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题名无电容型LDO的研究现状与进展
被引量：10
- 1
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作者
邹志革
邹雪城
雷鑑铭
杨诗洋
陈晓飞
余国义
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期241-246,共6页
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基金
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2006AA01Z226)
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文摘
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战。分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果。
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关键词
低压差线性稳压器
无电容型LDO
集成稳压器
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Keywords
LDO
Capacitorless LDO
Integrated voltage regulator
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计
被引量：2
- 2
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作者
邹志革
杨诗洋
邹雪城
雷鑑铭
陈晓飞
余国义
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第7期49-52,56,共5页
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基金
国家"八六三"高科技计划项目(2006AA01Z226)
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文摘
基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用HHNEC0.25μm CMOS工艺,设计了一个1.8V100mA的适合SoC应用的无电容型LDO.其电压降为50mV,在50μA到100mA的负载电流范围内,开环传递函数相位裕度高于55度,瞬态电压过冲值低于140mV,负载电流在最大值与最小值之间阶跃变化时,最大恢复时间为3μs,系统静态电流为40μA.
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关键词
线性低压差稳压器
无电容型
阻尼系数控制
频率补偿
稳定性
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Keywords
LDO
capacitor-less
DFC
frequency compensation
stability
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计
被引量：2
- 3
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作者
赖松林
黄淑燕
陈金伙
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机构
福州大学物理与信息工程学院
福建江夏学院电子信息科学学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期762-766,771,共6页
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基金
福建省科技厅-集成电路(IC)技术平台建设资助项目(2003Q013)
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文摘
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。
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关键词
快速瞬态响应
类密勒补偿
无电容型LDO
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Keywords
Fast transient response
Quasi-Miller compensation
Capacitor-less LDO
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于混合宏模型的无电容型LDO设计
- 4
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作者
邹志革
邹雪城
雷鑑铭
杨诗洋
陈晓飞
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期90-93,100,共5页
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基金
国家高技术发展研究(863)计划资助项目(2006AA01Z226)
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文摘
模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率。提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计。基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计。
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关键词
混合宏模型
模拟集成电路
设计流程
无电容型LDO
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Keywords
Mix-macro-model
Analog IC
Design flow
Capacitor-less LDO
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种低静态电流瞬态增强的无电容型LDO设计
被引量：4
- 5
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作者
池上升
胡炜
樊明辉
许育森
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机构
福州大学物理与信息工程学院福建省集成电路设计中心
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期36-40,共5页
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基金
福建省科技厅重点项目(2013H0026)
福建省教育厅项目(JA12029)
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文摘
基于推挽式结构能提高运算放大器压摆率的特性,设计了一款静态电流低、内含推挽式AB类放大器的无电容型低压差线性稳压器（LDO）。通过优化,改善了LDO的瞬态响应性能,与传统的LDO相比,所提出的无电容型LDO的静态电流明显减小。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证。仿真结果表明,当输入电压为1.4~4V时,优化后LDO的输出电压为1.2 V,静态电流为5.2μA,最大负载电流达到100 mA,线性调整率为0.016%,负载调整率为0.67%,下过冲为157mV,上过冲为121mV,建立时间为1.5μs。优化后电路瞬态响应性能改善了约50%,版图面积约为0.017mm2。
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关键词
低静态电流
无电容型LDO
瞬态增强
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Keywords
Low-quiescent current
Capacitor-less LDO
Transient response enhancement
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种带瞬态增强电路的无电容型LDO
被引量：2
- 6
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作者
李江昆
杨汝辉
杨康
祝晓辉
甄少伟
罗萍
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期54-57,62,共5页
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基金
国家"核高基"重大专项课题(2009ZX01031-003-003)
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C0903091004)
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文摘
设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。
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关键词
无电容型LDO
瞬态增强
摆率增强
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Keywords
Capacitorless LDO
Transient response enhancement
Slew rate enhancement
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种低静态电流瞬态增强型无片外电容LDO
被引量：1
- 7
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作者
罗伟淞
朱梓杰
卢杨
王少昊
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机构
福州大学-晋江微电子研究院
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出处
《中国集成电路》
2023年第4期66-72,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(12345678)
上海市自然科学基金(xxxxxxx)。
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文摘
低压差线性稳压器(LDO)具有低功耗、瞬态响应性能好、电源噪声抑制比高、结构简单等优势,被广泛地应用在物联网、生物医疗、便携式设备等领域。无片外负载电容型LDO无需外接大容量负载电容,易于片上集成,是当前LDO技术发展的主要方向之一。但是,随着等效电容的减小,无片外电容型LDO在设计上难以同时满足低静态电流和高瞬态响应的要求。本文基于低静态电流优先的设计思路,采用SMIC 180 nm CMOS工艺设计了一种具有双向动态偏置推挽级误差放大器的瞬态增强型无片外电容LDO,仅需微安级的静态电流即可实现高压摆率并足以驱动调整管。在此基础上,该LDO采用基于衬底偏置效应的瞬态增强电路,在无需消耗额外功率和引入旁路电容的同时,进一步降低了输出端过冲电压幅度,在实现低功耗的同时提升了整体瞬态响应性能。仿真结果表明,设计的LDO在1.2 V电源电压下可以获得稳定的1 V输出,在1 kHz下,其电源抑制比达到了-72 dB;当负载电流在50μA~100 mA区间时可实现1.69μA的静态电流、0.019 mA/mV的负载调整率、2.5μs的恢复时间和小于200 mV的过冲电压。
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关键词
低静态电流
瞬态增强
无电容型LDO
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Keywords
Low-quiescent current
Transient response enhancement
Capless LDO
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种无片外电容高电源抑制比LDO设计
- 8
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作者
郭少威
盛祥和
卢杨
王少昊
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机构
福州大学晋江微电子研究院
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出处
《中国集成电路》
2024年第5期28-33,78,共7页
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文摘
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路要求低输入输出压差和高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。本文采用前馈纹波消除电路和负电容电路实现了在低输入输出压差(≤0.2 V)条件下分别对无片外电容高电源抑制比LDO的10 KHz以下频段和1 MHz频带内的电源噪声抑制能力进行提升。此外,提出的方案还通过调整第二级误差放大器的增益,实现了级间电源噪声制约,进一步提升了电源抑制比。本文基于SMIC 55 nm工艺对提出的LDO电路进行了设计与仿真。结果表明,设计的LDO在1.8 V输入电压下可以获得稳定的1.6 V输出电压,输入输出压差≤0.2 V,在1MHz以下频段内PSRR均大于75 dB,10~100 KHz频段的积分噪声为15μV_(RMS)。此外,该LDO还实现1.43 mV/V线性调整率,负载调整率为10μV/mA,总体电路消耗静态电流为76μA。
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关键词
高电源抑制比
前馈纹波消除
负电容电路
无电容型LDO
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Keywords
high power supply rejection ratio(PSRR)
feed-forward ripple cancellation(FFRC)
negative capaci-tance circuit(NCC)
capless LDO
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分类号
TM44
[电气工程—电器]
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题名基于反嵌套共源共栅米勒补偿的LDO设计
被引量：5
- 9
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作者
康瑞
代国定
李沉沉
刘帅
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机构
西安电子科技大学CAD电路研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第11期20-23,共4页
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基金
国家自然科学基金(61301067)
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文摘
基于反嵌套式共源共栅米勒补偿提出了单极点系统的无电容型LDO线性稳压器.该稳压器采用由反相增益级和反相可变增益级组成的可变增益缓冲器,可提高LDO的压摆率和负载瞬态变化时的稳定性.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一款2.5V200mA的适合SoC应用的无电容型LDO,仿真结果表明其漏失电压为150mV,在1mA到200mA的负载电流范围内,该LDO在输出电容为0～1μF的范围内都能稳定,负载电流为200mA时,环路的最大相位裕度可达86°,最小相位裕度高达76°.
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关键词
低压差线性稳压器
无电容型
反嵌套式共源共栅米勒补偿
可变增益缓冲器
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Keywords
LDO
capacitor-free
RNCMC
variable-gain-buffer
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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