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In∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体非挥发性全息存储 被引量：1
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作者 王锐 周楠 +1 位作者 杨春晖 徐玉恒 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1330-1333,共4页
在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1.用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比... 在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1.用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比Mn:Fe:LN晶体提高1～2个数量级.探讨了In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,In:Mn:Fe:LN晶体中一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以Mn:Fe:LN和1%In:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储.用双光子固定法测量了In:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率.研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理. 展开更多
关键词 掺铟锰铁铌酸锂晶体 非挥发性存储 红外光谱 提拉法晶体生长
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