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掺铬锂锰氧化物的湿化学法合成与性能 被引量:4
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作者 常建卫 李运姣 +1 位作者 孙召明 洪良仕 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期263-265,共3页
为了寻求新的合成方法,改善锂锰氧化物的电化学性能,采用湿化学法合成了掺铬尖晶石锂锰氧化物LiMn2-xCrxO4(x=0 00,0 04,0 08,0 12),并通过热重-差热(TG DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)与恒电流充放电等测试方法考查了材料的结构... 为了寻求新的合成方法,改善锂锰氧化物的电化学性能,采用湿化学法合成了掺铬尖晶石锂锰氧化物LiMn2-xCrxO4(x=0 00,0 04,0 08,0 12),并通过热重-差热(TG DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)与恒电流充放电等测试方法考查了材料的结构、形貌与电化学性能。TG DTA测试证明:湿化学法所制得的LiMn2-xCrxO4(x=0 04)前驱体在100~900℃之间有一个较大的放热峰,在此温度范围内,前驱体由非晶态向晶态转变。XRD结果表明:合成产物具有尖晶石结构,随掺铬量的增加,样品的晶格常数变小,晶胞体积收缩。SEM观测结果表明:合成材料的颗粒粒度较小,分布均匀,结晶性能良好,掺铬后样品(x=0 04)的粒径为0 4μm,大于未掺铬时的0 2μm。恒电流充放电实验结果表明:随掺铬量的增加,样品的首次放电比容量降低,当掺铬量由x=0 00增至x=0 12时,初始放电比容量由123 3mAh/g降至113 6mAh/g。兼顾比容量与循环性能,以LiMn1 92Cr0 08O4性能最佳。 展开更多
关键词 掺铬 尖晶石锂锰氧化物 湿化学法 电化学性能
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掺铬高温相硼酸镧钪的光谱研究 被引量:2
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作者 龙西法 林洲斌 +1 位作者 胡祖树 王国富 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期567-569,共3页
报道了掺铬高温相硼酸镧钪Cr3+:LaSc3(BO3)4(α CLSB)晶体的光谱特性。吸收光谱表明:CLSB晶体在可见光区有两个吸收带,吸收峰值分别位于457和654nm处,吸收系数均为19.07。室温荧光光谱则表现为一个源自于4T2→4A2能级跃迁的780~1120nm... 报道了掺铬高温相硼酸镧钪Cr3+:LaSc3(BO3)4(α CLSB)晶体的光谱特性。吸收光谱表明:CLSB晶体在可见光区有两个吸收带,吸收峰值分别位于457和654nm处,吸收系数均为19.07。室温荧光光谱则表现为一个源自于4T2→4A2能级跃迁的780~1120nm的宽带发射,其半峰宽为167nm,峰值为963nm。其荧光寿命为17μs。通过计算得出了铬离子所处的晶场强度Dq和拉卡参数B分别为1529和675cm-1,Dq B=2.26。研究结果表明:掺铬高温相硼酸镧钪有望成为一种新的可调谐激光晶体。 展开更多
关键词 稀土 掺铬硼酸镧钪 吸收光谱 发射光谱 半导体激光器 激光晶体
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Cr含量对掺铬类石墨膜的力学和摩擦学性能的影响 被引量:3
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作者 张永宏 蒋百灵 刘艳 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2009年第4期394-399,共6页
采用非平衡磁控溅射离子镀技术制备了一组不同Cr含量的掺铬类石墨非晶碳膜。测量了薄膜的硬度、内应力以及干摩擦条件下的摩擦系数和比磨损率,利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微术(SEM)分析了薄膜的成分和表面形貌。实验结果表明... 采用非平衡磁控溅射离子镀技术制备了一组不同Cr含量的掺铬类石墨非晶碳膜。测量了薄膜的硬度、内应力以及干摩擦条件下的摩擦系数和比磨损率,利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微术(SEM)分析了薄膜的成分和表面形貌。实验结果表明,掺铬类石墨膜的力学和摩擦学性能均强烈地受到薄膜Cr含量的影响。掺杂铬对类石墨膜具有显著的去应力和软化作用。适量铬的加入不仅能进一步改善这种非晶碳膜的磨擦学性能,而且也有助于降低它的表面粗糙度并提高其致密性。分析结果表明,掺铬类石墨膜的力学和摩擦学性能随着Cr含量增大的变化趋势与薄膜中碳的价键结构演变存在着明显的相关性。 展开更多
关键词 掺铬非晶碳膜 力学性能 磨擦学性能 价键结构
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自锁模飞秒掺铬的镁橄榄石激光器的实验研究 被引量:3
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作者 阮双琛 朱勤 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第10期892-894,共3页
用波长为1.06μm的Nd:YAG激光器泵浦Cr4+:forsterite晶体,实现了Cr4+:forsterite激光器的自锁模飞秒激光运转,在吸收泵浦功率为8W的条件下,得到了脉冲宽度为85fs,中心波长为1246nm,平均输出功率为200mW的稳定锁模输出.
关键词 自锁模 飞秒 掺铬 镁橄榄石 激光器
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掺铬三氧化二钒纳米粉体的性质特征 被引量:1
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作者 韦柳娅 储向峰 +1 位作者 雷德铭 郑臣谋 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期130-131,共2页
首次以掺铬氧钒(Ⅳ)碱式碳酸铵为前体制备了粒度约40nm的掺铬三氧化二钒粉体,DSC和磁化率结果都表明铬(Ⅲ)原子进入三氧化二钒晶格。
关键词 掺铬三氧化二钒粉体 制备 热和磁性质
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掺铬的镁橄榄石晶体连续波可调谐激光器 被引量:2
6
作者 阮双琛 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期97-99,共3页
本文报道了连续波Nd∶YAG激光器泵浦掺铬镁橄榄石(Cr4+∶forsterite)晶体获得了连续波可调谐运转,该激光器采用Nd∶YAG激光器的106μm谱线泵浦5×9mm的Cr4+∶forsterite晶体... 本文报道了连续波Nd∶YAG激光器泵浦掺铬镁橄榄石(Cr4+∶forsterite)晶体获得了连续波可调谐运转,该激光器采用Nd∶YAG激光器的106μm谱线泵浦5×9mm的Cr4+∶forsterite晶体在吸收泵浦功率为87W时,得到105W的连续波输出当在腔内放置色散元件后,其调谐范围是1186nm~1306nm。 展开更多
关键词 掺铬 橄榄石晶体 调谐激光器 泵浦 连续波
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双波长掺铬氟化锂锶铝激光器 被引量:1
7
作者 阮双琛 侯洵 王水才 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第8期767-767,共1页
近几年来,多波长激光器的研究成为国际上激光学术界的一个热门研究课题之一.它可广泛地用于干涉彩虹全息、多光子、多分子分离、激光医学、光学计量等领域,吸引了许多的研究者.西安光机所利用新型固体掺铬氟化锂锶铝晶体,研制出波长分别... 近几年来,多波长激光器的研究成为国际上激光学术界的一个热门研究课题之一.它可广泛地用于干涉彩虹全息、多光子、多分子分离、激光医学、光学计量等领域,吸引了许多的研究者.西安光机所利用新型固体掺铬氟化锂锶铝晶体,研制出波长分别为834nm,845nm 的激光输出.用氩离子激光器的488nm 谱线来泵浦掺铬氟化锂锶铝激光晶体,晶体采用φ6×20mm 的圆形棒,棒的掺杂浓度为1.7%,折射率为1.4,棒的两端切或布儒斯特角,棒用50μm厚的铟皮包裹装在铜的冷却管中,并用水冷却. 展开更多
关键词 激光器 双波长 掺铬 氟化锂锶名
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仲钨酸铵结晶过程掺铬工艺研究 被引量:1
8
作者 万林生 黄海 +1 位作者 赵立夫 章秋霖 《中国钨业》 CAS 北大核心 2015年第1期56-60,共5页
研究了仲钨酸铵蒸发结晶过程掺铬工艺。通过结晶过程加入乙酸铬工艺制取了掺铬仲钨酸铵粉末。结果表明:铬主要以C(rOH)3沉淀形态先于仲钨酸铵析出,开始沉淀的p H≥9,在p H=8.5左右时,铬的析出率达到最大值,此后铬的沉淀—溶解接近平衡状... 研究了仲钨酸铵蒸发结晶过程掺铬工艺。通过结晶过程加入乙酸铬工艺制取了掺铬仲钨酸铵粉末。结果表明:铬主要以C(rOH)3沉淀形态先于仲钨酸铵析出,开始沉淀的p H≥9,在p H=8.5左右时,铬的析出率达到最大值,此后铬的沉淀—溶解接近平衡状态;铬在仲钨酸铵中的析出不具饱和性,控制掺铬量可制备不同铬含量的仲钨酸铵;C(rOH)3在(NH4)2WO4溶液中的溶解度比在水溶液中大,WO3浓度越高的溶液铬的析出率越低;提高起始NH4OH浓度、降低搅拌速度,可显著增大铬的析出率。 展开更多
关键词 APT 蒸发结晶 掺铬工艺
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掺铬钛酸锶晶体的氧化还原诱导吸收及发光的退火效应和浓度效应
9
作者 李运奎 陈述春 +1 位作者 戴凤妹 干福熹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期155-162,共8页
制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr_2O_3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究.
关键词 掺铬钛酸锶 氧化 还原 吸收 发光
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掺铬镁橄榄石的发光中心研究
10
作者 杨宝成 林平 +2 位作者 徐继东 朱小怡 林远齐 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第4期106-109,共4页
引言激光技术及其相关科学的发展,使结构紧凑的近红外调谐激光器日受瞩目,从而促进了固体可调谐激光的研究.固体激光器的许多激活介质是在特定的基质材料中掺入适量的激活杂质而形成的,其中掺过渡族金属离子的晶体很受重视.近年来为三... 引言激光技术及其相关科学的发展,使结构紧凑的近红外调谐激光器日受瞩目,从而促进了固体可调谐激光的研究.固体激光器的许多激活介质是在特定的基质材料中掺入适量的激活杂质而形成的,其中掺过渡族金属离子的晶体很受重视.近年来为三价铬离子寻找新基质材料的研究取得了很大进展.不少掺铬晶体已在室温下实现了新频段的近红外调谐或宽带激光运转,如蓝宝石,金绿宝石,绿母石和镁橄榄石等.其中掺铬镁橄榄石的光谱覆盖范围最宽,其荧光光谱范围为0.69μm~1.4μm.这引起人们极大的兴趣.对Cr:Mg_2SiO_4晶体荧光的这种独特性质的机制,人们也提出了种种的猜测和解释. 展开更多
关键词 镁橄榄石 掺铬 发光中心 激光
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轻掺铬SI-GaAs单晶的研制
11
作者 谢自力 夏德谦 +1 位作者 陈宏毅 朱志明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期161-164,共4页
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。
关键词 掺铬 半绝缘砷化镓 单晶制备
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掺铬镁橄榄石脉冲激光器的增益开关特性
12
作者 雷海容 刘宏发 +2 位作者 严柏生 刘敬海 张国威 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第S2期44-44,共1页
掺铬镁橄榄石脉冲激光器的增益开关特性雷海容刘宏发严柏生刘敬海张国威(北京理工大学光电工程系100081)掺铬镁橄榄石脉冲激光器可在1.13~1.37μm实现可调谐运转,由于其荧光寿命短(仅3.6μs),常用增益开关技... 掺铬镁橄榄石脉冲激光器的增益开关特性雷海容刘宏发严柏生刘敬海张国威(北京理工大学光电工程系100081)掺铬镁橄榄石脉冲激光器可在1.13~1.37μm实现可调谐运转,由于其荧光寿命短(仅3.6μs),常用增益开关技术来获得脉宽为ns量级的激光脉冲。... 展开更多
关键词 增益开关 脉冲激光器 镁橄榄石 受激态吸收 延迟时间 掺铬 动力学特性 泵浦能量 钛蓝宝石激光器 镁橄榄石激光器
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真空退火温度对掺铬类石墨镀层微观组织结构的影响
13
作者 时惠英 李洪涛 蒋百灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期1143-1147,共5页
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备于单晶硅基体上制备了掺铬类石墨镀层,并利用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对真空退火处理前、后掺铬类石墨镀层的物相和微观组织结构演变规律进行了详细分析。研究结果表明:当真空退火温... 采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备于单晶硅基体上制备了掺铬类石墨镀层,并利用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对真空退火处理前、后掺铬类石墨镀层的物相和微观组织结构演变规律进行了详细分析。研究结果表明:当真空退火温度达到500℃以上时,在掺铬类石墨镀层的C/Cr工作层中会相继出现Cr3C2、Cr23C6甚至微晶石墨等晶体;在掺铬类石墨镀层的真空退火过程中,Cr3C2碳化物相较Cr23C6碳化物相更容易于Cr原子弥散掺杂的非晶石墨层中析出,且Cr3C2碳化物相倾向于在C/Cr工作层中Cr原子浓度大的区域析出;Cr3C2和Cr23C6等碳化物相的析出对Cr原子浓度的依赖性逐渐减弱。 展开更多
关键词 真空退火 掺铬类石墨镀层 微观组织结构
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掺铬镁橄榄石激光器的激光特性研究
14
作者 徐冰 林礼煌 +5 位作者 杨晓东 李传东 欧阳斌 颜声辉 王润文 徐至展 《量子电子学》 CSCD 1994年第2期72-72,共1页
掺铬镁橄榄石激光器的激光特性研究徐冰,林礼煌,杨晓东,李传东,欧阳斌,颜声辉,王润文,徐至展(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)掺铬镁橄榄石晶体是继掺钛蓝宝石、掺铬紫翠宝石晶体之后的又一种令人感兴趣... 掺铬镁橄榄石激光器的激光特性研究徐冰,林礼煌,杨晓东,李传东,欧阳斌,颜声辉,王润文,徐至展(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)掺铬镁橄榄石晶体是继掺钛蓝宝石、掺铬紫翠宝石晶体之后的又一种令人感兴趣的可调谐激光介质。其增益措在116... 展开更多
关键词 掺铬镁橄榄石 激光器 激光特性
原文传递
轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻
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作者 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期37-39,共3页
分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度(EPD)和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错,用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明:单晶中位错密度和薄层电阻分布类似,并且和理论分析液封直拉法生长的半绝缘砷化镓中应力分布一致。证... 分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度(EPD)和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错,用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明:单晶中位错密度和薄层电阻分布类似,并且和理论分析液封直拉法生长的半绝缘砷化镓中应力分布一致。证明轻掺铬不影响单晶的位错密度。 展开更多
关键词 掺铬 砷化镓 位错密度 薄层电阻
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LEC轻掺铬半绝缘GaAs单晶电学性质均匀性研究
16
作者 朱顺才 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期386-389,共4页
近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的... 近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的均匀性。本文用Vander Pauw法测定了轻掺铬SI-GaAs单晶体的电阻率、霍耳迁移率和载流子浓度的横向和纵向分布。 展开更多
关键词 掺铬晶体 砷化镓 电学性质 均匀性
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掺铬氟化锂锶铝激光器小信号增益的研究
17
作者 王加贤 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期30-32,共3页
在考虑掺铬氟化锂锶铝晶体的激发态吸收和上转换的情况下,求出掺铬氟化锂锶铝激光器小信号增益随泵浦功率的变化,分析晶体温度对小信号增益的影响。在实验上研究连续掺铬氟化锂锶铝激光器输出功率与泵浦功率的关系,发现转换效率随着... 在考虑掺铬氟化锂锶铝晶体的激发态吸收和上转换的情况下,求出掺铬氟化锂锶铝激光器小信号增益随泵浦功率的变化,分析晶体温度对小信号增益的影响。在实验上研究连续掺铬氟化锂锶铝激光器输出功率与泵浦功率的关系,发现转换效率随着泵浦功率的增加而下降。 展开更多
关键词 掺铬氟化锂锶铝 小信号增益 激光器
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掺铬六氟铝酸锶锂可调谐激光器的进展
18
作者 魏世道 《激光技术》 CAS CSCD 1994年第3期181-184,共4页
Cr:LiSAF是一种高效率、宽发射光谱及寿命时间长的激光晶体。Cr:LiSAF激光器发展极快,现已提供从可见到近红外区域全固体化宽带可调谐激光及超短脉冲激光。
关键词 掺铬 六氟铝酸锶锂 可调谐激光器
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掺铬KNSBN晶体的全息存储特性 被引量:3
19
作者 覃鸣燕 陶世荃 +1 位作者 梁宝来 王肇圻 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期11-12,共2页
本文对掺铬KNSBN晶体的全息存储特性进行了研究 ,着重测试了该晶体的全息灵敏度和动态范围。研究结果表明掺铬KNSBN晶体具有弱光敏感、写入响应快和擦除时间短等特点。
关键词 体全息存储 光折变晶体 掺铬
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掺铬离子晶体光谱特征及在激光中的应用
20
作者 臧竞存 《光电子》 2013年第1期1-5,共5页
本文探讨了二价、三价、四价和五价铬离子掺杂的一些激光晶体的光谱特性,由于分属于d4、d3、d2、d1电子组态,在不同配位体和晶体场场强变化时,其特征光谱显示了不同的变化,因而在脉冲激光,可调谐激光,激光调Q和锁模技术中发挥着不同的... 本文探讨了二价、三价、四价和五价铬离子掺杂的一些激光晶体的光谱特性,由于分属于d4、d3、d2、d1电子组态,在不同配位体和晶体场场强变化时,其特征光谱显示了不同的变化,因而在脉冲激光,可调谐激光,激光调Q和锁模技术中发挥着不同的作用。 展开更多
关键词 掺铬离子晶体 光谱 激光
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