个掺杂最佳含量的表达式。应用此表达式定量计算了二氧化硅、三氧化二铝、氧化锌、二氧化锡、钛酸钡等部分电子陶瓷材料的最佳掺杂含量。 展开更多
关键词 电子陶瓷材料 晶体结构 烧结 最佳掺杂含量 理论计算
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ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算 被引量:6
5
作者 范志新 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第3期244-246,共3页
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到 Zn O陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程... 从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到 Zn O陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了 Zn O压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果 ,应用此表达式定量计算了Zn O压敏陶瓷的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 展开更多
关键词 ZNO 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算
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多种功能材料最佳掺杂含量定量理论的研究 被引量:5
6
作者 范志新 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第2期79-82,共4页
系统地分析了多种功能材料掺杂改性的实验结果,建立了薄膜的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制... 系统地分析了多种功能材料掺杂改性的实验结果,建立了薄膜的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式.应用此表达式定量计算了多种功能材料的最佳掺杂含量.定量计算的结果与实验数据相符合. 展开更多
关键词 功能材料 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算 薄膜
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铌酸锂晶体最佳掺杂含量的理论计算 被引量:1
7
作者 范志新 刘新福 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期67-70,共4页
本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方... 本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了铌酸锂晶体材料的掺杂改性的实验结果 ,应用掺杂最佳含量表达式定量计算了铌酸锂晶体材料的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据是比较接近的。该理论方法也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 制备方法 掺杂含量 理论计算 改性
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SnO_2∶Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量的理论计算
8
作者 潘良玉 陈玖琳 范志新 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第4期315-317,共3页
本文介绍一个最佳掺杂含量表达式 ,应用此表达式定量计算了 Sn O2 ∶ Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据十分符合。
关键词 气敏元件 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算
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CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算
9
作者 范志新 潘晓春 潘良玉 《真空》 CAS 北大核心 2002年第4期26-28,共3页
本文介绍一个最佳掺杂含量表达式。应用此表达式定量计算了 Ca O- Sn O2 薄膜乙醇气敏元件材料的最佳掺杂含量。
关键词 CaO-SnO2气敏薄膜 气敏元件 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算 氧化钙 二氧化锡 氧化物半导体
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血液相容性氧化钛薄膜最佳掺杂含量的理论计算 被引量:2
10
作者 高红 范志新 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 2002年第4期583-585,共3页
我们把一个从对透明导电薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到血液相容性氧化钛薄膜材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理... 我们把一个从对透明导电薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到血液相容性氧化钛薄膜材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。分析血液相容性氧化钛薄膜材料的钽掺杂改性的实验结果 。 展开更多
关键词 氧化钛薄膜 血液相容性 最佳掺杂含量 生物材料 磁控溅射法
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三氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算 被引量:13
11
作者 范志新 潘良玉 何良明 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1303-1306,共4页
介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与... 介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个最佳掺杂含量的表达式。分析三氧化钨电致变色薄膜材料的掺杂改性的实验结果 ,应用最佳掺杂含量表达式定量计算了三氧化钨以及三氧化钼电致变色薄膜材料的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论方法也适用于其他材料最佳掺杂粒子数分数的理论计算。 展开更多
关键词 电致变电薄膜 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算 三氧化钨薄膜
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硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算 被引量:6
12
作者 范志新 陈玖琳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期373-376,共4页
介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。
关键词 硫化锌 掺杂 ZNS 纳米微晶 最佳掺杂含量 理论计算
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Al合金布线材料Fe掺杂最佳含量的理论分析
13
作者 陈玖琳 潘良玉 +1 位作者 樊世杰 范志新 《光电子技术》 CAS 2002年第3期168-170,共3页
介绍一个最佳掺杂含量表达式,应用此表达式分析计算了Al-Fe合金布线材料Fe掺杂最佳含量,定量计算的结果与实验数据基本符合。
关键词 Al-Fe合金薄膜 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算
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α-氧化铁气敏纳米晶锡掺杂最佳含量的理论计算
14
作者 范志新 孙以材 《电子器件》 CAS 2001年第4期386-389,共4页
应用与晶体结构和掺杂方法相关的最佳掺杂含量的理论表达式 ,对氧化铁气敏纳米晶粉体中锡掺杂最佳含量进行理论计算。定量计算的结果与实验数据相符合。
关键词 α-氧化铁 气敏性 纳米晶粉体 最佳掺杂含量 掺杂
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原位制备低掺杂高导热聚酰亚胺纳米复合薄膜研究
15
作者 黎汉江 孙京菲 +1 位作者 彭学深 罗文 《材料研究与应用》 CAS 2024年第4期627-632,共6页
导热聚合物材料广泛应用于各种电子设备和航空航天工业的热管理领域。添加高导热填料能改善聚合物材料固有的低导热系数,但高添加量会导致力学性能下降,限制其实际应用。因此,提高聚合物材料的导热系数并控制填料占比,以保留其良好的加... 导热聚合物材料广泛应用于各种电子设备和航空航天工业的热管理领域。添加高导热填料能改善聚合物材料固有的低导热系数,但高添加量会导致力学性能下降,限制其实际应用。因此,提高聚合物材料的导热系数并控制填料占比,以保留其良好的加工性与轻质性,成为该领域研究的热点。聚酰亚胺因其电绝缘性强、高热稳定性和优异的力学性能备受关注,然而,高填料占比会导致高成本和材料脆性等问题,难以满足实际生产需要。石墨烯以其大比表面积和优异导热性能,是导热填料的理想选择。提出了一种低含量(质量分数1%—5%)小片还原氧化石墨烯的掺杂策略,通过原位聚合制备聚酰亚胺导热复合薄膜。结果表明,利用改进Hummers法和差速离心法后还原制备的小片还原氧化石墨烯形成了有效的高导热碳纳米网络,显著提高了聚酰亚胺复合薄膜的热稳定性、力学性能和导热率。与纯聚酰亚胺薄膜相比,制备得到的SRGO/PI-3薄膜弹性模量提高了20.0%,SRGO/PI-5薄膜硬度提高了19.5%且导热率提高了3.35倍。这种低含量小片还原氧化石墨烯的掺杂策略,有望实现的高导热聚酰亚胺复合薄膜的大规模工业化制备和应用。 展开更多
关键词 聚酰亚胺复合材料 高导热 石墨烯 力学性能 原位聚合 含量掺杂 纳米材料 薄膜
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纳米BaTiO_3的钾掺杂最佳含量的理论计算
16
作者 范志新 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期227-229,共3页
本文介绍一个晶体结构和制备方法与最佳掺杂含量关系的理论表达式 ,对纳米BaTiO3的钾掺杂最佳含量作出理论计算 ,定量计算的结果与实验数据相符合。
关键词 纳米BaTiO3 掺杂含量 理论计算 钛酸钡 陶瓷
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人工骨磷酸三钙锌掺杂最佳含量的理论计算
17
作者 高红 岳伟彬 范志新 《中国生物医学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期382-384,共3页
关键词 人工骨 磷酸三钙 晶体结构 最佳掺杂含量 理论计算
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Ti含量对掺杂磷酸铁锂正极材料性能影响的研究 被引量:4
18
作者 许昕 《安徽化工》 CAS 2018年第6期67-69,71,共4页
采用湿法高能球磨和高温固相的方法,合成了不同Ti含量掺杂的锂离子电池正极材料磷酸铁锂,并通过粉末X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、等离子电感耦合(ICP)、碳硫测试仪和电性能测试对该材料进行表征和测试。结果表明,Ti掺杂并不影响磷... 采用湿法高能球磨和高温固相的方法,合成了不同Ti含量掺杂的锂离子电池正极材料磷酸铁锂,并通过粉末X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、等离子电感耦合(ICP)、碳硫测试仪和电性能测试对该材料进行表征和测试。结果表明,Ti掺杂并不影响磷酸铁锂材料的晶体结构;随着Ti含量的升高,一次颗粒明显变小;碳含量逐渐升高。电化学性能测试表明,在0.2 C和20 C下的最高放电容量能达到163 m Ah g^(-1)和118 m Ah g^(-1),验证了Ti离子主要对磷酸铁锂的高倍率性能产生较为严重的影响,其可广泛应用于高功率领域的电池系统中。 展开更多
关键词 锂离子电池 磷酸铁锂 磷酸铁 不同Ti含量掺杂
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Eu^(3+)掺杂ZnO粉体的制备及光学性能研究 被引量:1
19
作者 吕宝华 李玉珍 姚陈忠 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1516-1520,共5页
以氧化铕(Eu_2O_3)和氧化锌(ZnO)为原材料,采用固相合成法合成了Zn Eu O粉体。通过X射线衍射(XRD)、共焦显微拉曼仪、紫外-可见(Uv-vis)光谱仪、荧光分光光度计和扫描电子显微镜(SEM)对其结构和性能进行了表征,研究了Eu掺杂摩尔比(x)对... 以氧化铕(Eu_2O_3)和氧化锌(ZnO)为原材料,采用固相合成法合成了Zn Eu O粉体。通过X射线衍射(XRD)、共焦显微拉曼仪、紫外-可见(Uv-vis)光谱仪、荧光分光光度计和扫描电子显微镜(SEM)对其结构和性能进行了表征,研究了Eu掺杂摩尔比(x)对粉体晶体结构和光学性能的影响。结果表明,所制备的粉体都保持了ZnO的六方纤锌矿结构。紫外-可见吸收光谱中,Eu的加入使得粉体在紫外区的吸光度减小,而在可见光区的吸光度增大。当Eu掺杂摩尔比x=0. 02时,Eu^(3+)能很好的进入到ZnO的晶格中取代Zn^(2+)的位置,粉体结构排列比较紧密,且具有良好的发光性能。 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 固相反应法 掺杂含量
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磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜结构及光电性能研究 被引量:1
20
作者 赵斌 唐立丹 王冰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第8期131-133,共3页
采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备不同铝(Al)掺杂量的铝掺氧化锌(AZO)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了不同Al掺杂量对AZO薄膜结构、形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,所有样品均为... 采用磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备不同铝(Al)掺杂量的铝掺氧化锌(AZO)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪和透射光谱仪等手段研究了不同Al掺杂量对AZO薄膜结构、形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,所有样品均为ZnO六方纤锌矿晶体结构,具有较好的c轴择优取向;随着Al掺杂量的增加,薄膜结晶稍有变差,电阻率逐渐降低,透过率逐渐增加。当Al掺含量为3%(vol,体积分数)时,AZO薄膜的综合性能更好,电阻率约3.52×10^(-3)Ω·cm,平均透光率可达到80%,光学禁带宽度达到3.23eV。 展开更多
关键词 AZO薄膜 磁控溅射 Al掺杂含量 电阻率 透光度
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