TH744.1 2000010125一种新型干涉成像光谱技术=A novel imaging interferometry[刊,中]/高瞻,相里斌,安葆青,刘改侠(中科院西安光机所.陕西,西安(710068))//光电子·激光.—1998,9(2).—116-118介绍了一种新型空间调制干涉成像光谱...TH744.1 2000010125一种新型干涉成像光谱技术=A novel imaging interferometry[刊,中]/高瞻,相里斌,安葆青,刘改侠(中科院西安光机所.陕西,西安(710068))//光电子·激光.—1998,9(2).—116-118介绍了一种新型空间调制干涉成像光谱仪原理,并与具有代表性的静态迈克尔逊干涉仪的光通量进行了比较,说明它具有高通量、大视场的优点。推导了这种干涉仪的干涉图表达式,分析了胶合层楔角对调制度的影响,给出了楔角的容限计算公式。图6参6(郑锦玉)TH744.1 2000010126浅谈关于DV-4(5)直读光谱仪曲线的校准=A breifcalibration on the work curve of DV-4(5)[刊,展开更多
TH744.1 2001053075光电直读光谱仪常见故障分析及处理=Analysis and treatment for commonly encountered troublcs in DV4/5 photoelectric direct-reading spectrometer[刊,中]/李林俊(涟源钢铁集团有限公司品质部。湖南,娄底)//光...TH744.1 2001053075光电直读光谱仪常见故障分析及处理=Analysis and treatment for commonly encountered troublcs in DV4/5 photoelectric direct-reading spectrometer[刊,中]/李林俊(涟源钢铁集团有限公司品质部。湖南,娄底)//光谱实验室.—2001,17(6).—649-652分析了美国贝尔德公司DV4/5光电直读光谱仪出现的常见故障,阐述了它的检修过程。图2(吴淑珍)展开更多
TH744 2004053308 X射线荧光光谱仪在真空开关管中的应用=Application of the energy dispersion fluorescence X-ray spectrometer in vacuum switch tube[刊,中]/王卫杰(北京真空电子技术研究所,北京(100016))。何晓梅∥真空电子技术,...TH744 2004053308 X射线荧光光谱仪在真空开关管中的应用=Application of the energy dispersion fluorescence X-ray spectrometer in vacuum switch tube[刊,中]/王卫杰(北京真空电子技术研究所,北京(100016))。何晓梅∥真空电子技术,—2003(4)。展开更多
文摘TH744.1 2000010125一种新型干涉成像光谱技术=A novel imaging interferometry[刊,中]/高瞻,相里斌,安葆青,刘改侠(中科院西安光机所.陕西,西安(710068))//光电子·激光.—1998,9(2).—116-118介绍了一种新型空间调制干涉成像光谱仪原理,并与具有代表性的静态迈克尔逊干涉仪的光通量进行了比较,说明它具有高通量、大视场的优点。推导了这种干涉仪的干涉图表达式,分析了胶合层楔角对调制度的影响,给出了楔角的容限计算公式。图6参6(郑锦玉)TH744.1 2000010126浅谈关于DV-4(5)直读光谱仪曲线的校准=A breifcalibration on the work curve of DV-4(5)[刊,
文摘TH744.1 2001053075光电直读光谱仪常见故障分析及处理=Analysis and treatment for commonly encountered troublcs in DV4/5 photoelectric direct-reading spectrometer[刊,中]/李林俊(涟源钢铁集团有限公司品质部。湖南,娄底)//光谱实验室.—2001,17(6).—649-652分析了美国贝尔德公司DV4/5光电直读光谱仪出现的常见故障,阐述了它的检修过程。图2(吴淑珍)
文摘TH744 2004053308 X射线荧光光谱仪在真空开关管中的应用=Application of the energy dispersion fluorescence X-ray spectrometer in vacuum switch tube[刊,中]/王卫杰(北京真空电子技术研究所,北京(100016))。何晓梅∥真空电子技术,—2003(4)。
