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微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究 被引量:3
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作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《军械工程学院学报》 2004年第6期1-3,共3页
采用方波注入法,对国外某知名公司生产的两个批次的晶体管进行了实验,比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP敏感端对与人们一般研究的结论有所不同.
关键词 微电子器件 方波注入 敏感端
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半导体三极管静电放电敏感端对实验研究
2
作者 王瑞军 康洪波 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期712-714,共3页
针对典型的硅微波低噪声三极管进行静电放电电磁脉冲效应实验,主要研究静电放电沿着三极管的哪个管脚组合(端对)注入时最容易造成三极管的损伤,三极管的那个部位对静电放电最为敏感。实验采用静电放电模拟器对三极管的所有管脚组合(端对... 针对典型的硅微波低噪声三极管进行静电放电电磁脉冲效应实验,主要研究静电放电沿着三极管的哪个管脚组合(端对)注入时最容易造成三极管的损伤,三极管的那个部位对静电放电最为敏感。实验采用静电放电模拟器对三极管的所有管脚组合(端对)进行静电放电,每次静电放电后测量三极管主要电参数的变化情况,根据有关规定判断三极管是否损伤。实验发现,国产三极管3DG120D和日本产三极管2SC3331沿着各个管脚组合(端对)注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压不同,沿着CB端对注入静电放电电磁脉冲时的损伤电压最小,CB端对对静电放电最为敏感。硅微波低噪声三极管对静电放电电磁脉冲最敏感的部位是集电结(CB结)。 展开更多
关键词 半导体 三极管 静电放电 电磁脉冲 敏感端
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静电放电和方波EMP对微电子器件的效应 被引量:15
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作者 原青云 武占成 +2 位作者 杨洁 张希军 薛田 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期47-50,共4页
为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对... 为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。 展开更多
关键词 微电子器件 静电放电 方波注入 敏感端 人体模型
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微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究 被引量:18
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作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期111-114,158,共5页
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示... 为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。 展开更多
关键词 微波低噪声硅晶体管 方波电磁脉冲 敏感端 灵敏参数 损伤功率 统计分布 损伤机理
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微波半导体晶体管静电放电损伤机理 被引量:3
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作者 谭志良 吴东岩 刘进 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期904-909,共6页
为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了... 为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁。 展开更多
关键词 微波半导体 晶体管 静电放电 电磁脉冲 损伤机理 敏感端 双极型硅器件
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3DG81B在静电放电作用下损伤效应与机理分析 被引量:2
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作者 马立云 谭志良 +1 位作者 宋培姣 吴东岩 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期4191-4197,共7页
为研究高频低功率双极型晶体管在静电放电电磁脉冲下的损伤机理,分别采用静电放电试验法、软件仿真法以及微观失效分析法,对高频低功率双极型晶体管3DG81B进行静电放电试验,建立双极型晶体管的仿真模型,分别模拟静电放电电磁脉冲从EB结... 为研究高频低功率双极型晶体管在静电放电电磁脉冲下的损伤机理,分别采用静电放电试验法、软件仿真法以及微观失效分析法,对高频低功率双极型晶体管3DG81B进行静电放电试验,建立双极型晶体管的仿真模型,分别模拟静电放电电磁脉冲从EB结和CB结注入的整个过程,并通过微观分析来分析其失效机理。结果验证了高频低功率双极型晶体管对静电放电电磁脉冲的最敏感端对为CB结;同时还发现该类晶体管的损伤是由热二次击穿导致的热致损伤,最终导致晶体管局部区域发生融化而损坏,其损伤时的失效模式表现为电参数漂移、短路以及功能性失效。 展开更多
关键词 双极型晶体管 静电放电 损伤机理 敏感端 微观分析 热二次击穿
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新型长时热流测量装置的研制及应用
7
作者 刘国仟 李宇 +3 位作者 刘宇飞 徐晓亮 崔占中 周禹 《装备环境工程》 CAS 2020年第1期31-35,共5页
目的设计一种新型热流测量装置,使传感器满足长时间热流测量的需求,且传感器外表面可以适量打磨,与飞行器的气动外型面完好随型。方法采用铜和钢作为备选材料,施加相同的表面热流边界,对比敏感端内外壁温差情况。优化热流辨识传感器传... 目的设计一种新型热流测量装置,使传感器满足长时间热流测量的需求,且传感器外表面可以适量打磨,与飞行器的气动外型面完好随型。方法采用铜和钢作为备选材料,施加相同的表面热流边界,对比敏感端内外壁温差情况。优化热流辨识传感器传热路径、敏感端厚度,通过有限元模型分析打磨对热流辨识结果的影响。基于优化结果,研制出热流测量装置,并通过地面试验验证该装置的有效性。结果从热响应获取时间延迟角度来看,Cu比钢具有较大的优势。综合考虑敏感端外表面需要与飞行器外表面随型打磨,选用5 mm的厚度具有一定的安全可靠性。敏感端的适度打磨基本不影响温度测量结果。辨识获得的热流数据与实际控制热流吻合较好,最大偏差约15%。结论成功研制了热流测量装置,并通过地面热试验证明了热流测量的有效性。 展开更多
关键词 热流测量 传感器 飞行器 敏感端
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进口集成电路及其相应国产化集成电路的电磁脉冲损伤对比研究
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作者 张沛 武占成 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第S3期323-326,共4页
引进武器装备的国产化一直是我军装备研究的重点,本文通过对某进口防空导弹武器系统中的五类集成电路和对应的国产集成电路进行了方波注入电磁损伤效应的研究,得到了进口器件和国产器件在损伤过程中的异同之处。
关键词 方波注入 敏感端 电磁损伤
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Quench sensitivity and microstructure character of high strength AA7050 被引量:25
9
作者 李培跃 熊柏青 +4 位作者 张永安 李志辉 朱宝宏 王锋 刘红伟 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期268-274,共7页
The effect of quenching rate on the electrical conductivity and microstructure of thick plates of incumbent AA7050 was investigated by employing Jominy end quench test. The electrical conductivity measurement and micr... The effect of quenching rate on the electrical conductivity and microstructure of thick plates of incumbent AA7050 was investigated by employing Jominy end quench test. The electrical conductivity measurement and microstructural observation were conducted at different distances from the quenched end. The results indicate that the average cooling rates decrease with increasing the distance from the quenched end of the bar in the quench sensitive temperature range. However, the electrical conductivity increases with the increase of distance from the quenched end. The surface parts of the plate were fully recrystallized, while partial recrystallization took place at the quarter and center parts of the plate. The quench induced grain boundary precipitates became remarkably coarser and discontinuously distributed with increasing distance from the quenched end of the bar. Plenty of heterogeneous precipitates were observed to nucleate on A13Zr dispersoids when the distance from the quenched end was greater than 38mm. 展开更多
关键词 Jominy end quench test quench sensitivity cooling rate quench induced precipitates
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Effect of homogenization time on quench sensitivity of 7085 aluminum alloy 被引量:11
10
作者 郑玉林 李承波 +2 位作者 刘胜胆 邓运来 张新明 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期2275-2281,共7页
The effect of homogenization time on quench sensitivity of a cast 7085 aluminum alloy was investigated by means of end-quenching test, optical microscope (OM), scanning electron microscope (SEM) and transmission e... The effect of homogenization time on quench sensitivity of a cast 7085 aluminum alloy was investigated by means of end-quenching test, optical microscope (OM), scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM). The results show that with the increase of homogenization time from 48 h to 384 h, quench sensitivity increased slightly as the largest difference in the hardness was increased from 5.2% to 6.9% in the end-quenched and aged specimens. Prolonging homogenization had little effect on the grain structure, but improved the dissolution of soluble T phase and resulted in larger Al3Zr dispersoids with a low number density. Some small quench-induced η phase particles on Al3Zr dispersoids were observed inside grains during slow quenching, which decreased hardness after subsequent aging. The change in the character of Al3Zr dispersoids exerted slight influence on quench sensitivity. 展开更多
关键词 7085 aluminum alloy HOMOGENIZATION end quenching quench sensitivity Al3Zr dispersoids equilibrium η phase
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小电流晶闸管静电放电损伤特性研究 被引量:1
11
作者 简勋 张希军 杨洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期229-233,共5页
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K... 为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。 展开更多
关键词 小电流晶闸管(SCR) 静电放电(ESD) 损伤特性 敏感注入 失效模式
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Proximal and distal esophageal sensitivity is decreased in patients with Barrett’s esophagus
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作者 Anne L Kraru Sφren S Olesen +2 位作者 Peter Funch-Jensen Hans Gregersen Asbjφrn M Drewes 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 2011年第4期514-521,共8页
AIM: To investigate sensations to multimodal pain stimulation in the metaplastic and normal parts of the esophagus in patients with Barrett’s esophagus (BE). METHODS: Fifteen patients with BE and 15 age-matched healt... AIM: To investigate sensations to multimodal pain stimulation in the metaplastic and normal parts of the esophagus in patients with Barrett’s esophagus (BE). METHODS: Fifteen patients with BE and 15 age-matched healthy volunteers were subjected to mechanical, thermal and electrical pain stimuli of the esophagus. Both the metaplastic part and the normal part (4 and 14 cm, respectively, above the esophago-gastric junction) were examined. At sensory thresholds the stimulation intensity, referred pain areas, and evoked brain potentials were recorded. RESULTS: Patients were hyposensitive to heat stimulation both in the metaplastic part [median stimulation time to reach the pain detection threshold: 15 (12-34) s vs 14 (6-23) s in controls; F = 4.5, P = 0.04] and the normal part of the esophagus [median 17 (6-32) s vs 13 (8-20) s in controls; F = 6.2, P = 0.02]. Furthermore, patients were hyposensitive in the metaplastic part of the esophagus to mechanical distension [median volume at moderate pain: 50 (20-50) mL vs 33 (13-50) mL in controls; F = 5.7, P = 0.02]. No indication of central nervous system abnormalities was present, as responses were comparable between groups to electrical pain stimuli in the metaplastic part [median current evoking moderate pain: 13 (6-26) mA vs 12 (9-24) mA in controls; F = 0.1, P = 0.7], and in the normal part of the esophagus [median current evoking moderate pain: 9 (6-16) mA, vs 11 (5-11) mA in controls; F = 3.4, P = 0.07]. Furthermore, no differences were seen for the referred pain areas (P-values all > 0.3) or latencies and amplitudes for the evoked brain potentials (P-values all > 0.1). CONCLUSION: Patients with BE are hyposensitive both in the metaplastic and normal part of esophagus likely as a result of abnormalities affecting peripheral nerve pathways. 展开更多
关键词 Barrett’s esophagus Heat Multimodal PAIN Sensitivity
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